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威世推出新型功率器件縮小磁性元器件尺寸

Big-Bit商務網(wǎng) ? 來源:大比特資訊 ? 作者:大比特資訊 ? 2021-07-11 16:46 ? 次閱讀
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家電、醫(yī)療市場,是今年磁性元器件廠商重點關注的市場,一些研發(fā)實力強勁的磁性元器件廠商針對該市場推出了性能更優(yōu)的產(chǎn)品。

相比于其他終端市場,家電、醫(yī)療是今年表現(xiàn)較為突出的兩個市場,一些研發(fā)實力較強的功率器件企業(yè)、磁性元器件企業(yè)針對這些市場,開發(fā)出性能更優(yōu)的產(chǎn)品滿足這些市場的需求。

今年10月,磁性元器件大廠威世(Vishay)公司推出新型40 V n溝道MOSFET半橋功率級---SiZ240DT,可用來提高白色家電、醫(yī)療、通信應用以及工業(yè)的功率密度和效率。十分契合疫情下,這些較為火熱的市場對功率器件的使用。

一般來說,在驅(qū)動電路的設計和應用中,MOSFET的轉(zhuǎn)化效率直接關系到驅(qū)動功率是否達到工作要求,因此需要慎重選擇。

載波頻率越高,驅(qū)動延時越小,但太高抗干擾性變差,隔離變壓器磁環(huán)電感越大,磁環(huán)電流越小,芯片發(fā)熱越少,但太大使得匝數(shù)增多導致寄生參數(shù)影響變大,同樣會使抗干擾能力降低。

SiZ240DT導通電阻與柵極電荷乘積FOM比位居第二的器件低14 %,有助于提高快速開關應用的效率,比采用6mm x 5mm封裝的雙器件小65 %,是目前市場上體積最小的集成產(chǎn)品之一。

除用于同步降壓,DC/DC轉(zhuǎn)換半橋功率級之外,這一新型器件還為設計師提供節(jié)省空間的解決方案。這種集成式MOSFET采用無導線內(nèi)部結構,最大限度降低了寄生電感,實現(xiàn)高頻開關,從而減小磁性元器件和最終設計的尺寸。

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