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合肥長鑫加速開發(fā)17nm工藝內(nèi)存研發(fā)

lhl545545 ? 來源:快科技 ? 作者:憲瑞 ? 2020-12-18 09:53 ? 次閱讀
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在量產(chǎn)國內(nèi)首個8Gb DDR4芯片之后,合肥長鑫日前又獲得了156億元的巨額投資,將加速開發(fā)17nm工藝的DDR5內(nèi)存研發(fā)及生產(chǎn)。

據(jù)報道,合肥長鑫的母公司睿力集成近期獲得了一筆巨額融資,總額高達156億元,參與投資的主要是國家大基金二期、安徽省三重一創(chuàng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展基金有限公司、合肥石溪集電企業(yè)管理合伙企業(yè)、小米長江產(chǎn)業(yè)基金等投資公司。

長鑫存儲作為一體化存儲器制造商,專業(yè)從事動態(tài)隨機存取存儲芯片(DRAM)的設計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售,目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn),18年研發(fā)國內(nèi)首個8Gb DDR4芯片,2019年Q3季度量產(chǎn),2020年多款國產(chǎn)內(nèi)存已經(jīng)用上了長鑫的顆粒。

長鑫的第一代DDR4芯片使用的還是19nm的第一代10nm工藝10G1,此前安徽方面發(fā)布的文件顯示,長鑫將研發(fā)先進低功耗高速率LPDDR5 產(chǎn)品并實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化,依托DRAM 17nm及以下工藝,攻關高速接口技術、Bank Group架構(gòu)設計技術、低功耗電源(電壓)技術、片內(nèi)糾錯編碼(On-Die ECC)技術,完成低功耗高速率LPDDR5 DRAM產(chǎn)品開發(fā)。
責任編輯:pj

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