一区二区三区三上|欧美在线视频五区|国产午夜无码在线观看视频|亚洲国产裸体网站|无码成年人影视|亚洲AV亚洲AV|成人开心激情五月|欧美性爱内射视频|超碰人人干人人上|一区二区无码三区亚洲人区久久精品

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

軍品可靠性設(shè)計很神秘,一個軍用器件可靠性設(shè)計竟然是這樣的

電子設(shè)計 ? 來源:電子設(shè)計 ? 作者:電子設(shè)計 ? 2020-12-24 20:46 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

軍品可靠性要求高,可靠性設(shè)計分析如何開展?軍品的可靠性更關(guān)注什么呢?今天分析一篇軍用器件的可靠性設(shè)計文章,供學(xué)習(xí)參考。當(dāng)然,不同的軍品可靠性要求不一樣,開展的可靠性設(shè)計分析工作也不盡相同。采用先進(jìn)的可靠性技術(shù),利用專用的可靠性工具是軍品可靠性工作必不可少的。軍用DC/DC變換器的高可靠和長壽命,是確保其完成任務(wù)使命的基本條件之一。但人們對DC/DC變換器可靠性的認(rèn)識通常集中在元器件固有質(zhì)量或產(chǎn)品組裝工藝缺陷方面,往往忽略了系統(tǒng)設(shè)計缺陷和電壓、電流和溫度應(yīng)力對可靠性的影響,本文以軍用衛(wèi)星 DC/DC變換器為對象,介紹軍品可靠性設(shè)計分析相關(guān)知識。

日本的統(tǒng)計資料表明,可靠性問題的80%來源于設(shè)計方面(日本把元器件的選型和質(zhì)量等級的確定以及元器件的負(fù)荷能力等都?xì)w入設(shè)計上的原因)。國產(chǎn)星用DC/DC變換器雖然在軌試驗中尚未出現(xiàn)失效現(xiàn)象的歷史記錄,但在地面試驗中,已經(jīng)有過不少的故障歸零報告,基本上屬于設(shè)計缺陷。

以上統(tǒng)計數(shù)據(jù)表明,控制和減少由于技術(shù)方案選擇、電路拓?fù)湓O(shè)計以及元器件使用設(shè)計原因所造成的DC/DC變換器故障,具有重要意義。 DC/DC變換器供電方式的選擇 DC/DC變換器供電方式的不同,對整個供電系統(tǒng)的可靠性有重大影響。衛(wèi)星用DC/DC變換器的配電系統(tǒng)一般有兩種方式:集中式供電和分布式供電。 集中式供電的優(yōu)點是DC/DC變換器數(shù)量少,有利于控制和減少電源的體積和重量,同時簡化了一次電源到DC/DC變換器之間的重復(fù)布線。缺點是電源的多負(fù)載,很難保證電源的輸出伏安特性滿足每個負(fù)載的要求。 分布式供電系統(tǒng)的優(yōu)點是DC/DC變換器靠近供電負(fù)載,在減小傳輸損耗的同時提高了動態(tài)響應(yīng)特性,這是解決低壓大電流(如2V/20A)問題的必須和唯一技術(shù)途徑。這種供電方式的基本特征是將負(fù)載功率或負(fù)載特性分解,分擔(dān)給多個、電源模塊來承擔(dān)。 從可靠性模型上來說,分布式供電系統(tǒng)的多個DC/DC變換器屬于可靠性并聯(lián)系統(tǒng),容易組成N+1冗余供電,擴展功率也相對容易。所以,采用分布式供電系統(tǒng),能夠滿足航天電源產(chǎn)品的可靠性方案設(shè)計要求。

目前,國產(chǎn)衛(wèi)星DC/DC變換器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),基本上實現(xiàn)了從分系統(tǒng)共用一個結(jié)構(gòu)模塊電源的集中供電方式,過渡到采用通用化、模塊化、小型化的“三化”電源產(chǎn)品的分布式供電。 因此綜合考慮用電系統(tǒng)的具體需求,選擇合理的供電方式對提高DC/DC變換器供電系統(tǒng)的可靠性具有至關(guān)重要的意義。 電路拓?fù)涞倪x擇與設(shè)計可供衛(wèi)星DC/DC變換器功率變換選用的基本電路拓?fù)溆?種,分別是單端正激式、單端反激式、雙單端正激式、推挽式、雙正激式、雙管正激式、半橋式、全橋式。 前6種拓?fù)涔β书_關(guān)管在關(guān)閉時要承受2倍輸入電壓??紤]到輸入電壓的變化范圍和電磁干擾電壓峰值,并要留有一定的安全余度,功率開關(guān)管的耐壓值,需要達(dá)到輸入額定電壓的4倍以上。例如,當(dāng)輸入母線電壓+42V時,功率管的漏源電壓應(yīng)該為200V。 推挽和全橋拓?fù)溆锌赡艹霈F(xiàn)單向磁偏飽和現(xiàn)象,主要是兩路功率開關(guān)輪流導(dǎo)通時不完全對稱,使充磁和退磁的兩個伏秒面積不等而造成的。一旦出現(xiàn)該現(xiàn)象,一只功率管會首先損壞。近年來,在國外對推挽拓?fù)涞膯蜗虼牌M(jìn)行的專題研究中,發(fā)現(xiàn)功率開關(guān)采用性能參數(shù)一致性好的MOSFET,就可以消除單向磁偏飽和現(xiàn)象。原因是MOSFET的導(dǎo)通損耗具有正溫度特性,可實現(xiàn)自動溫度平衡的功能,將自動維持兩管伏秒面積的等值性。這些結(jié)論,我們已經(jīng)在多顆衛(wèi)星DC/DC變換器試驗中得到了驗證,應(yīng)該說只要實施有效的可靠性技術(shù)措施,推挽拓?fù)涞拇箅娏?、高效率、高可靠?yōu)勢會充份地發(fā)揮出來。 理論分析和實踐結(jié)果表明,半橋拓?fù)渚哂凶詣涌共黄胶獾哪芰Α?/p>

一般認(rèn)為,500W以下,雙管正激和半橋拓?fù)渚哂休^高的安全性和可靠性。 單端反激拓?fù)洳贿m用于負(fù)載電流大范圍變化的情況,空載時的輸出電壓也會明顯增高。目前,國內(nèi)外廣泛采用外接電阻負(fù)載克服空載失控現(xiàn)象,但這會降低電源效率。由于電源輸出功率與外接電阻值成反比關(guān)系,因此,單端反激拓?fù)渲贿m用于輸出功率較小的場合。 失效模式及影響分析(FMEA)失效模式及影響分析是指,在產(chǎn)品設(shè)計過程中,對組成產(chǎn)品的所有部件、元器件可能發(fā)生的故障造成的影響進(jìn)行分析,并規(guī)劃糾正措施。 元器件的故障模式參照GJB電子設(shè)備可靠性預(yù)計手冊。分析中不考慮無關(guān)的雙重故障,但考慮單一故障引起的連鎖影響,即二次故障。 由于航天器DC/DC變換器的高可靠要求,供電系統(tǒng)不允許單點故障的存在,因此一般要考慮備份冗余設(shè)計。但不是說考慮了備份冗余以后,進(jìn)行FMEA的結(jié)果就不存在單點故障。因為,往往表面上看不是單點故障的失效模式,深入分析后就會發(fā)現(xiàn)由于共因模式的存在而導(dǎo)致單點失效。

審核編輯 黃昊宇

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 可靠性設(shè)計
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    50

    瀏覽量

    14613
  • DC/DC變換器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    4

    瀏覽量

    5357
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    器件可靠性領(lǐng)域中的 FIB 技術(shù)

    分析(FA)以及應(yīng)用驗證等。其中,結(jié)構(gòu)分析作為種近年來逐漸推廣的新型技術(shù),能夠從材料和生產(chǎn)工藝等多個層面深入剖析元器件,為確保元器件可靠性發(fā)揮著關(guān)鍵作用。而聚
    的頭像 發(fā)表于 06-30 14:51 ?155次閱讀
    元<b class='flag-5'>器件</b><b class='flag-5'>可靠性</b>領(lǐng)域中的 FIB 技術(shù)

    可靠性測試包括哪些測試和設(shè)備?

    在當(dāng)今競爭激烈的市場環(huán)境中,產(chǎn)品質(zhì)量的可靠性成為了企業(yè)立足的根本。無論是電子產(chǎn)品、汽車零部件,還是智能家居設(shè)備,都需要經(jīng)過嚴(yán)格的可靠性測試,以確保在各種復(fù)雜環(huán)境下都能穩(wěn)定運行,為用戶提供可靠的使用體驗。那么,
    的頭像 發(fā)表于 06-03 10:52 ?345次閱讀
    <b class='flag-5'>可靠性</b>測試包括哪些測試和設(shè)備?

    半導(dǎo)體測試可靠性測試設(shè)備

    在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中,可靠性測試設(shè)備如同產(chǎn)品質(zhì)量的 “守門員”,通過模擬各類嚴(yán)苛環(huán)境,對半導(dǎo)體器件的長期穩(wěn)定性和可靠性進(jìn)行評估,確保其在實際使用中能穩(wěn)定運行。以下為你詳細(xì)介紹常見的半導(dǎo)體測試可靠性
    的頭像 發(fā)表于 05-15 09:43 ?261次閱讀
    半導(dǎo)體測試<b class='flag-5'>可靠性</b>測試設(shè)備

    電子元器件可靠性檢測項目有哪些?

    在電子信息技術(shù)飛速發(fā)展的今天,從日常使用的智能終端到關(guān)乎國計民生的關(guān)鍵設(shè)備,電子元器件可靠性直接決定著整個系統(tǒng)的穩(wěn)定性與安全。北京沃華慧通測控技術(shù)有限公司深耕電子測試測量領(lǐng)域多年,憑借深厚的技術(shù)
    的頭像 發(fā)表于 05-14 11:44 ?213次閱讀
    電子元<b class='flag-5'>器件</b><b class='flag-5'>可靠性</b>檢測項目有哪些?

    提供半導(dǎo)體工藝可靠性測試-WLR晶圓可靠性測試

    潛在可靠性問題;與傳統(tǒng)封裝級測試結(jié)合,實現(xiàn)全周期可靠性評估與壽命預(yù)測。 關(guān)鍵測試領(lǐng)域與失效機理 WLR技術(shù)聚焦半導(dǎo)體器件的本征可靠性,覆蓋以下核心領(lǐng)域: 金屬化
    發(fā)表于 05-07 20:34

    電機微機控制系統(tǒng)可靠性分析

    方法。各種技術(shù)措施合理搭配才能有效地提高電機微機控制系統(tǒng)的可靠性。 在電機微機控制系統(tǒng)的研制過程中,系統(tǒng)的可靠性很重要的問題。
    發(fā)表于 04-29 16:14

    IGBT的應(yīng)用可靠性與失效分析

    包括器件固有可靠性和使用可靠性。固有可靠性問題包括安全工作區(qū)、閂鎖效應(yīng)、雪崩耐量、短路能力及功耗等,使用可靠性問題包括并聯(lián)均流、軟關(guān)斷、電磁
    的頭像 發(fā)表于 04-25 09:38 ?1021次閱讀
    IGBT的應(yīng)用<b class='flag-5'>可靠性</b>與失效分析

    電機控制器電子器件可靠性研究

    控制器電子器件在儲存狀態(tài)下的可靠性。純分享帖,需要者可點擊附件獲取完整資料~~~*附件:電機控制器電子器件可靠性研究.pdf 【免責(zé)聲明】本文系網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)載,版權(quán)歸原作者所有。本文所用視頻
    發(fā)表于 04-17 22:31

    半導(dǎo)體集成電路的可靠性評價

    半導(dǎo)體集成電路的可靠性評價是綜合的過程,涉及多個關(guān)鍵技術(shù)和層面,本文分述如下:可靠性評價技術(shù)概述、
    的頭像 發(fā)表于 03-04 09:17 ?540次閱讀
    半導(dǎo)體集成電路的<b class='flag-5'>可靠性</b>評價

    文讀懂芯片可靠性試驗項目

    可靠性試驗的定義與重要可靠性試驗是種系統(tǒng)化的測試流程,通過模擬芯片在實際應(yīng)用中可能遇到的各種環(huán)境條件和工作狀態(tài),對芯片的性能、穩(wěn)定性和壽命進(jìn)行全面評估。在芯片研發(fā)和生產(chǎn)過程中,
    的頭像 發(fā)表于 02-21 14:50 ?730次閱讀
    <b class='flag-5'>一</b>文讀懂芯片<b class='flag-5'>可靠性</b>試驗項目

    提升軍用開關(guān)電源可靠性的設(shè)計策略研究

    軍用開關(guān)電源可靠性設(shè)計研究 摘要 對影響軍用 PWM 型開關(guān)穩(wěn)壓電源可靠性的因素作出較為詳細(xì)的分析比較,并從工程實際出發(fā)提出些提高開關(guān)電源
    的頭像 發(fā)表于 02-20 10:14 ?4979次閱讀
    提升<b class='flag-5'>軍用</b>開關(guān)電源<b class='flag-5'>可靠性</b>的設(shè)計策略研究

    霍爾元件的可靠性測試步驟

    可靠性測試是非常重要的?;魻栐?b class='flag-5'>可靠性測試主要包括以下幾個方面: 、測試環(huán)境與準(zhǔn)備 測試環(huán)境 :需要穩(wěn)定、無電磁干擾的環(huán)境,以確保
    的頭像 發(fā)表于 02-11 15:41 ?559次閱讀

    什么是MOSFET柵極氧化層?如何測試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?

    氧化層?如何測試碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?”讓我們起跟隨基本半導(dǎo)體市場部總監(jiān)魏煒老師的講解,揭開這技術(shù)領(lǐng)域的神秘面紗。
    發(fā)表于 01-04 12:37

    微電子器件可靠性失效分析程序

    微電子器件可靠性失效分析程序
    的頭像 發(fā)表于 11-01 11:08 ?1824次閱讀
    微電子<b class='flag-5'>器件</b><b class='flag-5'>可靠性</b>失效分析程序

    PCB高可靠性化要求與發(fā)展——PCB高可靠性的影響因素(上)

    在電子工業(yè)的快速發(fā)展中,印刷電路板(PCB)的可靠性始終是設(shè)計和制造的核心考量。隨著集成電路(IC)的集成度不斷提升,PCB不僅需要實現(xiàn)更高的組裝密度,還要應(yīng)對高頻信號傳輸?shù)奶魬?zhàn)。這些趨勢對PCB
    的頭像 發(fā)表于 10-11 11:20 ?1318次閱讀
    PCB高<b class='flag-5'>可靠性</b>化要求與發(fā)展——PCB高<b class='flag-5'>可靠性</b>的影響因素(上)