一区二区三区三上|欧美在线视频五区|国产午夜无码在线观看视频|亚洲国产裸体网站|无码成年人影视|亚洲AV亚洲AV|成人开心激情五月|欧美性爱内射视频|超碰人人干人人上|一区二区无码三区亚洲人区久久精品

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

我國功率器件巨頭的新野心

電子工程師 ? 來源:半導(dǎo)體芯精英 ? 作者:半導(dǎo)體芯精英 ? 2020-12-28 11:01 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

21日,本土功率器件供應(yīng)商士蘭微電子宣布了最新的投產(chǎn)計(jì)劃。

根據(jù)公司發(fā)布的公告顯示,士蘭微12吋芯片生產(chǎn)線正式投產(chǎn)。該項(xiàng)目由廈門士蘭集科微電子有限公司負(fù)責(zé)實(shí)施運(yùn)營,總投資170億元,建設(shè)兩條以MEMS、功率器件為主要產(chǎn)品的12英寸集成電路制造生產(chǎn)線。據(jù)悉,廈門12吋芯片生產(chǎn)線的投產(chǎn),進(jìn)一步夯實(shí)了士蘭微電子IDM策略。

而在12吋特色工藝半導(dǎo)體芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目建設(shè)的同時(shí),士蘭微還投資了另一個(gè)重磅工程——士蘭化合物半導(dǎo)體芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目,目前,該項(xiàng)目已在去年底實(shí)現(xiàn)初步投產(chǎn),爭取在今年四季度實(shí)現(xiàn)產(chǎn)能的釋放。

動(dòng)作頻頻的國內(nèi)公司

事實(shí)上,不僅是士蘭微,國內(nèi)的功率半導(dǎo)體廠商也進(jìn)行了一些布局,我們研究了其中一部分上市(or即將上市)的公司。

斯達(dá)半導(dǎo)

如國產(chǎn)龍頭斯達(dá)半導(dǎo),借助制造業(yè)核心零部件國產(chǎn)替代加速推進(jìn)的風(fēng)口,擬布局車規(guī)級(jí)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。

日前,根據(jù)其發(fā)布公告顯示,斯達(dá)半導(dǎo)擬投資2.29億元在嘉興現(xiàn)有廠區(qū)內(nèi)投建全碳化硅模組產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目。據(jù)了解,碳化硅是第三代半導(dǎo)體材料之一,近年來一直被業(yè)內(nèi)視為新能源汽車電機(jī)控制器核心器件IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)的替代品,在新能源汽車電能與動(dòng)能轉(zhuǎn)化過程中的能量損耗更低。

斯達(dá)半導(dǎo)表示,本項(xiàng)目實(shí)施后,將進(jìn)一步提升公司在汽車及全碳化硅功率模組的技術(shù)水平,提高公司供貨能力,為公司進(jìn)一步拓展新能源市場打下基礎(chǔ)。

對(duì)此,華西證券研報(bào)指出,斯達(dá)半導(dǎo)在新能源汽車領(lǐng)域投入了大量的研發(fā)經(jīng)費(fèi),未來仍將募集資金繼續(xù)加大該領(lǐng)域投資,預(yù)判隨著新能源汽車的加速滲透及國產(chǎn)化配套的迫切需求,公司經(jīng)營業(yè)績有望繼續(xù)增長。

斯達(dá)半導(dǎo)成立于2005年,一直以來致力于IGBT芯片和快恢復(fù)二極管芯片的設(shè)計(jì)、工藝及IGBT模塊的設(shè)計(jì)、制造和測試。公司客戶主要分布在新能源、新能源汽車、工業(yè)控制電源、變頻白色家電等行業(yè)。

華潤微電子

華潤微是國內(nèi)半導(dǎo)體IDM龍頭企業(yè),目前擁有2條8吋晶圓生產(chǎn)線,3條6吋產(chǎn)線和一條正在建設(shè)的12吋產(chǎn)線。華潤微的8吋產(chǎn)能主要用于生產(chǎn)功率器件(包括MOSFET、IGBT、二極管等)和功率IC。

今年7月,華潤微6吋SiC生產(chǎn)線宣布量產(chǎn),這是國內(nèi)首條實(shí)現(xiàn)商用量產(chǎn)的6吋碳化硅晶圓生產(chǎn)線,現(xiàn)階段規(guī)劃產(chǎn)能為1000片/月。據(jù)悉,公司基于SiC 6吋專用生產(chǎn)線生產(chǎn)的新產(chǎn)品SiC MOSFET預(yù)計(jì)今年出樣品,明年推向市場,未來的重點(diǎn)發(fā)展方向是工控及汽車電子領(lǐng)域。

今年10月,華潤微募集資金總額不超過50億元人民幣(含本數(shù)),扣除發(fā)行費(fèi)用后擬用于華潤微功率半導(dǎo)體封測基地項(xiàng)目和補(bǔ)充流動(dòng)資金。主要用于封裝測試標(biāo)準(zhǔn)功率半導(dǎo)體產(chǎn)品、先進(jìn)面板級(jí)功率產(chǎn)品、特色功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。

同時(shí),華潤微將拓展芯片外延加工和整合半導(dǎo)體功率器件封裝測試環(huán)節(jié),進(jìn)行先進(jìn)半導(dǎo)體功率器件封裝產(chǎn)線布局。

揚(yáng)杰科技

揚(yáng)杰科技也是本土功率器件市場的一個(gè)重要角色,今年6月份,揚(yáng)杰科技募資15億元,投資半導(dǎo)體芯片封測項(xiàng)目。

同時(shí),揚(yáng)杰科技積極推進(jìn)重點(diǎn)研發(fā)項(xiàng)目的管理實(shí)施?;?英寸工藝的溝槽場終止1200V IGBT芯片系列及對(duì)應(yīng)的模塊產(chǎn)品開始風(fēng)險(xiǎn)量產(chǎn),標(biāo)志著揚(yáng)杰科技在該產(chǎn)品領(lǐng)域取得了重要進(jìn)展。

揚(yáng)杰科技成功開發(fā)并向市場推出了SGTN MOS和SGTP MOS N/P30V~150V等系列產(chǎn)品;持續(xù)優(yōu)化Trench MOS和SGT MOS系列產(chǎn)品性能并擴(kuò)充規(guī)格、品種;快速部署低功耗MOS產(chǎn)品開發(fā)戰(zhàn)略。

另外,揚(yáng)杰科技在碳化硅功率器件等產(chǎn)品研發(fā)方面加大力度,以進(jìn)一步滿足揚(yáng)杰科技后續(xù)戰(zhàn)略發(fā)展需求,為實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體功率器件全系列產(chǎn)品的一站式供應(yīng)奠定堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。

資料顯示,揚(yáng)杰科技成立于2006年,致力于功率半導(dǎo)體芯片及器件制造、集成電路封裝測試等高端領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)發(fā)展,產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于消費(fèi)類電子、安防、工業(yè)控制、汽車電子、新能源等諸多領(lǐng)域。

泰科

2019年,聞泰科技斥巨資拿下了安世半導(dǎo)體,后者曾經(jīng)是NXP的標(biāo)準(zhǔn)件部門,在功率器件領(lǐng)域也擁有不錯(cuò)的表現(xiàn)。

根據(jù)西南證券的報(bào)告顯示,2018年安世半導(dǎo)體全球市占率14%,其中二極管全球第一,邏輯器件全球第二,汽車MOS管全球第二,小信號(hào)MOS管全球第三。其2018年全年生產(chǎn)總量超過1000億顆穩(wěn)居全球第一。尤其是汽車級(jí)MOS管方面,更是安世的核心競爭力所在。

今年8月,聞泰科技先后拋出兩項(xiàng)投資計(jì)劃,包括:總投資100億的無錫ODM智慧超級(jí)工廠及研發(fā)中心和總投資120億的上海臨港12英寸車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體自動(dòng)化晶圓制造中心。

8月19日下午,中國第一座12英寸車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體自動(dòng)化晶圓制造中心項(xiàng)目正式簽約落戶上海臨港。該項(xiàng)目是聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)實(shí)現(xiàn)100億美元戰(zhàn)略目標(biāo)的第一步。

聞泰科技成立于2006年,是成為全球排名前列的通訊和半導(dǎo)體企業(yè),也是手機(jī)ODM(原始設(shè)計(jì)制造)行業(yè)龍頭企業(yè)。自成功收購安世半導(dǎo)體之后,聞泰科技又由手機(jī)ODM龍頭一躍成為了中國最大的功率半導(dǎo)公司。

新潔能

無錫新潔能是功率半導(dǎo)體家族又一新上市公司,同樣是細(xì)分領(lǐng)域國內(nèi)龍頭。2020年9月28日,新潔能正式登陸上交所主板掛牌交易。

新潔能是國內(nèi)功率半導(dǎo)體芯片及器件設(shè)計(jì)龍頭。主營為功率半導(dǎo)體芯片和器件的研發(fā)、設(shè)計(jì)及銷售。公司深耕半導(dǎo)體功率器件行業(yè),是國內(nèi)最早專門從事MOSFET、IGBT研發(fā)設(shè)計(jì)的企業(yè)之一,具備獨(dú)立的芯片設(shè)計(jì)能力和自主工藝流程設(shè)計(jì)平臺(tái)。

據(jù)了解,新潔能將進(jìn)一步拓展 MOSFET產(chǎn)品、重點(diǎn)深化IGBT產(chǎn)品。同時(shí),新潔能將進(jìn)一步拓展芯片加工產(chǎn)業(yè),持續(xù)整合半導(dǎo)體功率器件封裝測試環(huán)節(jié)垂直產(chǎn)業(yè)鏈,掌控先進(jìn)半導(dǎo)體功率器件封裝產(chǎn)線并布局SiC/GaN寬禁帶半導(dǎo)體功率器件,進(jìn)一步強(qiáng)化企業(yè)核心競爭力。

當(dāng)然,除了這些中國功率器件巨頭在今年有新動(dòng)作以外,蘇州固锝、捷捷微和燕東微電子乃至華虹宏力(代工廠)等大大小小的本土供應(yīng)商也都聚焦在這個(gè)市場擴(kuò)張??梢钥隙ǖ氖?,國內(nèi)功率器件市場在未來幾年將會(huì)非常“熱鬧”。

瑞能

瑞能也是國內(nèi)資本收購NXP的半導(dǎo)體功率器件部門建立的。公司在可控硅PFC二極管市場擁有不錯(cuò)的市場地位。其雙極性特色功率線也大大提升了他們的市場表現(xiàn)。他們?cè)赟iC產(chǎn)品線的布局,更是國內(nèi)很多功率器件供應(yīng)商難以比擬的。

8月18日,上交所正式受理了瑞能半導(dǎo)體科技股份有限公司(以下簡稱“瑞能”)的科創(chuàng)板上市申請(qǐng)。

瑞能在研發(fā)層面,不斷在第三代功率半導(dǎo)體加大投入,是國內(nèi)少有的在碳化硅領(lǐng)域形成量產(chǎn)并已大批量銷售的企業(yè),在新的賽道上鎖定了先發(fā)優(yōu)勢(shì)。

瑞能,也是國內(nèi)資本收購NXP的半導(dǎo)體功率器件部門建立的。公司在可控硅和PFC二極管市場擁有不錯(cuò)的市場地位。其雙極性特色功率線也大大提升了他們的市場表現(xiàn)。他們?cè)赟iC產(chǎn)品線的布局,更是國內(nèi)很多功率器件供應(yīng)商難以比擬的。他們也基于此和索尼、松下、戴森、格力和華為等國內(nèi)外知名廠商建立了聯(lián)系。

功率器件市場下的暗流

事實(shí)上,這幾年來,無論是國內(nèi)還是國外,功率器件的廠商都暗流涌動(dòng),這主要與現(xiàn)在市場對(duì)綠色能源需求,特別是他們對(duì)汽車(尤其是新能汽車)的市場看好有莫大的關(guān)系。

根據(jù)資料顯示,功率器件超 400 億美元市場,新能源車是主要增量。據(jù) Yole 數(shù)據(jù),2019 年全球 IGBT、MOSFET 市場合計(jì)近 175 億美元,其中汽車電子相關(guān)需求為 15 億美元, 工業(yè)市場為 11 億美元,計(jì)算及存儲(chǔ)市場達(dá)到 12 億美元,消費(fèi)電子市場則達(dá)到 13 億美元。

2019 年全球功率半導(dǎo)體下游市場情況 資料來源:Yole

我們知道,國際廠商是功率半導(dǎo)體的頭部玩家,他們積累的深厚經(jīng)驗(yàn)和可靠性,讓他們?cè)谶@個(gè)市場建立了國內(nèi)廠商難以跨越的壁壘。這主要與功率器件需要設(shè)計(jì)和工藝配合有莫大的關(guān)系。而回看國內(nèi),目前生產(chǎn)工藝仍然有很大的提升空間。

當(dāng)然,國內(nèi)外正在追逐的GaN和SiC功率器件市場將會(huì)給本土功率器件廠商提供一個(gè)同臺(tái)競技的新機(jī)會(huì)。目前,國際上主要的功率器件公司已經(jīng)對(duì)第三代帶半導(dǎo)體進(jìn)行布局。

例如SiC功率器件產(chǎn)業(yè)化公司主要有美國的Cree、德國英飛凌、日本Rohm、歐洲的意法半導(dǎo)體以及日本三菱等。國內(nèi)主要生產(chǎn)商為華潤微、揚(yáng)杰科技、 士蘭微等傳統(tǒng)功率器件生產(chǎn)商以及泰克天潤、中車時(shí)代、國家電網(wǎng)全球能源研究院等 SiC專業(yè)生產(chǎn)商。

資本也關(guān)注到了這一點(diǎn),半導(dǎo)體行業(yè)觀察結(jié)合公開資料得知,在今年,包括氮矽科技、優(yōu)鎵科技、致瞻科技、超芯星半導(dǎo)體、同光晶體以及瞻芯電子等企業(yè)都獲得了融資。方正證券研報(bào)認(rèn)為,第三代半導(dǎo)體國內(nèi)外差距沒有一、二代半導(dǎo)體明顯。國產(chǎn)廠商有希望追上國外廠商,完成國產(chǎn)替代。

最后值得注意的是,一些廠商開始拓展芯片加工行業(yè),或者正在鞏固自己的IDM模式。這也不難理解,畢竟目前功率半導(dǎo)體市場仍以歐美日為主,他們占據(jù)全球功率半導(dǎo)體70%的市場份額,其中英飛凌、安森美是典型代表。而他們幾乎全部都是IDM模式。

在國內(nèi),士蘭微、揚(yáng)杰科技為代表性的IDM企業(yè),中車時(shí)代電氣及比亞迪也選擇IDM模式生產(chǎn)IGBT,這意味著制造能力建設(shè)是功率半導(dǎo)體企業(yè)走向中高端核心要素。

在巨頭大部分都為IDM的情況下,國內(nèi)廠商想繼續(xù)往前走,做IDM確實(shí)是很好的選擇。但成為IDM需要投入巨大成本建造工廠,這是一個(gè)對(duì)大多數(shù)企業(yè)來說是難以逾越的鴻溝。

說在最后

在今年的功率半導(dǎo)體市場中,國內(nèi)市場多了一些變數(shù),也取得了不少成就。尤其是第三代半導(dǎo)體方面,國家和各地方政府陸續(xù)推出政策和產(chǎn)業(yè)扶持基金發(fā)展第三代半導(dǎo)體相關(guān)產(chǎn)業(yè),我國多家半導(dǎo)體廠商也在積極布局SiC和GaN器件,并逐漸縮小與國際廠商的距離。

在全球功率器件市場中,機(jī)遇與挑戰(zhàn)并存。目前,有些國產(chǎn)廠商已經(jīng)在功率半導(dǎo)體的某些細(xì)分領(lǐng)域中占有一席地位,并能夠與國際廠商相互較量。追趕的路縱使困難重重,國內(nèi)廠商也決不氣餒。

原文標(biāo)題:中國功率器件巨頭的新野心

文章出處:【微信公眾號(hào):半導(dǎo)體芯精英】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

責(zé)任編輯:haq

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 芯片
    +關(guān)注

    關(guān)注

    460

    文章

    52505

    瀏覽量

    440823
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    335

    文章

    28909

    瀏覽量

    237812
  • 功率
    +關(guān)注

    關(guān)注

    14

    文章

    2100

    瀏覽量

    71705

原文標(biāo)題:中國功率器件巨頭的新野心

文章出處:【微信號(hào):ECxinjingying,微信公眾號(hào):半導(dǎo)體芯精英】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    功率半導(dǎo)體器件——理論及應(yīng)用

    本書較全面地講述了現(xiàn)有各類重要功率半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)、基本原理、設(shè)計(jì)原則和應(yīng)用特性,有機(jī)地將功率器件的設(shè)計(jì)、器件中的物理過程和
    發(fā)表于 07-11 14:49

    功率器件電鍍的原理和步驟

    功率半導(dǎo)體制程里,電鍍扮演著舉足輕重的角色,從芯片前端制程到后端封裝,均離不開這一關(guān)鍵工序。目前,我國中高檔功率器件在晶圓背面金屬化方面存在技術(shù)短板,而攻克這些技術(shù)難題的關(guān)鍵在于電鍍
    的頭像 發(fā)表于 06-09 14:52 ?1061次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>電鍍的原理和步驟

    功率器件是什么意思

    功率器件,作為現(xiàn)代電子設(shè)備和系統(tǒng)中的核心組件,扮演著至關(guān)重要的角色。它們不僅能夠承受和控制較大的電流、電壓,還廣泛應(yīng)用于電力系統(tǒng)、工業(yè)控制、電動(dòng)汽車、通信設(shè)備等多個(gè)領(lǐng)域。本文將詳細(xì)探討功率器件
    的頭像 發(fā)表于 02-03 15:25 ?1635次閱讀

    功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)

    功率器件熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC等高功率密度器件可靠運(yùn)行的基礎(chǔ)。掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),不僅有助于提高
    的頭像 發(fā)表于 02-03 14:17 ?749次閱讀

    功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(十二)——功率半導(dǎo)體器件的PCB設(shè)計(jì)

    /前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件
    的頭像 發(fā)表于 01-13 17:36 ?1026次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(十二)——<b class='flag-5'>功率</b>半導(dǎo)體<b class='flag-5'>器件</b>的PCB設(shè)計(jì)

    功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(十一)——功率半導(dǎo)體器件功率端子

    /前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件
    的頭像 發(fā)表于 01-06 17:05 ?789次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(十一)——<b class='flag-5'>功率</b>半導(dǎo)體<b class='flag-5'>器件</b>的<b class='flag-5'>功率</b>端子

    功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(十)——功率半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)函數(shù)

    樣品活動(dòng)進(jìn)行中,掃碼了解詳情/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率
    的頭像 發(fā)表于 12-23 17:31 ?982次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(十)——<b class='flag-5'>功率</b>半導(dǎo)體<b class='flag-5'>器件</b>的結(jié)構(gòu)函數(shù)

    功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(六)——瞬態(tài)熱測量

    功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率,
    的頭像 發(fā)表于 11-26 01:02 ?1493次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(六)——瞬態(tài)熱測量

    細(xì)數(shù)安森美重磅功率器件產(chǎn)品

    由世紀(jì)電源網(wǎng)主辦的“第三屆電源行業(yè)配套品牌頒獎(jiǎng)晚會(huì)”將于2024年12月07日在深圳隆重舉辦。安森美(onsemi)憑借領(lǐng)先的功率器件入圍國際功率器件行業(yè)卓越獎(jiǎng)、
    的頭像 發(fā)表于 11-08 09:32 ?796次閱讀

    功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(一)——功率半導(dǎo)體的熱阻

    功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率,
    的頭像 發(fā)表于 10-22 08:01 ?1726次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(一)——<b class='flag-5'>功率</b>半導(dǎo)體的熱阻

    功率半導(dǎo)體器件測試解決方案

    功率半導(dǎo)體器件是各類電子產(chǎn)品線路中不可或缺的重要組件。近年來,我國功率半導(dǎo)體器件制造企業(yè)通過持續(xù)的引進(jìn)消化吸收再創(chuàng)新以及自主創(chuàng)新,產(chǎn)品技術(shù)含
    的頭像 發(fā)表于 09-12 09:46 ?922次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b>半導(dǎo)體<b class='flag-5'>器件</b>測試解決方案

    碳化硅功率器件的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用

    碳化硅(SiliconCarbide,簡稱SiC)功率器件是近年來電力電子領(lǐng)域的一項(xiàng)革命性技術(shù)。與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比,碳化硅功率
    的頭像 發(fā)表于 09-11 10:44 ?1153次閱讀
    碳化硅<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用

    功率器件功率循環(huán)測試原理詳解

    功率半導(dǎo)體器件,特別是絕緣柵雙極型晶體管(IGBT),在新能源、軌道交通、電動(dòng)汽車、工業(yè)應(yīng)用和家用電器等諸多應(yīng)用中都是不可或缺的核心部件。尤其在新能源電動(dòng)汽車行業(yè)的迅猛崛起下,功率半導(dǎo)體器件
    的頭像 發(fā)表于 08-12 16:31 ?2945次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b><b class='flag-5'>功率</b>循環(huán)測試原理詳解

    碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)和分類

    碳化硅(SiC)功率器件是利用碳化硅材料制造的半導(dǎo)體器件,主要用于高頻、高溫、高壓和高功率的電子應(yīng)用。相比傳統(tǒng)的硅(Si)基功率
    的頭像 發(fā)表于 08-07 16:22 ?1315次閱讀
    碳化硅<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>的優(yōu)勢(shì)和分類

    IGBT功率器件功耗

    IGBT等功率電子器件在工作中,由于自身的功率損耗,將引起IGBT溫度升高。引起功率器件發(fā)熱的原因主要有兩個(gè),一是
    的頭像 發(fā)表于 07-19 11:21 ?1332次閱讀
    IGBT<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>功耗