隨5G、物聯(lián)網(wǎng)、電動(dòng)車蓬勃發(fā)展，對(duì)于低功耗要求越來(lái)越高，功率半導(dǎo)體成為這些產(chǎn)業(yè)勢(shì)不可擋的必備組件。宜特（TWSE： 3289）晶圓后端工藝廠的晶圓減薄能力也隨之精進(jìn)。宜特今（1/6）宣布，晶圓后端工藝廠（竹科二廠），通過(guò)客戶肯定，成功開發(fā)晶圓減薄達(dá)1.5mil（38um）技術(shù)，技術(shù)門坎大突破。同時(shí)，為更專注服務(wù)國(guó)際客戶，即日起成立宜錦股份有限公司（Prosperity Power Technology Inc）。

使用控片測(cè)得2mil、1.5 mil、1.5 mil優(yōu)化條件后的損壞層厚度及TEM分析宜特指出，功率半導(dǎo)體進(jìn)行“減薄”，一直都是改善工藝，使得功率組件實(shí)現(xiàn)“低功耗、低輸入阻抗”最直接有效的方式。晶圓減薄除了有效減少后續(xù)封裝材料體積外，還可因降低RDS（on）（導(dǎo)通阻抗）進(jìn)而減少熱能累積效應(yīng)，以增加芯片的使用壽命。

但如何在減薄工藝中降低晶圓厚度，又同時(shí)兼顧晶圓強(qiáng)度，避免破片率居高不下之風(fēng)險(xiǎn)自晶圓減薄最大的風(fēng)險(xiǎn)。

為解決此風(fēng)險(xiǎn)，iST宜特領(lǐng)先業(yè)界，已完成2mil（50um）、1.5mil（38um），甚至到0.4mil（10um）減薄技術(shù)開發(fā)，iST宜特更藉由特殊的優(yōu)化工藝，在降低晶圓厚度的同時(shí)，也兼顧晶圓強(qiáng)度，可將研磨損傷層（Damage layer）降到最低。

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