300mm晶圓的厚度為775um，200mm晶圓的度為725um，這個(gè)厚度在實(shí)際封裝時(shí)太厚了。前段制程中晶圓要被處理、要在設(shè)備內(nèi)和設(shè)備間傳送，這時(shí)候上面提到的厚度是合適的，可以滿足機(jī)械強(qiáng)度的要求，滿足晶圓的翹曲度的要求。但封裝的時(shí)候則是薄一點(diǎn)更好，所以要處理到100~200um左右的厚度，就要用到減薄工藝。

滿足封裝要求

降低封裝厚度

在電子設(shè)備不斷向小型化、輕薄化發(fā)展的趨勢(shì)下，對(duì)集成電路芯片的厚度有嚴(yán)格限制。通過(guò)減薄晶圓，可以使芯片在封裝后達(dá)到所需的薄型化要求，從而更好地適應(yīng)各種緊湊型電子設(shè)備的設(shè)計(jì)需求，例如智能手機(jī)、平板電腦等。

更薄的芯片可以在同等空間內(nèi)容納更多的電子元件，提高設(shè)備的集成度和性能。

便于封裝工藝

減薄后的晶圓在封裝過(guò)程中更容易進(jìn)行引線鍵合等操作。引線鍵合是將芯片上的電極與封裝引腳連接起來(lái)的重要工藝步驟，晶圓減薄后，電極與引腳之間的距離縮短，使得鍵合線可以更短、更穩(wěn)定，降低了信號(hào)傳輸?shù)难舆t和損耗，提高了芯片的性能和可靠性。

對(duì)于一些先進(jìn)的封裝技術(shù)，如晶圓級(jí)封裝（WLP）和三維封裝（3D Packaging），晶圓減薄是實(shí)現(xiàn)這些封裝技術(shù)的關(guān)鍵步驟之一。這些封裝技術(shù)可以進(jìn)一步提高芯片的集成度和性能，同時(shí)降低成本。

提高散熱性能

增加熱傳導(dǎo)效率

芯片在工作過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生大量的熱量，如果不能及時(shí)有效地散熱，會(huì)導(dǎo)致芯片溫度升高，影響芯片的性能和可靠性。減薄后的晶圓可以減少熱阻，提高熱傳導(dǎo)效率，使芯片產(chǎn)生的熱量能夠更快地散發(fā)出去。

例如，在高功率電子設(shè)備中，如服務(wù)器、顯卡等，散熱問題尤為重要。通過(guò)減薄晶圓，可以有效地降低芯片的工作溫度，提高設(shè)備的穩(wěn)定性和可靠性。

便于散熱設(shè)計(jì)

減薄后的晶圓可以為散熱設(shè)計(jì)提供更多的空間和可能性。例如，可以在芯片背面直接安裝散熱片或采用其他散熱技術(shù)，如熱管、散熱風(fēng)扇等，提高散熱效果。

對(duì)于一些對(duì)散熱要求極高的應(yīng)用領(lǐng)域，如航空航天、軍事等，晶圓減薄是滿足散熱需求的重要手段之一。

降低成本

減少材料消耗

晶圓減薄可以減少芯片制造過(guò)程中的材料消耗。晶圓是由硅等半導(dǎo)體材料制成的，價(jià)格較高。通過(guò)減薄晶圓，可以在相同直徑的晶圓上制造更多的芯片，從而降低每個(gè)芯片的材料成本。

此外，減薄后的晶圓在運(yùn)輸和存儲(chǔ)過(guò)程中也可以節(jié)省空間和成本。

提高生產(chǎn)效率

晶圓減薄可以提高芯片制造的生產(chǎn)效率。在芯片制造過(guò)程中，晶圓的厚度會(huì)影響到一些工藝步驟的時(shí)間和效率。例如，在光刻、刻蝕等工藝中，減薄后的晶圓可以減少光線的散射和反射，提高工藝精度和效率。

同時(shí)，減薄后的晶圓在測(cè)試和封裝過(guò)程中也可以更快地進(jìn)行操作，提高生產(chǎn)效率。