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2021年三星半導(dǎo)體部門設(shè)備投資額有望再創(chuàng)歷史新高

我快閉嘴 ? 來源:eet-china綜合報(bào)道 ? 作者:eet-china綜合報(bào)道 ? 2021-01-11 16:05 ? 次閱讀
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晶圓代工需求夯、加上內(nèi)存需求持續(xù)強(qiáng)勁,傳出南韓三星電子已告知設(shè)備商、今年(2021 年)半導(dǎo)體部門設(shè)備投資額有望續(xù)創(chuàng)歷史新高紀(jì)錄。

日經(jīng)新聞 9 日報(bào)導(dǎo),三星電子半導(dǎo)體部門今年(2021 年)設(shè)備投資額有望首度突破 3 兆日元大關(guān)、將續(xù)創(chuàng)歷史新高紀(jì)錄,主因晶圓代工需求急速擴(kuò)大、加上三星握有全球四成市占率的內(nèi)存需求持續(xù)強(qiáng)勁,讓三星擴(kuò)增投資額,期望在新冠肺炎疫情沖擊下、藉由積極投資搶攻市場。

報(bào)導(dǎo)指出,三星在去年(2020 年)10 月公布的 2020 年半導(dǎo)體設(shè)備投資額(預(yù)估值)為 28.9 兆韓元、將年增 28% 創(chuàng)下歷史新高紀(jì)錄,而據(jù)多家半導(dǎo)體設(shè)備廠商指出,三星在去年底之前告知了 2021 年的下單計(jì)劃,預(yù)估會較 2020 年增加兩到三成。

三星雖稱“具體金額未定”,不過若照上述下單計(jì)劃進(jìn)行的話、今年三星半導(dǎo)體部門設(shè)備投資額很有可能將高達(dá) 35 兆韓元的規(guī)模。

據(jù)報(bào)導(dǎo),三星主要的投資對象為韓國的平澤工廠,該座工廠將部署內(nèi)存和晶圓代工的最先進(jìn)設(shè)備、陸續(xù)擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模。中國的西安工廠也將持續(xù)增產(chǎn) NAND 型閃存(Flash Memory),而正擴(kuò)大廠房用地的美國德州奧斯汀晶圓代工廠也將更新產(chǎn)線。

2020年第1到第3季,三星半導(dǎo)體事業(yè)的營業(yè)利益率高達(dá)27%,遠(yuǎn)高于該公司IT與行動通訊事業(yè)(涵蓋手機(jī))的12%及消費(fèi)電子事業(yè)的8%,而且上季仍保持相同趨勢。

和其他半導(dǎo)體業(yè)者相比,這等獲利能力也同樣突出。例如,韓國SK海力士(SK Hynix)和美國美光科技(Micron)的營業(yè)利益率分別在17%及19%左右。

強(qiáng)勁的現(xiàn)金流使三星能以超越競爭對手的速度進(jìn)行投資,并在市場上升時賺進(jìn)大把營收。能夠盡可能快速接下客戶訂單,也給了三星更多空間和供應(yīng)商協(xié)商價(jià)格與交貨時間。

根據(jù)世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)協(xié)會(WSTS)最新預(yù)測報(bào)告顯示,2021 年全球半導(dǎo)體銷售額預(yù)估將年增 8.4% 至 4,694.03 億美元,將超越 2018 年的 4,687 億美元、創(chuàng)下歷史新高紀(jì)錄。其中,2021 年內(nèi)存(Memory)銷售額預(yù)估將年增 13.3% 至 1,353.11 億美元,成長幅度高于 Logic 的 7.1%、Micro 的 1.0%、Analog 的 8.6%,居芯片(IC)產(chǎn)品之冠。
責(zé)任編輯:tzh

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