2020年，臺(tái)積電和三星這兩大芯片代工商，均把芯片制程工藝提升至5nm，而且更先進(jìn)的3nm制程也在計(jì)劃中，不過(guò)，最近它們好像都遇到了一些麻煩。

近日，產(chǎn)業(yè)鏈方面的最新消息顯示，臺(tái)積電和三星在3nm制程工藝的研發(fā)方面遇到了不同方面的關(guān)鍵技術(shù)瓶頸，研發(fā)進(jìn)度不得不放慢。

據(jù)臺(tái)積電CEO魏哲家在財(cái)報(bào)分析師會(huì)議上透露，臺(tái)積電的3nm制程工藝仍將會(huì)采用成熟的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管技術(shù)（FinFET）。而三星在3nm制程工藝方面將會(huì)采用環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)（GAA）。

不過(guò)，目前還不能確認(rèn)臺(tái)積電和三星在3nm制程工藝研發(fā)過(guò)程中遇到什么樣的瓶頸，到底會(huì)對(duì)研發(fā)的進(jìn)程造成怎樣的影響。

但是，臺(tái)積電可能是由于“缺電”的原因，造成進(jìn)程受阻。數(shù)據(jù)顯示，先進(jìn)制程機(jī)臺(tái)用電量占臺(tái)積電公司能源使用50%以上，同時(shí)考慮先進(jìn)制程機(jī)臺(tái)數(shù)量逐年增加，臺(tái)積電對(duì)于電能的消耗將進(jìn)一步快速增長(zhǎng)。

而對(duì)于臺(tái)積電3nm工藝的產(chǎn)能，此前有報(bào)道稱其準(zhǔn)備了四波產(chǎn)能，第一步中大部分將留給多年的大客戶蘋(píng)果，后三波產(chǎn)能將會(huì)被高通、AMD、Intel等廠商預(yù)定。
責(zé)任編輯:pj