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三星電子有望首次向其半導(dǎo)體業(yè)務(wù)投資超過(guò)300億美元

中國(guó)半導(dǎo)體論壇 ? 來(lái)源:中國(guó)半導(dǎo)體論壇 ? 作者:中國(guó)半導(dǎo)體論壇 ? 2021-01-17 10:01 ? 次閱讀
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1月14日消息,據(jù)日經(jīng)新聞,三星電子今年有望首次向其半導(dǎo)體業(yè)務(wù)投資超過(guò)300億美元,以穩(wěn)定其內(nèi)存芯片的產(chǎn)能并擴(kuò)大其代工業(yè)務(wù)!

報(bào)導(dǎo)指出,三星在去年(2020 年)10 月公布的 2020 年半導(dǎo)體設(shè)備投資額(預(yù)估值)為 28.9 兆韓元、將年增 28% 創(chuàng)下歷史新高紀(jì)錄,而據(jù)多家半導(dǎo)體設(shè)備廠商指出,三星在去年底之前告知了 2021 年的下單計(jì)劃,預(yù)估會(huì)較 2020 年增加兩到三成。

三星雖稱(chēng)“具體金額未定”,不過(guò)若照上述下單計(jì)劃進(jìn)行的話(huà)、今年三星半導(dǎo)體部門(mén)設(shè)備投資額很有可能將高達(dá) 35 兆韓元的規(guī)模。

據(jù)報(bào)導(dǎo),三星主要的投資對(duì)象為韓國(guó)的平澤工廠,該座工廠將部署內(nèi)存和晶圓代工的最先進(jìn)設(shè)備、陸續(xù)擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模。中國(guó)的西安工廠也將持續(xù)增產(chǎn) NAND 型閃存(Flash Memory),而正擴(kuò)大廠房用地的美國(guó)德州奧斯汀晶圓代工廠也將更新產(chǎn)線(xiàn)。

2020年第1到第3季,三星半導(dǎo)體事業(yè)的營(yíng)業(yè)利益率高達(dá)27%,遠(yuǎn)高于該公司IT與行動(dòng)通訊事業(yè)(涵蓋手機(jī))的12%及消費(fèi)電子事業(yè)的8%,而且上季仍保持相同趨勢(shì)。

和其他半導(dǎo)體業(yè)者相比,這等獲利能力也同樣突出。例如,韓國(guó)SK海力士(SK Hynix)和美國(guó)美光科技(Micron)的營(yíng)業(yè)利益率分別在17%及19%左右。

強(qiáng)勁的現(xiàn)金流使三星能以超越競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的速度進(jìn)行投資,并在市場(chǎng)上升時(shí)賺進(jìn)大把營(yíng)收。能夠盡可能快速接下客戶(hù)訂單,也給了三星更多空間和供應(yīng)商協(xié)商價(jià)格與交貨時(shí)間。

根據(jù)世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)協(xié)會(huì)(WSTS)最新預(yù)測(cè)報(bào)告顯示,2021 年全球半導(dǎo)體銷(xiāo)售額預(yù)估將年增 8.4% 至 4,694.03 億美元,將超越 2018 年的 4,687 億美元、創(chuàng)下歷史新高紀(jì)錄。其中,2021 年內(nèi)存(Memory)銷(xiāo)售額預(yù)估將年增 13.3% 至 1,353.11 億美元,成長(zhǎng)幅度高于 Logic 的 7.1%、Micro 的 1.0%、Analog 的 8.6%,居芯片(IC)產(chǎn)品之冠。

責(zé)任編輯:lq

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原文標(biāo)題:三星計(jì)劃2021年向半導(dǎo)體領(lǐng)域投資300億美元

文章出處:【微信號(hào):CSF211ic,微信公眾號(hào):中國(guó)半導(dǎo)體論壇】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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