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預(yù)計2020年中國存儲芯片市場規(guī)模將突破3000億元

牽手一起夢 ? 來源:前瞻產(chǎn)業(yè)研究院 ? 作者:前瞻產(chǎn)業(yè)研究院 ? 2021-02-04 18:40 ? 次閱讀
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在國家大力支持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的大背景下,中國半導(dǎo)體存儲器基地于2016年開工建設(shè)。半導(dǎo)體行業(yè)迅速發(fā)展推動中國存儲芯片應(yīng)用場景不斷拓寬。當(dāng)前中國存儲芯片在各領(lǐng)域的應(yīng)用處于起步發(fā)展階段,可成熟應(yīng)用各相關(guān)存儲芯片產(chǎn)品的企業(yè)數(shù)量稀少,全球DRAM、NOR Flash、NAND Flash市場被韓國、日本、美國企業(yè)所占據(jù)。

行業(yè)起步較晚,技術(shù)基礎(chǔ)薄弱

中國存儲芯片發(fā)展較晚,2016年以前行業(yè)幾乎沒有生產(chǎn)能力,存儲芯片極度依賴于進(jìn)口。面對國外企業(yè)在存儲芯片行業(yè)所擁有的壟斷優(yōu)勢,近年來中國開始在存儲芯片行業(yè)投入巨資,目前中國主要有長江存儲、合肥長鑫、福建晉華等存儲芯片企業(yè)介入這個行業(yè),經(jīng)過數(shù)年的發(fā)展,它們開始逐漸取得一些成績。

目前中國大陸地區(qū)的企業(yè)在相關(guān)領(lǐng)域內(nèi)的市場份額仍然較低,通過國家政府層面的大規(guī)模投資有機(jī)會快速切入相關(guān)領(lǐng)域,也是芯片國產(chǎn)化之路邁出的可靠而重要的一步。

預(yù)計2020年中國存儲芯片市場規(guī)模將突破3000億元

存儲芯片行業(yè)屬于技術(shù)密集型產(chǎn)業(yè),中國存儲芯片行業(yè)起步晚,缺乏技術(shù)經(jīng)驗累積。雖然中國本土長江存儲、合肥長鑫和福州晉華三大存儲芯片企業(yè)已逐步完善NAND和DRAM產(chǎn)業(yè)布局,但各家存儲芯片產(chǎn)品仍處于投產(chǎn)初期,尚未實現(xiàn)產(chǎn)品的規(guī)模量產(chǎn)。與國外存儲芯片制造商相比,中國存儲芯片技術(shù)基礎(chǔ)薄弱,此為制約行業(yè)發(fā)展的主要因素。

以3D NAND存儲器為例,三星、海力士通過不斷研發(fā)創(chuàng)新,改善數(shù)據(jù)存儲單元結(jié)構(gòu)增加單位存儲容量,均已研發(fā)和生產(chǎn)出176層3DNAND。長江存儲2020年推出128層QLC 3D NAND閃存,可見,與國外領(lǐng)先的3D NAND企業(yè)相比,中國長江存儲技術(shù)與國外企業(yè)仍存在差距,中國3D NAND技術(shù)基礎(chǔ)較為薄弱。

圖表2:中外存儲芯片行業(yè)技術(shù)對比

市場波動上升,NAND Flash和DRAM為主要產(chǎn)品

在“互聯(lián)網(wǎng)+”的背景下,智能手機(jī)功能逐漸多樣化,覆蓋眾多應(yīng)用領(lǐng)域,促使市場對智能手機(jī)的存儲空間要求不斷提高以滿足消費者對移動互聯(lián)網(wǎng)的使用體驗。2016年后,中國智能手機(jī)等消費電子應(yīng)用市場迅速擴(kuò)張促進(jìn)了存儲芯片市場需求快速釋放。

2014-2019年,中國存儲芯片市場規(guī)模由1274億元增長至2697億元,年均復(fù)合增長率達(dá)到16.18%,預(yù)計2020年市場規(guī)模將突破3000億元。

圖表3:2014-2020年中國存儲芯片市場規(guī)模增長情況(單位:億元,%)

目前存儲芯片市場以NAND Flash和DRAM為主。2019年,中國NAND Flash產(chǎn)品銷售額占總市場規(guī)模比重約為42%,占全球NAND Flash市場銷售額37%;2019年中國DRAM產(chǎn)品銷售額占總市場規(guī)模比重約為55%,占全球DRAM市場34%。

圖表4:2019年中國存儲芯片產(chǎn)品結(jié)構(gòu)(單位:%)

市場由國外企業(yè)壟斷,國內(nèi)廠商奮力追趕

存儲芯片是一個高度壟斷的市場,三星、SK海力士、美光,合計占據(jù)全球DRAM市場95%左右的份額,NAND Flash經(jīng)過幾十年的發(fā)展,已經(jīng)形成了由三星、鎧俠、西部數(shù)據(jù)、美光、SK海力士、英特爾六大原廠組成的穩(wěn)定市場格局。

從中國存儲芯片行業(yè)競爭格局來看,市場主要由國外存儲芯片巨頭領(lǐng)導(dǎo),細(xì)分領(lǐng)域也落后于國外及臺灣廠商(如NOR Flash的旺宏/華邦等),但近年來國內(nèi)廠商奮力追趕,已在部分領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破,逐步縮小與國外原廠的差距。

其中,兆易創(chuàng)新位列NOR Flash市場前三,聚辰股份在EEPROM芯片領(lǐng)域市占率全球第三,長江存儲128層3DNAND存儲芯片,直接跳過96層,加速趕超國外廠商先進(jìn)技術(shù)。值得注意的是,兆易創(chuàng)新集團(tuán)旗下還包含長鑫存儲(CXMT),意味著兆易創(chuàng)新集團(tuán)同時握有中國NOR Flash與DRAM的自主研發(fā)能力,扮演中國半導(dǎo)體發(fā)展的重要角色。

圖表5:中國存儲芯片市場廠商競爭力象限分析圖

責(zé)任編輯:gt

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