近幾十年來(lái)，作為閃存的潛在替代品，許多新興的內(nèi)存技術(shù)被開(kāi)發(fā)出來(lái)。閃存的制程難以擴(kuò)展到 40nm以下。據(jù)Yole估計(jì)，在這十年的上半期，相變存儲(chǔ)器（PCM）、磁RAM（MRAM）和電阻RAM（ReRAM）將在市場(chǎng)上產(chǎn)生重大影響，其制程為22nm，幾何形狀更精細(xì)。

還有其他形式的新興NVM - 如鐵電 RAM、CeRAM和基于碳納米管的存儲(chǔ)器 - 但這些預(yù)期不會(huì)在 Yole 預(yù)測(cè)的期間進(jìn)入任何重要的市場(chǎng)。

嵌入式 NVM 市場(chǎng)將取得最大的成功，在 2020 至 2026 年，復(fù)合年增長(zhǎng)率為 110%。這將使市場(chǎng)從2020年的2600萬(wàn)美元增長(zhǎng)到2026年的23億美元。MRAM 在 22nm 的領(lǐng)先制造商臺(tái)積電和格芯的產(chǎn)品中已經(jīng)處于領(lǐng)先地位，三星的產(chǎn)品為 28nm。UMC 和英特爾正在開(kāi)發(fā)嵌入式 MRAM。

到 2026 年，MRAM 將提高其在嵌入式 NVM 市場(chǎng)的持有率，達(dá)到 76%，而 PCM 將只占該市場(chǎng)的 2%。ST微電子在汽車(chē)中的 NVM 應(yīng)用正在得到支持。

獨(dú)立 NVM 市場(chǎng)已經(jīng)比嵌入式 NVM 市場(chǎng)大，但增長(zhǎng)速度會(huì)變慢。從2020年的5.95億美元增長(zhǎng)到2026年的33億美元左右，復(fù)合年均增長(zhǎng)率為33%。

在這一領(lǐng)域，PCM 已經(jīng)以 90% 的市場(chǎng)份額占據(jù)主導(dǎo)地位，這要?dú)w功于英特爾與服務(wù)器 CPU 捆綁銷(xiāo)售的 3D XPoint 產(chǎn)品。一些人認(rèn)為英特爾正在出售這些存儲(chǔ)業(yè)務(wù)。在未來(lái)五年內(nèi)，MRAM 和 ReRAM 只會(huì)逐漸從 PCM 中獲得更多市場(chǎng)份額。

獨(dú)立的新興 NVM 市場(chǎng)將驅(qū)動(dòng)低延遲存儲(chǔ)和持久內(nèi)存。英特爾推出了使用 3D XPoint 制造的固態(tài)硬盤(pán)，其中包括奧爾德流固態(tài)硬盤(pán)。這是第一個(gè)使用具有四個(gè)堆疊 PCM 層的第二代 3D XPoint 產(chǎn)品。

用于低延遲存儲(chǔ)的 STT-MRAM 芯片的銷(xiāo)售“坡道”比預(yù)期要長(zhǎng)。Yole說(shuō)，基于 ReRAM 的固態(tài)硬盤(pán)可能會(huì)基于下一代協(xié)議（如 CXL 和 Gen-Z）推出，但這些協(xié)議尚未成熟。

Yole 對(duì)新興 NVM 的熱情是基于過(guò)去 12 個(gè)月的數(shù)據(jù)得出的。

索尼推出了GPS芯片，包括三星使用28nm FDSOI制程工藝為其制造的嵌入式MMAM。Yole說(shuō)，這些設(shè)計(jì)已經(jīng)用于華為智能手表。安比克在臺(tái)積電22nmULL上推出了低功耗MMAM MCU。許多基于 eMRAM 的設(shè)備將在 2021 年進(jìn)入批量生產(chǎn)，包括 GreenWave 的 AI 處理器，這些處理器使用 Globalfoundries 的 eMRAM技術(shù)制造（22nm FDSOI）。

2020 年，采用嵌入式 RRAM （eRRAM） 的產(chǎn)品也進(jìn)入市場(chǎng)，Nuvoton 推出了具有 40nm OxRAM 的 IC 設(shè)備，用于安全應(yīng)用。Nuvoton技術(shù)公司于2020年以2.5億美元收購(gòu)了松下公司的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。松下已經(jīng)在市場(chǎng)上擁有40nm的產(chǎn)品，并已經(jīng)與UMC合作進(jìn)行制造。
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