臺積電董事長劉德音近日受邀于2021年國際固態(tài)電路會議（ISSCC 2021）開場線上專題演說時指出，臺積電3nm制程依計劃推進(jìn)，甚至比預(yù)期還超前了一些。3nm及未來主要制程節(jié)點(diǎn)將如期推出并進(jìn)入生產(chǎn)。臺積電3nm制程預(yù)計今年下半年試產(chǎn)，明年下半年進(jìn)入量產(chǎn)。

劉德音指出半導(dǎo)體制程微縮腳步并未減緩，摩爾定律仍然有效，臺積電3nm比預(yù)期進(jìn)度超前，至于2nm之后的電晶體架構(gòu)將轉(zhuǎn)向環(huán)繞閘極（GAA）的nm片（nano-sheet）架構(gòu)，而極紫外光（EUV）技術(shù)可支持到1nm。

臺積電2020年推出5nm制程并進(jìn)入量產(chǎn)，與7nm相較，邏輯密度提升1.83倍，運(yùn)算速度增加13％，運(yùn)算功耗下降21％。臺積電預(yù)計2022年推出3nm制程，與5nm相較邏輯密度提升1.7倍，運(yùn)算速度提升11％且運(yùn)算功耗可減少27％。

臺積電日前宣布將在日本成立研發(fā)中心擴(kuò)展3D IC材料研究，劉德音也提及臺積電在新材料上的技術(shù)創(chuàng)新，包括六方氮化硼（hBN）已接近實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。他強(qiáng)調(diào)，系統(tǒng)整合是半導(dǎo)體未來發(fā)展方向，Chiplet（小芯片）是能讓技術(shù)朝向正確方向發(fā)展的關(guān)鍵，而臺積電的SoIC先進(jìn)封裝技術(shù)可實(shí)現(xiàn)3D芯片堆迭。
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