晶閘管（SCR）是一種半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件。早在1956年，Moll等人就發(fā)表了這種開(kāi)關(guān)器件的理論基礎(chǔ)。盡管低功率器件在當(dāng)代開(kāi)關(guān)領(lǐng)域已基本銷聲匿跡，并被高壓雙極結(jié)型晶體管（BJT）、金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）及絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）等所取代，但它們?cè)谡淄呒?jí)開(kāi)關(guān)器件領(lǐng)域仍無(wú)可替代，例如2kA、1.2kV的SCR就被應(yīng)用于機(jī)車驅(qū)動(dòng)器中，或用來(lái)控制鋁材生產(chǎn)廠中的電爐等。

SCR是一種具有如圖1a所示的晶體管等效電路的四層半導(dǎo)體器件。

圖1：一個(gè)基本的SCR類結(jié)構(gòu)（a），獲得一定值的門極電流和維持電流（b），以及大幅改進(jìn)的耐瞬變電壓性能，從而有效防止陽(yáng)極電壓陡增引起的意外導(dǎo)通（c）。

該器件一開(kāi)始處于關(guān)斷狀態(tài)，在正向電流脈沖饋入門極1后，這個(gè)位于陽(yáng)極和陰極之間的四層結(jié)構(gòu)被導(dǎo)通，并且不再需要門極電流。此處還可以使用Q2基極導(dǎo)通SCR，但是單片SCR通常只有針對(duì)陰極的門極。

在一個(gè)更貼近實(shí)際的晶體管模型中，PNP和NPN晶體管都帶有基極發(fā)射極電阻（如圖1b所示）。因而避免了由Q1和Q2的漏電流而引起的意外導(dǎo)通，并且門極電流具有如下的限定值：

SCR普遍存在的一個(gè)不足是：如果陽(yáng)極電壓上升時(shí)間超過(guò)臨界速率，即使門極電流為零，SCR也會(huì)導(dǎo)通。此時(shí)的陽(yáng)極電壓稱為換相電壓，當(dāng)陽(yáng)極電流歸零并降至維持水平以下時(shí)，在感性負(fù)載切換過(guò)程中會(huì)出現(xiàn)換相電壓。電感中聚集的能量容易導(dǎo)致陽(yáng)極電壓陡然升高。此外，當(dāng)利用至少由兩只以上以模擬多路開(kāi)關(guān)形式連接的SCR對(duì)阻性負(fù)載進(jìn)行切換時(shí)，其中一只SCR被導(dǎo)通并使另一只SCR陽(yáng)極電壓陡然升高，此時(shí)也會(huì)出現(xiàn)換相電壓。

圖1b所示電路中，換相電壓斜率臨界值為：

其中，VBE0約為0.7V（硅晶體管導(dǎo)通的典型電壓），CCB01和CCB02為晶體管Q1和Q2的集電極至基極電容量。由于這些電容值會(huì)隨著發(fā)射極至集電極電壓的升高而降低，在方程式（1）中必須使用這些電容的最大值。針對(duì)圖2中所使用的晶體管，可估計(jì)CCB01+CCB02＜20pF。由RB1=RB2=6.8kΩ，可知SVcrit≈5V/μs。與單片SCR的換相電壓斜率臨界值（通常約等于100V/μs）相比較，圖2中SVcrit值相當(dāng)?shù)?。雖然降低電阻器RB1和RB2的電阻值有所幫助，但這樣會(huì)影響門極靈敏度（圖1b中電路可以做得非常靈敏，只需要100μA左右的門極電流即可—相當(dāng)于低功率單片SCR典型值的十分之一）。

圖2：增加兩個(gè)電容值為1nF的SMD陶瓷電容器后，可以在ΔV達(dá)到10V的情況下防止導(dǎo)通。

圖1c顯示了在保持低門極導(dǎo)通電流的同時(shí)增加換相電壓臨界斜率的方法。通過(guò)將電容器C與NPN及PNP晶體管的基極發(fā)射極結(jié)并聯(lián)，理論上可以得出無(wú)窮大的斜率值。電容器C的值為：

此處，為簡(jiǎn)單起見(jiàn)，假設(shè)陽(yáng)極電壓呈線性升高，而△V為其升高的幅度。由所用晶體管基極電流允許的最大值可以得出實(shí)際的換相電壓斜率臨界值：

假設(shè)IBmax=200mA，則通過(guò)方程式（3）可以得出SVcrit的實(shí)際值，即SVcrit≈100kV/μs。

在實(shí)驗(yàn)中，圖2中的2N4036 PNP晶體管因其切換魯棒性而被采用，其基極電流最大值為500mA，而集電極電流最大值則為1A。在圖2中，使分立式SCR的陽(yáng)極電壓陡然發(fā)生改變（在30ns內(nèi)使△V達(dá)到9V或使SVcrit達(dá)到300V/μs）后，未觀察到導(dǎo)通現(xiàn)象。

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