Micro LED顯示被譽為次世代的顯示技術(shù)，它與LCD，OLED等顯示技術(shù)相比，在功耗、使用壽命、亮度、對比度等指標上有明顯優(yōu)勢。簡而言之，Micro LED顯示技術(shù)是目前最完美的顯示技術(shù)之一。

顯示技術(shù)的比較

圖源：高工LED

回顧顯示行業(yè)發(fā)展史，存在明顯的木桶效應，Micro LED行業(yè)需警惕！ 從供給-需求側(cè)角度來看，回顧顯示行業(yè)發(fā)展歷程，我們會發(fā)現(xiàn)“技術(shù)進步為顯示產(chǎn)業(yè)發(fā)展帶來諸多可能性”，但是“下游市場的需求才是真正推動行業(yè)快速發(fā)展的最重要因素”。

顯示技術(shù)生命周期 首先是早期的CRT技術(shù)。CRT（陰極射線管）技術(shù)具有低成本高畫質(zhì)的特點，而且耐用性不錯，但是CRT顯示產(chǎn)品體積大、笨重，無法做成輕薄型產(chǎn)品，所以僅僅在TV市場“曇花一現(xiàn)”。但是下游市場的需求是不斷小型化、輕便化，所以CRT無法適應手機、PC移動互聯(lián)時代，自然而然就退出了歷史舞臺。

CRT顯示器 圖源：中關(guān)村在線 CRT技術(shù)之后，出現(xiàn)了PDP（等離子體顯示）技術(shù)。PDP電視具有薄、大尺寸和良好畫質(zhì)等特點，但是因為PDP技術(shù)只掌握在日本少數(shù)幾個廠家手里，產(chǎn)業(yè)鏈封閉，影響了技術(shù)升級，PDP電視耗電量高、生產(chǎn)成本高、像素精細化困難、尺寸單一等缺點并未很好的改善，因此PDP技術(shù)并未進入主流市場。 與PDP技術(shù)同時期的是LCD（液晶）技術(shù)，與CRT產(chǎn)品相比，LCD產(chǎn)品耗電量更低，而且能夠?qū)崿F(xiàn)輕薄化，最關(guān)鍵的是隨著技術(shù)越來越成熟，LCD產(chǎn)品成本非常低廉。另外，與PDP電視相比，LCD電視尺寸覆蓋面更全，而PDP電視尺寸單一，加上LCD技術(shù)更加開放，產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同發(fā)展，LCD技術(shù)成為了過去主流的顯示技術(shù)。迄今為止，在對畫質(zhì)性能要求不苛刻的細分市場，譬如消費級電視機，LCD仍占據(jù)主導地位；但是對于小尺寸超高清應用，譬如手機等，LCD畫質(zhì)性能還有待提升空間。 隨著下游市場對小型化、柔性、高清等需求日益頻繁，OLED突出重圍，但是OLED產(chǎn)品PWM技術(shù)帶來的閃屏現(xiàn)象對人眼觀看舒適度以及OLED顯示產(chǎn)品壽命產(chǎn)生了較大影響，加上下游市場不斷產(chǎn)生8K超高清、超大屏顯示、透明顯示、柔性顯示、低功耗等需求，Micro LED顯示技術(shù)以及其過渡技術(shù)（Mini LED顯示技術(shù)）逐漸進入市場。 回顧顯示行業(yè)發(fā)展的歷程，沒有任何技術(shù)能夠永葆青春，“適者生存，不適者淘汰”是亙古不變的哲理。對于Micro LED從業(yè)者而言，我們要警惕出現(xiàn)“木桶理論”中的“短板決定儲水量”情況。

Micro LED行業(yè)當前短板明顯成本和良率是兩座大山 雖然Micro LED行業(yè)備受關(guān)注，但是目前Micro LED技術(shù)尚不成熟，最大的瓶頸在成本和良率，這也是影響Micro LED顯示技術(shù)大規(guī)模商用化的最大因素。一提到良率和成本，人們往往聯(lián)想到巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)，但是“轉(zhuǎn)移不知道好壞的Micro LEDs，是沒有意義的”。如果轉(zhuǎn)移之前不先剔除不良芯片，相當于不良芯片也會經(jīng)歷后續(xù)生產(chǎn)過程，這無疑增加了巨大成本。另外，良率的計算是建立在穩(wěn)定可靠的檢測技術(shù)上的。沒有高重復性的檢測設(shè)備，計算良率是沒有意義的。所以巨量檢測技術(shù)同樣需要得到行業(yè)的重視和關(guān)注。 Micro LED行業(yè)本質(zhì)上是IC、Display和LED行業(yè)的交叉行業(yè)，因此檢測技術(shù)可以相互借鑒，但是又不完全相同。Micro LED COW wafer上有百萬甚至千萬顆晶粒，Micro LED COW wafer檢測速度無法達到IC領(lǐng)域Bare Wafer Inspection幾秒鐘1片的檢測速度，而且傳統(tǒng)的自動光學檢測類設(shè)備只能檢查外觀缺陷，但是實際上不同廠家允收標準各有不同，有些廠家認為存在少量不影響發(fā)光質(zhì)量的particle是符合允收標準的，所以僅靠AOI類設(shè)備完成Micro LED巨量檢測是不現(xiàn)實的，但是對于早期研發(fā)階段，AOI類設(shè)備確實有很大幫助。對于LED行業(yè)而言，電致發(fā)光檢測方法因為可以測量工作狀態(tài)下LED的光學參數(shù)（WLD，色坐標等等）和電學參數(shù)（VF1，IR等），往往被當作金標準。 但是Micro LED wafer上晶粒太多了，如果逐顆點亮所有晶粒，需要花幾十年的時間，因此電致發(fā)光檢測設(shè)備無法實現(xiàn)100%檢測；即使采用探針組，也會受困于高昂的探針耗材成本、仍然很長的檢測時間以及復雜的校準過程；此外，探針組式的并聯(lián)EL設(shè)備，無法測量單顆Micro LED的光譜，這也給品質(zhì)判定帶來困難。整體而言，Micro LED并沒有一款成熟的巨量檢測方案。

濱松MicroLED巨量檢測設(shè)備解決行業(yè)巨量檢測煩惱 濱松針對行業(yè)痛點，發(fā)布了一款無損、無接觸式、高穩(wěn)定性、快速巨量檢測設(shè)備MiNYTMPL。MiNYTM PL利用半導體材料的光致發(fā)光現(xiàn)象，對Micro LED材料缺陷進行全自動檢測，一次性可以完成整片晶圓上所有Micro LED晶粒的發(fā)光強度和波長測量，通過與設(shè)定閾值作比較，可以判斷每顆晶粒的好壞。 MiNYTM PL具備全自動輸出每一顆晶粒的亮度、波長、好壞信息，以及不良晶粒的外觀圖像的功能，并且可以方便地與巨量轉(zhuǎn)移設(shè)備、修復設(shè)備等其他設(shè)備配合使用，從而提高Micro LED wafer/chip、display產(chǎn)品的良率。與其它Micro LED檢測設(shè)備相比，MiNYTM PL有如下優(yōu)勢：業(yè)界領(lǐng)先的穩(wěn)定性（重復性）、可以同時測量波長和亮度、成像式光致發(fā)光檢測、可與EL設(shè)備結(jié)果進行匹配、可實現(xiàn)整片晶圓的檢測（圓形、方形）、業(yè)界領(lǐng)先的檢測速度等特點。此外，MiNYTM PL也同樣適用于顯示端的制造過程。

濱松Micro LED巨量檢測設(shè)備MiNYTM PL 為了方便研究人員對單顆Micro LED器件的光學特性、電學特性進行深入研究，濱松推出了Micro LED電致發(fā)光（EL）檢測設(shè)備μMLS-2000。μMLS-2000采用die to die方式逐一檢測Micro LED的電學特性（如VF1、VF2、IR等）和光學特性（WLD、Cx、Cy、Cd/m2等），能夠幫助Micro LED技術(shù)早日從實驗室走入量產(chǎn)線。

Micro LED電致發(fā)光檢測設(shè)備 對于Micro LED顯示產(chǎn)品，驅(qū)動電路漏電將導致顯示產(chǎn)品發(fā)生故障，甚至可能出現(xiàn)損壞。實際上漏電現(xiàn)象是集成電路領(lǐng)域經(jīng)常出現(xiàn)的故障之一，漏電往往是因為結(jié)構(gòu)或者材料異常所致。 濱松在集成電路領(lǐng)域有超過30年的電性失效分析經(jīng)驗，PHEMOS系列EMMI顯微鏡在電性失效分析領(lǐng)域具有極高的市場占有率。（未來我們將單獨介紹PHEMOS系列EMMI顯微鏡產(chǎn)品）。過去我們采用PHEMOS產(chǎn)品對邏輯電路、存儲芯片、功率器件等芯片進行缺陷快速定位，現(xiàn)在我們發(fā)現(xiàn)MicroLED顯示產(chǎn)品可以采用類似的方案，實現(xiàn)快速質(zhì)檢，這位Micro LED顯示制造失效分析打開了大門。

用于芯片失效分析的PHEMOS系列EMMI顯微鏡

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