基本半導體TO-252封裝B1D04065E型號碳化硅肖特基二極管已在PD行業(yè)批量應用，此次新推出的SMBF封裝B2D04065V產(chǎn)品與之相比具有更低的正向?qū)妷海▍⒁姳?）。值得注意的是，B1D04065E為基本半導體第一代碳化硅二極管產(chǎn)品，B2D04065V為第二代碳化硅二極管，其主要改進點是采用了襯底減薄工藝，使二極管的VF顯著下降。

表2：B1D04065E和B2D04065V導通壓降對比 B1D04065E： △VF（Tj=150℃- Tj=25℃ ）=0.25V； B2D04065V： △VF（Tj=150℃- Tj=25℃ ）=0.20V； 通過對比SMBF和TO-252的△VF ，△VF –SMBF》△VF –TO-252 ，B2D04065V的VF和Tj的依賴性更好，高溫下的導通損耗更低。

圖3：IF VS. VF特性圖

高浪涌電流能力IFSM

在PFC電路中，升壓二極管需要應對電網(wǎng)接入瞬間的電流沖擊。全球電網(wǎng)工頻主要采用50Hz和60Hz，以50Hz工頻電網(wǎng)為例，其一個周期內(nèi)半波脈寬為10ms，器件應用在50Hz電網(wǎng)對應的PFC電路中時，需要標定10ms正弦波浪涌電流能力IFSM，而應用在60Hz電網(wǎng)對應的PFC電路中時，需要標定8.3ms正弦波浪涌電流能力。

圖4：PFC電路升壓二極管浪涌沖擊示意圖

設(shè)備接入電網(wǎng)瞬間，PFC升壓電流中的濾波電容近似短路，電網(wǎng)電壓接入后，會形成上圖中的紅色電流路徑（路徑之一）；

沖擊電流的大小同電壓接入的時間點有直接關(guān)聯(lián)；

當設(shè)備接入電網(wǎng)時，二極管開始承受沖擊電流，在正弦波波峰承受的沖擊電流最大。

表3：B1D04065E和B2D04065V浪涌電流能力IFSM對比

基本半導體首款基于SMBF封裝650V 4A的碳化硅肖特基二極管已經(jīng)面世，650V系列將逐步推出2-6A規(guī)格產(chǎn)品。

基本半導體掌握國際領(lǐng)先的碳化硅核心技術(shù)，研發(fā)覆蓋碳化硅功率器件的材料制備、芯片設(shè)計、晶圓制造、封裝測試、驅(qū)動應用等全產(chǎn)業(yè)鏈，先后推出全電流電壓等級碳化硅肖特基二極管、通過工業(yè)級可靠性測試的1200V碳化硅MOSFET、車規(guī)級全碳化硅功率模塊等系列產(chǎn)品，性能達到國際先進水平。其中650V碳化硅肖特基二極管產(chǎn)品已通過AEC-Q101可靠性測試，其他同平臺產(chǎn)品也將逐步完成該項測試。

基本半導體碳化硅功率器件產(chǎn)品被廣泛應用于新能源、電動汽車、智能電網(wǎng)、軌道交通、工業(yè)控制、國防軍工及消費電子領(lǐng)域。

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