一区二区三区三上|欧美在线视频五区|国产午夜无码在线观看视频|亚洲国产裸体网站|无码成年人影视|亚洲AV亚洲AV|成人开心激情五月|欧美性爱内射视频|超碰人人干人人上|一区二区无码三区亚洲人区久久精品

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

半導(dǎo)體硅單晶生長設(shè)備取得突破

lC49_半導(dǎo)體 ? 來源:半導(dǎo)體行業(yè)觀察 ? 作者:半導(dǎo)體行業(yè)觀察 ? 2021-05-18 10:36 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

昨天,中國本土又一重要的晶圓廠,即聞泰科技12英寸車用級半導(dǎo)體晶圓制造中心項目于上海臨港新片區(qū)開工,該項目總投資達(dá)120億元人民幣。自從收購安世半導(dǎo)體(Nexperia)以來,聞泰科技就積極在半導(dǎo)體領(lǐng)域擴張,不只是其擅長的手機業(yè)務(wù),聞泰在車用半導(dǎo)體領(lǐng)域也是動作頻頻。

對于這個項目,聞泰科技董事長張學(xué)政表示,基于汽車半導(dǎo)體,特別是中國汽車市場的巨大需求,該公司決定在臨港新片區(qū)建設(shè)12英寸車規(guī)級半導(dǎo)體晶圓制造中心。該項目計劃20個月建成投產(chǎn),以幫助安世半導(dǎo)體快速擴充產(chǎn)能,滿足市場需求。據(jù)悉,該項目預(yù)計年產(chǎn)晶圓40萬片,經(jīng)封裝、測試后的功率器件產(chǎn)品,可廣泛應(yīng)用于汽車電子、計算和通信設(shè)備等領(lǐng)域,產(chǎn)值達(dá)33億元/年。

張學(xué)政表示,還將繼續(xù)加大對安世半導(dǎo)體的投資,幫助其擴大研發(fā)、晶圓、封測規(guī)模,計劃通過10年時間推動安世半導(dǎo)體產(chǎn)值超過100億美金,進(jìn)一步強化其全球競爭力。這樣來看,今后幾年,聞泰科技在晶圓廠上的投資還將繼續(xù),這無疑將為中國本土火熱的晶圓項目再添一把火。

同樣是在昨天,同樣是在上海臨港新片區(qū),另一個重要的項目,即總投資46億元的新昇半導(dǎo)體公司新增30萬片/月300mm(12英寸)高端硅片研發(fā)與制造項目也開工了。目前,新昇半導(dǎo)體一期項目已經(jīng)建設(shè)完成,可實現(xiàn)15萬片/月產(chǎn)能目標(biāo),據(jù)悉,該公司累計銷售硅片已經(jīng)超過170萬片。此次,開始建設(shè)的二期項目將于2021年底完成,基于此,新昇的目標(biāo)是實現(xiàn)100萬片/月的大硅片產(chǎn)能。

以上兩個重要的項目,一個是12英寸晶圓廠,用于生產(chǎn)芯片;另一個是12英寸大硅片,是晶圓廠上游的主要原材料。這兩個項目同時開工,從一個側(cè)面體現(xiàn)出了最近中國大陸晶圓廠及與之密切相關(guān)的產(chǎn)業(yè)鏈上游項目(主要是硅片和半導(dǎo)體設(shè)備)的火熱。

不只是12英寸,8英寸的相關(guān)項目,不僅在中國大陸,在全球范圍內(nèi)也是火熱異常,其直接原因就是芯片制造產(chǎn)能的緊缺。

在過去的兩個月,以臺積電為代表的7nm和5nm制程晶圓代工芯片產(chǎn)能同時成為了業(yè)界關(guān)注的焦點(這些先進(jìn)制程大都采用12英寸晶圓),原因在于:不僅剛剛實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)的5nm產(chǎn)能供不應(yīng)求,且已經(jīng)處于成熟階段且平穩(wěn)輸出產(chǎn)能的7nm業(yè)務(wù)也愈發(fā)緊張,臺積電的多家老客戶紛紛加碼7nm訂單量,使得這家晶圓代工龍頭顯得有些應(yīng)接不暇。

無獨有偶,近兩年都處于緊俏狀態(tài)的8英寸晶圓代工產(chǎn)能,相關(guān)芯片交期已從過去的2至3個月,延長到4個月,且價格在2020年第四季度再上漲10%。而在去年8月,以中國臺灣地區(qū)為代表的晶圓代工廠部分產(chǎn)線已經(jīng)提高過一次報價,有產(chǎn)業(yè)鏈人士透露,臺積電、聯(lián)電等將8英寸晶圓代工報價上調(diào)了10%到20%。

晶圓廠產(chǎn)能進(jìn)一步緊張,也催生出了更多商機,特別是在大者恒大,強者通吃的產(chǎn)業(yè)環(huán)境下,在中小客戶面前,晶圓廠具有很強的話語權(quán)。在這種情況下,中小IC設(shè)計廠商如何才能拿到想要的產(chǎn)能呢?這就需要提供更多、更細(xì)致、更具前瞻性的流片服務(wù),在這方面,摩爾精英有獨到之處。產(chǎn)能和交期固然重要,但是提前做好下單計劃更重要,摩爾精英會根據(jù)客戶的產(chǎn)能計劃并結(jié)合foundry的實際loading程度,爭取產(chǎn)能并實時跟蹤制造進(jìn)度,讓客戶放心。具體模式不在此贅述了,這樣的服務(wù)內(nèi)容和樣式在業(yè)界也是一種創(chuàng)新,特別適合芯片廠商(以Fabless為主)對中小規(guī)模產(chǎn)能的需求和獲取。

晶圓廠產(chǎn)能如此緊張,自然帶動了上游硅片市場的火爆。不久前收購了全球第四大硅片廠Siltronic的環(huán)球晶董事長徐秀蘭說,2021年,硅片現(xiàn)貨價一定會上漲,主要原因有二:一是供需吃緊;二是匯率走勢。環(huán)球晶在包括小尺寸、8英寸與12英寸等產(chǎn)品,明年都會努力去跟客戶協(xié)商調(diào)升價格。徐秀蘭估計,12英寸硅片的調(diào)升價格將會最多。

在細(xì)分應(yīng)用領(lǐng)域,徐秀蘭指出,2020年硅片的市況還不錯,但是車用的部分比較差,一直到8、9月才有急單進(jìn)來,現(xiàn)在狀況最好的部分反而是汽車應(yīng)用。

從以上徐秀蘭的評述可以看出,硅片,特別是12英寸的,在2021年會非常緊俏,而在車用市場,相應(yīng)的硅片和下游晶圓廠產(chǎn)能將面臨挑戰(zhàn)。而這些正好與上文提到的聞泰科技12英寸晶圓項目(主要為車用),以及新昇半導(dǎo)體新增30萬片/月的12英寸高端硅片項目相呼應(yīng)。業(yè)界主要廠商,無論是中國本土的,還是大陸以外地區(qū)的,都在精準(zhǔn)聚焦今明兩年,甚至是今后幾年的市場需求和走勢。

中國車用半導(dǎo)體兩強IPO

談到車用半導(dǎo)體,特別是功率器件,在中國大陸地區(qū),兩強比亞迪和中車時代同時在上周宣布IPO計劃,為其車用功率半導(dǎo)體晶圓廠發(fā)展和提升進(jìn)行市場融資。

比亞迪股份公告表示,公司董事會審議通過《關(guān)于擬籌劃控股子公司分拆上市議案》,同意公司控股子公司比亞迪半導(dǎo)體籌劃擬分拆及于中國境內(nèi)一家證券交易所獨立上市事項,并啟動分拆比亞迪半導(dǎo)體上市的前期籌備工作。中車時代電氣也發(fā)布公告表示,公司就建議發(fā)行A股向上交所提交包括A股招股說明書(申報稿)等申請數(shù)據(jù),上交所已予以受理并依法進(jìn)行審核。

2020年,在中國新能源IGBT市場中,比亞迪半導(dǎo)體的市場份額排名第二,中車時代電氣也占據(jù)一定的市場份額。業(yè)內(nèi)人士分析,政策支持加上市場需求帶動,2021年功率半導(dǎo)體,特別是車用市場可望迎來高景氣周期,產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)企業(yè)上市,無疑將加速其分享功率半導(dǎo)體行業(yè)紅利的進(jìn)程。

在中國大陸地區(qū),這兩大車用功率半導(dǎo)體廠商選擇IPO,雖然不是直接進(jìn)行晶圓廠建設(shè),但其IPO的目的顯然是為了進(jìn)行市場化融資,以用于其相應(yīng)晶圓廠技術(shù)水平和規(guī)模的擴充。

大基金密集投資

自從正式推出以來,“大基金二期”在2020年就沒有停下投資的腳步,其重點投資方向為集成電路行業(yè)上游環(huán)節(jié)。特別是進(jìn)入2020年12月份以后,有3筆投資,分別為12月4日與中芯國際等企業(yè)共同成立合資企業(yè);12月7日戰(zhàn)略投資納思達(dá)子公司艾帕克微電子;12月19日投資長川科技子公司長川制造。

特別是投資中芯國際和長川科技子公司長川制造,主要就是為了提升相關(guān)晶圓廠的技術(shù)水平和產(chǎn)業(yè)規(guī)模。

大基金二期與中芯國際的合資企業(yè)將重點布局高端集成電路生產(chǎn)。據(jù)悉,合資企業(yè)的業(yè)務(wù)范圍包括生產(chǎn)12英寸集成電路晶圓及集成電路封裝系列,技術(shù)測試,集成電路相關(guān)技術(shù)開發(fā)、技術(shù)服務(wù)及設(shè)計服務(wù)等。

長川制造成立于2020年5月,主要生產(chǎn)半導(dǎo)體制造設(shè)備,此次,大基金二期參與投資,主要目的是擬啟動長川制造公司智能制造生產(chǎn)基地項目的建設(shè),同時作為未來的主要生產(chǎn)基地,新建相關(guān)生產(chǎn)線?;陧椖渴灼诮ㄔO(shè)和實施過程中的資金需求和未來持續(xù)高速發(fā)展需要。

半導(dǎo)體硅單晶生長設(shè)備取得突破

談到半導(dǎo)體設(shè)備,下面看一下硅單晶生長。晶圓廠需要硅片,特別是12英寸的大硅片受到越來越多的歡迎,而生產(chǎn)硅片需要硅單晶,相關(guān)的設(shè)備在中國大陸地區(qū)在很長一段時間內(nèi)是個空白。

最近傳來好消息,去年12月23日,由西安理工大學(xué)和西安奕斯偉設(shè)備技術(shù)有限公司共同研制的國內(nèi)首臺新一代大尺寸集成電路硅單晶生長設(shè)備在西安實現(xiàn)一次試產(chǎn)成功。雙方共同研制的面向產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用的硅單晶生長成套設(shè)備按照集成電路硅單晶材料的要求,成功生長出直徑300mm,長度2100mm的高品質(zhì)硅單晶材料。實現(xiàn)了采用自主研發(fā)的國產(chǎn)技術(shù)裝備,拉制成功大尺寸、高品質(zhì)集成電路級硅單晶材料的重大突破。

結(jié)語

綜上、晶圓廠建設(shè)、流片服務(wù)、IPO和投融資,以及上游半導(dǎo)體材料(主要是硅片)和設(shè)備的擴產(chǎn)和攻關(guān)等,都是為了滿足市場對芯片產(chǎn)能的需求。而從過去兩年的市場行情來看,特別是中國大陸,產(chǎn)能的緊張程度愈加突出,在這樣的背景下,據(jù)不完全統(tǒng)計,在2020年初,大陸14個省份合計公布超過40個半導(dǎo)體項目,涉及興森科技、中芯國際、順絡(luò)電子、精測電子、長電科技、大富科技等一批上市公司。而到了2020年底,這些項目的進(jìn)展程度不一,能否順利開展下去,以盡快解決中國本土芯片產(chǎn)能不足的頑疾,還有待進(jìn)一步觀察。

責(zé)任編輯:lq

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    335

    文章

    28919

    瀏覽量

    238020
  • 晶圓
    +關(guān)注

    關(guān)注

    53

    文章

    5165

    瀏覽量

    129801
  • 產(chǎn)業(yè)鏈
    +關(guān)注

    關(guān)注

    3

    文章

    1356

    瀏覽量

    26417

原文標(biāo)題:中國本土晶圓產(chǎn)業(yè)鏈集體爆發(fā)

文章出處:【微信號:半導(dǎo)體科技評論,微信公眾號:半導(dǎo)體科技評論】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    一文詳解外延生長技術(shù)

    隨著半導(dǎo)體器件特征尺寸不斷微縮,對高質(zhì)量薄膜材料的需求愈發(fā)迫切。外延技術(shù)作為一種在半導(dǎo)體工藝制造中常用的單晶薄膜生長方法,能夠在單晶襯底上按
    的頭像 發(fā)表于 06-16 11:44 ?979次閱讀
    一文詳解外延<b class='flag-5'>生長</b>技術(shù)

    硅單晶片電阻率均勻性的影響因素

    直拉硅單晶生長的過程是熔融的多晶硅逐漸結(jié)晶生長為固態(tài)的單晶硅的過程,沒有雜質(zhì)的本征硅單晶的電阻率很高,幾乎不會導(dǎo)電,沒有市場應(yīng)用價值,因此通
    的頭像 發(fā)表于 05-09 13:58 ?419次閱讀
    <b class='flag-5'>硅單晶</b>片電阻率均勻性的影響因素

    四創(chuàng)電子水利監(jiān)測設(shè)備取得里程碑式進(jìn)展

    近日,四創(chuàng)電子自主研發(fā)的相控陣型水利測雨雷達(dá),完成全部技術(shù)驗證并工程化落地。該型雷達(dá)不僅攻克了相控陣體制下水利測雨全要素技術(shù)指標(biāo)的工程實現(xiàn)難題,更在核心算法、軟計架構(gòu)等關(guān)鍵技術(shù)實現(xiàn)完全自主可控,標(biāo)志著公司水利監(jiān)測設(shè)備取得里程碑式進(jìn)展。
    的頭像 發(fā)表于 05-06 16:06 ?441次閱讀

    TSSG法生長SiC單晶的原理

    可能獲取滿足化學(xué)計量比的SiC熔體。如此嚴(yán)苛的條件,使得通過傳統(tǒng)的同成分SiC熔體緩慢冷卻凝固的熔體法來生長SiC單晶變得極為困難,不僅對設(shè)備的耐高溫、耐壓性能要求近乎苛刻,還會導(dǎo)致生產(chǎn)成本飆升,
    的頭像 發(fā)表于 04-18 11:28 ?423次閱讀
    TSSG法<b class='flag-5'>生長</b>SiC<b class='flag-5'>單晶</b>的原理

    我國首發(fā)8英寸氧化鎵單晶,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迎新突破

    2025年3月5日,杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司(以下簡稱“鎵仁半導(dǎo)體”)宣布,成功發(fā)布全球首顆第四代半導(dǎo)體氧化鎵8英寸單晶。這一重大突破不僅標(biāo)志
    的頭像 發(fā)表于 03-07 11:43 ?1507次閱讀
    我國首發(fā)8英寸氧化鎵<b class='flag-5'>單晶</b>,<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>產(chǎn)業(yè)迎新<b class='flag-5'>突破</b>!

    第四代半導(dǎo)體新進(jìn)展:4英寸氧化鎵單晶導(dǎo)電型摻雜

    電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 最近氧化鎵領(lǐng)域又有了新的進(jìn)展。今年1月,鎵仁半導(dǎo)體宣布基于自主研發(fā)的氧化鎵專用晶體生長設(shè)備進(jìn)行工藝優(yōu)化,采用垂直布里奇曼(VB)法成功實現(xiàn)4英寸氧化鎵單晶的導(dǎo)電型
    發(fā)表于 02-17 09:13 ?986次閱讀

    鎵仁半導(dǎo)體成功實現(xiàn)VB法4英寸氧化鎵單晶導(dǎo)電摻雜

    VB法4英寸氧化鎵單晶導(dǎo)電型摻雜 2025年1月,杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司(以下簡稱“鎵仁半導(dǎo)體”)基于自主研發(fā)的氧化鎵專用晶體生長設(shè)備進(jìn)行工
    的頭像 發(fā)表于 02-14 10:52 ?499次閱讀
    鎵仁<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>成功實現(xiàn)VB法4英寸氧化鎵<b class='flag-5'>單晶</b>導(dǎo)電摻雜

    2024年13類主要半導(dǎo)體設(shè)備中國大陸進(jìn)口金額同比增加8.5%

    、硅單晶爐和塑封壓機等三類半導(dǎo)體設(shè)備進(jìn)口金額分別減少51.1%、41.1%和31.20%。 2024年13類主要半
    的頭像 發(fā)表于 02-13 15:19 ?753次閱讀

    用于半導(dǎo)體外延片生長的CVD石墨托盤結(jié)構(gòu)

    一、引言 在半導(dǎo)體制造業(yè)中,外延生長技術(shù)扮演著至關(guān)重要的角色?;瘜W(xué)氣相沉積(CVD)作為一種主流的外延生長方法,被廣泛應(yīng)用于制備高質(zhì)量的外延片。而在CVD外延生長過程中,石墨托盤作為承
    的頭像 發(fā)表于 01-08 15:49 ?364次閱讀
    用于<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>外延片<b class='flag-5'>生長</b>的CVD石墨托盤結(jié)構(gòu)

    半導(dǎo)體晶圓制造工藝流程

    半導(dǎo)體晶圓制造是現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)中不可或缺的一環(huán),它是整個電子行業(yè)的基礎(chǔ)。這項工藝的流程非常復(fù)雜,包含了很多步驟和技術(shù),下面將詳細(xì)介紹其主要的制造工藝流程。第一步:晶圓生長晶圓生長半導(dǎo)體
    的頭像 發(fā)表于 12-24 14:30 ?3293次閱讀
    <b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>晶圓制造工藝流程

    芯片制造工藝:晶體生長、成形

    1.晶體生長基本流程下圖為從原材料到拋光晶圓的基本工藝流程:2.單晶硅的生長從液態(tài)的熔融硅中生長單晶硅的及基本技術(shù)稱為直拉法(Czochra
    的頭像 發(fā)表于 12-17 11:48 ?1041次閱讀
    芯片制造工藝:晶體<b class='flag-5'>生長</b>、成形

    一文詳解SiC單晶生長技術(shù)

    高質(zhì)量低缺陷的SiC晶體是制備SiC功率半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵,目前比較主流的生長方法有PVT法、液相法以及高溫CVD法等,本文帶你了解以上三種SiC晶體生長方法及其優(yōu)缺點。
    的頭像 發(fā)表于 11-14 14:51 ?1821次閱讀
    一文詳解SiC<b class='flag-5'>單晶</b><b class='flag-5'>生長</b>技術(shù)

    半導(dǎo)體研究所在量子點異質(zhì)外延技術(shù)上取得重大突破

    材料的制備和以其為基礎(chǔ)的新型信息器件是信息科技前沿研究的熱點。 近期,在中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所王占國院士的指導(dǎo)下,劉峰奇研究員團隊等在量子點異質(zhì)外延的研究方面取得重要進(jìn)展。研究團隊以二維材料為外延襯底,基于分子束外延技術(shù),發(fā)展
    的頭像 發(fā)表于 11-13 09:31 ?808次閱讀
    <b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>研究所在量子點異質(zhì)外延技術(shù)上<b class='flag-5'>取得</b>重大<b class='flag-5'>突破</b>

    半導(dǎo)體外延生長方式介紹

    本文簡單介紹了幾種半導(dǎo)體外延生長方式。
    的頭像 發(fā)表于 10-18 14:21 ?1674次閱讀
    <b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>外延<b class='flag-5'>生長</b>方式介紹

    晶體硅為什么可以做半導(dǎo)體材料

    且成本較低。硅的豐富資源是其成為半導(dǎo)體工業(yè)基石的重要前提。通過先進(jìn)的提純和晶體生長技術(shù),可以生產(chǎn)出高純度的單晶硅或多晶硅,為半導(dǎo)體器件的制造提供了可靠的材料基礎(chǔ)。 二、優(yōu)異的
    的頭像 發(fā)表于 09-21 11:46 ?2984次閱讀