7月12日，拓荊科技股份有限公司(簡稱“拓荊科技”)申請科創(chuàng)板上市已獲受理。根據(jù)招股書，拓荊科技擬募集資金10.00億元，計劃投資于高端半導(dǎo)體設(shè)備擴(kuò)產(chǎn)項目、先進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備的技術(shù)研發(fā)與改進(jìn)項目、ALD設(shè)備研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項目等。

國內(nèi)唯一PECVD設(shè)備產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用的廠商

拓荊科技主要從事高端半導(dǎo)體專用設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和技術(shù)服務(wù)，公司聚焦的半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備與光刻機(jī)、刻蝕機(jī)共同構(gòu)成芯片制造三大核心設(shè)備。

公司主要產(chǎn)品包括等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）設(shè)備、原子層沉積（ALD）設(shè)備和次常壓化學(xué)氣相沉積（SACVD）設(shè)備三個產(chǎn)品系列，已廣泛應(yīng)用于國內(nèi)晶圓廠14nm及以上制程集成電路制造產(chǎn)線，并已展開10nm及以下制程產(chǎn)品驗證測試。

公司主要產(chǎn)品為半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備包括 PECVD 設(shè)備、ALD 設(shè)備及SACVD設(shè)備三個系列，主營業(yè)務(wù)收入構(gòu)成情況如下：

PECVD設(shè)備系公司核心產(chǎn)品，是芯片制造的核心設(shè)備之一。拓荊科技是國內(nèi)唯一一家產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用的集成電路PECVD設(shè)備廠商。PECVD設(shè)備已配適 180-14nm 邏輯芯片、19/17nm DRAM 及 64/128 層 FLASH 制造工藝需求，產(chǎn)品能夠兼容 SiO2、SiN、SiON、BPSG、PSG、TEOS、 LokⅠ、LokⅡ、ACHM、ADCⅠ等多種反應(yīng)材料。公司已于2018年向某國際領(lǐng)先晶圓廠發(fā)貨一臺PECVD設(shè)備用于其先進(jìn)邏輯芯片制造研發(fā)產(chǎn)線，2020 年某國際領(lǐng)先晶圓廠向公司增訂了一臺PECVD設(shè)備用于其上述先進(jìn)制程試產(chǎn)線。

ALD 設(shè)備是一種可以將反應(yīng)材料以單原子膜形式通過循環(huán)反應(yīng)逐層沉積在基片表面，形成對復(fù)雜形貌的基底表面全覆蓋成膜的專用設(shè)備。ALD設(shè)備主要分 PE-ALD和Thermal ALD。拓荊科技的ALD設(shè)備可以沉積SiO2 和SiN材料薄膜，目前已適配55-14nm邏輯芯片制造工藝需求。在PE-ALD設(shè)備成功量產(chǎn)基礎(chǔ)上，為滿足28nm以下芯片制造所需的Al2O3、 AlN等金屬化合物薄膜的工藝需要，公司正在研發(fā)Thermal ALD設(shè)備。

SACVD設(shè)備的主要功能是在次常壓環(huán)境下，通過對反應(yīng)腔內(nèi)氣體壓力和溫 度的精確控制，將氣相化學(xué)反應(yīng)材料在晶圓表面沉積薄膜。拓荊科技是國內(nèi)唯一一家產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用的集成電路SACVD設(shè)備廠商。公司的 SACVD設(shè)備可以沉積BPSG、SAF材料薄膜，適配12英寸40/28nm以及8英寸90nm以上的邏輯芯片制造工藝需求。

薄膜沉積設(shè)備市場規(guī)模持續(xù)增長 國外壟斷嚴(yán)重

在半導(dǎo)體行業(yè)下游需求增長以及技術(shù)變革的推動下，全球薄膜沉積設(shè)備行業(yè)持續(xù)穩(wěn)定發(fā)展。根據(jù) Maximize Market Research 數(shù)據(jù)統(tǒng)計，2017-2019年全球半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備市場規(guī)模分別為125億美元、145億美元和155億美元，2020 年擴(kuò)大至約172億美元，年復(fù)合增長率為11.2%。

新建晶圓廠設(shè)備投資中，晶圓制造相關(guān)設(shè)備投資額占比約為總體設(shè)備投資的80%，薄膜沉積設(shè)備作為晶圓制造的三大主設(shè)備之一，其投資規(guī)模占晶圓制造設(shè)備總投資的25%。

薄膜沉積工藝的不斷發(fā)展，形成了較為固定的工藝流程，同時也根據(jù)不同的應(yīng)用演化出了PECVD、濺射PVD、ALD、LPCVD 等不同的設(shè)備用于晶圓制造的不同工藝。其中，PECVD 是薄膜設(shè)備中占比最高的設(shè)備類型，占整體薄膜沉積設(shè)備市場的33%；ALD設(shè)備目前占據(jù)薄膜沉積設(shè)備市場的11%；SACVD 是新興的設(shè)備類型，屬于其他薄膜沉積設(shè)備類目下的產(chǎn)品，占比較小。在整個薄膜沉積設(shè)備市場，屬于PVD的濺射PVD和電鍍 ECD合計占有整體市場的23%。

近年來全球ALD設(shè)備市場規(guī)?？焖僭鲩L。根據(jù)市場調(diào)查機(jī)構(gòu) Acumen research and condulting 預(yù)測，由于半導(dǎo)體先進(jìn)制程產(chǎn)線數(shù)量增加，2026年全球ALD設(shè)備市場規(guī)模約為 32 億美元。

從全球市場份額來看，薄膜沉積設(shè)備行業(yè)呈現(xiàn)出高度壟斷的競爭局面，行業(yè)基本由應(yīng)用材料（AMAT）、ASM、泛林半導(dǎo)體（Lam）、東京電子（TEL）等 國際巨頭壟斷。2019 年，ALD設(shè)備龍頭東京電子（TEL）和先晶半導(dǎo)體（ASMI）分別占據(jù) 31%和29%的市場份額，剩下40%的份額由其他廠商占據(jù)；而應(yīng)用材料（AMAT）則基本壟斷PVD市場，占 85%的比重，處于絕對龍頭地位；在CVD市場中，應(yīng)用材料（AMAT）全球占比約為30%，連同泛林半導(dǎo)體（Lam）的21%和TEL的19%，三大廠商占據(jù)了全球70%的市場份額。

累計發(fā)貨超150套機(jī)臺具有諸多競爭優(yōu)勢

拓荊科技是國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)重要的領(lǐng)軍企業(yè)之一，公司專注的薄膜沉積設(shè)備領(lǐng)域系半導(dǎo)體晶圓制造三大核心設(shè)備種類之一。 公司主要產(chǎn)品 PECVD 設(shè)備系集成電路晶圓制造的核心設(shè)備，ALD 設(shè)備系集成電 路先進(jìn)制程晶圓制造的核心設(shè)備，SACVD 設(shè)備系集成電路晶圓制造的重要設(shè)備。

公司是國內(nèi)唯一一家產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用的集成電路 PECVD、SACVD 設(shè)備廠商，產(chǎn)品已成功應(yīng)用于中芯國際、華虹集團(tuán)、長江存儲、廈門聯(lián)芯、燕東微電子等行業(yè)領(lǐng)先集成電路制造企業(yè)產(chǎn)線，累計發(fā)貨超150套機(jī)臺，不同工藝型號的機(jī)臺配適國內(nèi)廠商各類介質(zhì)薄膜沉積的制造需求，有效降低國內(nèi)集成電路生產(chǎn)線對國際設(shè)備廠商的依賴。

在先進(jìn)制程方面，拓荊科技PECVD設(shè)備已發(fā)貨某國際領(lǐng)先晶圓廠先進(jìn)制程研發(fā)產(chǎn)線，ALD設(shè)備已銷往國內(nèi) 14nm研發(fā)產(chǎn)線，產(chǎn)品技術(shù)參數(shù)已達(dá)到國際同類設(shè)備水平。

隨著半導(dǎo)體行業(yè)整體景氣度的提升，全球半導(dǎo)體設(shè)備市場呈現(xiàn)快速增長態(tài)勢，拉動市場對薄膜沉積設(shè)備需求的增加。未來，技術(shù)發(fā)展將加速下游半導(dǎo)體產(chǎn)品需求增長，全球集成電路制造業(yè)產(chǎn)能將進(jìn)一步擴(kuò)張，全球半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備市場規(guī)模將因此高速增長。

薄膜沉積設(shè)備行業(yè)一方面長期受益于全球半導(dǎo)體需求增加與產(chǎn)線產(chǎn)能的擴(kuò)充，另一方面受益于技術(shù)演進(jìn)帶來的增長機(jī)遇，包括制程進(jìn)步、多重曝光與3D NAND存儲技術(shù)。根據(jù)SEMI于2020年6月發(fā)布的《全球晶圓廠預(yù)測報告》，2020 年全球新建晶圓廠21座，包括中國大陸的 9 座、臺灣的 5 座；2021 年全球預(yù)計開工18個晶圓廠，其中包括中國大陸10座、臺灣3座。

根據(jù)中國國際招投標(biāo)網(wǎng)公布的信息，長江存儲、上海華力、華虹無錫、上海 積塔、中芯紹興、合肥晶合等中國本土晶圓廠正在加大設(shè)備采購力度。中國本土晶圓廠建廠的熱潮將一同引領(lǐng)中國半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備的需求增長，拓荊科技作為國內(nèi)領(lǐng)先的薄膜沉積設(shè)備廠商預(yù)計可以在未來持續(xù)增長的市場取得可觀的成績。