Q1

HTOL選pattern如何選？是選一組pattern還是多組pattern組合測(cè)試？是從coverage角度考慮還是工作頻率角度考慮？如果選一組pattern，比如從coverage角度考慮選了scan，就會(huì)遺漏mem和IO。選mbist pattern還需確認(rèn)待測(cè)芯片是否repair修復(fù)過(guò)，避免efuse問(wèn)題？

A

選多組pattern組合，從coverage角度考慮。

Q2

PCT實(shí)驗(yàn)腔體里的樣品會(huì)不會(huì)相互影響？比如鎳鐵結(jié)構(gòu)的先進(jìn)封裝和普通傳統(tǒng)封裝，是磁性導(dǎo)致相互影響的嗎？

A

會(huì)相互影響，考慮到?jīng)]那么多設(shè)備安排，同一類型，同一封裝，封裝材料一樣，可以放在同一個(gè)箱體內(nèi)實(shí)驗(yàn)。但是，如果放多種芯片，可能加重腐蝕，污染。

Q3

怎么優(yōu)化SMA與PCB接觸點(diǎn)阻抗？

A

一般只要SMA的質(zhì)量可靠，可認(rèn)為在其可保障的頻率范圍內(nèi)，阻抗為50歐姆，在PCB一側(cè)的阻抗優(yōu)化中，需要以SMA頭的地為參考，對(duì)信號(hào)Pin做阻抗優(yōu)化，在迭代以后，保障阻抗為50歐姆即可。

Q4

有塊電路板失效了，目前通過(guò)確認(rèn)分析出來(lái)是BGA接觸不良（如果壓緊BGA，就能正常工作，所以推測(cè)可能是下面的球虛接觸），有沒(méi)有什么設(shè)備、檢測(cè)方法能看到球的狀態(tài)？3D-XRAY能看清楚嗎？這個(gè)BGA芯片是焊接在PCB上的，PCB的尺寸大概是125X110X15mm左右，3D-XRAY能嗎？

A

xray能夠檢查氣泡，氣泡也是影響焊接質(zhì)量的問(wèn)題，一般可以接受30%。這些都是xray可以判斷的。

xray能夠監(jiān)控焊接質(zhì)量。3D xray可以更加看清三維成像。但是虛焊是最難查的，不完全是直觀影像可以看出的。xray可以觀察到薄弱焊接。對(duì)于定位，和大致判斷有個(gè)堅(jiān)實(shí)參考。

SMT后器件焊接不良，建議先做個(gè)SAT看看die表面和stitch的位置上有沒(méi)有delamination。如果是flip chip的die，就要關(guān)注bump接合點(diǎn)有沒(méi)有分層。如果有多余的樣品，可以嘗試做切面分析看看。

Q5

JEDEC標(biāo)準(zhǔn)對(duì)于SOP產(chǎn)品背面分層有具體要求嗎？

A

比如jedec47、22里的100e/101d/102/104/a106、js001—2017等。

Q6

carrier是做啥用的？

A

carrier是做料籃用的。

Q7

誰(shuí)手里有典型的彈坑失效的圖片，幫忙發(fā)一個(gè)？

A

失效位置見(jiàn)下圖紅圈標(biāo)出的部分。

Q8

彈坑分析，是不是去掉top metal 即可？還需要去掉 top metal-1嗎？

A

去掉 pad上的Al層。

Q9

彈坑失效一般什么原因呢？

A

原因如下：wafer后端工藝問(wèn)題，芯片結(jié)構(gòu)問(wèn)題（pad 結(jié)構(gòu)），cp測(cè)試（針壓，針卡），打線參數(shù)不優(yōu)等。

Q10

圖一是AEC Q100的，圖二是JESD47的內(nèi)容。想問(wèn)一下HTOL的溫度必須加125度么，還是按AEC的table 分幾個(gè)grade 按需求加溫度呢？那如果不是車(chē)規(guī)的產(chǎn)品，可以不加 125度么？

A

車(chē)規(guī)是按照等級(jí)來(lái)確定溫度的，詳細(xì)的溫度等級(jí)見(jiàn)下表。根據(jù)Q100-H，HTOL 是不同grade ，加不同的Ta。再參考JESD22-A108，里面還提到可以根據(jù)DUT的實(shí)際耐溫情況，改變Ta。

Q11

芯片使用OTP，需要專門(mén)對(duì)OTP進(jìn)行測(cè)試嗎？CP1-bake-CP2-erase 。一般有flow嗎？efuse測(cè)試不用這么復(fù)雜吧？

A

需要，防止寫(xiě)出錯(cuò)。其實(shí)otp特別危險(xiǎn)，這個(gè)地方出錯(cuò)的概率很高，因?yàn)檫@個(gè)寫(xiě)入的動(dòng)作是由ATE程序完成的，otp的內(nèi)容一般卻是來(lái)自系統(tǒng)或者設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)，任何信息的錯(cuò)位都會(huì)導(dǎo)致最終寫(xiě)錯(cuò)。

Efuse 是OTP，EPROM/EEPROM/flash 是NVM， 個(gè)人的理解它們是完全不一樣的。EFUSE 不需要考慮EDR， NVM 需要考慮EDR. 標(biāo)準(zhǔn)里面也寫(xiě)了efuse 不適用EDR的。

一般NVM的供應(yīng)商應(yīng)該會(huì)給測(cè)試或者可靠性驗(yàn)證的建議。我們之前的做法是在工程片做一些可靠性驗(yàn)證，比如高溫、擦除。實(shí)驗(yàn)通過(guò)才進(jìn)入小批量試產(chǎn)。

一般NVM測(cè)試flow 都是需要3道CP： Erase--》CP1--》BAKE--》CP2--》Erase--》CP3，其中CP1：Read array FF--Program 正棋盤(pán)格--讀正棋盤(pán)格驗(yàn)證---program 反棋盤(pán)格---讀array 00驗(yàn)證；CP2：read array 00 檢查bake 后的數(shù)據(jù)；CP3：一般測(cè)試其他IP之后燒入客戶應(yīng)用code 進(jìn)行讀出驗(yàn)證。

Q12

濕敏可靠性等級(jí)都是做哪些項(xiàng)目？

A

可以參考J-STD-020標(biāo)準(zhǔn)。

Q13

塑封材料之間摩擦是否會(huì)產(chǎn)生靜電，是否存在潛在隱患 ？

A

應(yīng)該先考慮摩擦從哪里來(lái)的，有沒(méi)有靜電消散措施。

編輯：jq