一区二区三区三上|欧美在线视频五区|国产午夜无码在线观看视频|亚洲国产裸体网站|无码成年人影视|亚洲AV亚洲AV|成人开心激情五月|欧美性爱内射视频|超碰人人干人人上|一区二区无码三区亚洲人区久久精品

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

英飛凌EasyDUAL CoolSiC MOSFET模塊升級(jí)為新型氮化鋁陶瓷

博世資訊小助手 ? 來源:英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體 ? 作者:英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體 ? 2021-08-24 09:31 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

9月9-11日,英飛凌將隆重亮相PCIM Asia深圳展會(huì),通過四大展示空間“工業(yè)與能源”、“電動(dòng)車輛”、“高能效智能家居”和“數(shù)字島”向來訪者展示了英飛凌在技術(shù)和產(chǎn)品上的成果,用全新的形式與業(yè)內(nèi)人士交流互動(dòng)產(chǎn)品和應(yīng)用技術(shù)。

借英飛凌碳化硅20周年之際,9月10日,我們?cè)谡箷?huì)會(huì)場,隆重舉辦第三屆碳化硅應(yīng)用技術(shù)發(fā)展論壇,敬請(qǐng)蒞臨。

英飛凌科技股份公司(FSE:IFX/OTCQX:IFNNY)將EasyDUAL CoolSiC MOSFET模塊升級(jí)為新型氮化鋁(AIN) 陶瓷。該器件采用半橋配置, EasyDUAL 1B版本的導(dǎo)通電阻(RDS(on))為11 mΩ,EasyDUAL 2B版本的導(dǎo)通電阻(RDS(on))為6mΩ。升級(jí)為高性能AIN后,該1200 V器件適合用于高功率密度應(yīng)用,包括太陽能系統(tǒng)、不間斷電源、輔助逆變器、儲(chǔ)能系統(tǒng)、大功率DCDC變換器、高速電機(jī)和電動(dòng)汽車充電樁等。

EasyDUAL模塊FF11MR12W1M1_B70和FF6MR12W2M1_B70采用具有優(yōu)良的柵極氧化層可靠性最新CoolSiC MOSFET技術(shù)。由于DCB材料的熱導(dǎo)率更高,結(jié)到散熱器的熱阻(RthJH)最多可以降低40%。在CoolSiC Easy模塊中,該新型AIN陶瓷可幫助提高輸出功率或降低結(jié)溫,進(jìn)而可以延長系統(tǒng)壽命。

供貨情況

EasyDUAL CoolSiC MOSFET模塊FF11MR12W1M1_B70和FF6MR12W2M1_B70現(xiàn)在即可訂購。點(diǎn)擊文末“閱讀原文”,了解更多產(chǎn)品信息

英飛凌設(shè)計(jì)、開發(fā)、制造并銷售各種半導(dǎo)體和系統(tǒng)解決方案。其業(yè)務(wù)重點(diǎn)包括汽車電子、工業(yè)電子、射頻應(yīng)用、移動(dòng)終端和基于硬件的安全解決方案等。

英飛凌將業(yè)務(wù)成功與社會(huì)責(zé)任結(jié)合在一起,致力于讓人們的生活更加便利、安全和環(huán)保。半導(dǎo)體雖幾乎看不到,但它已經(jīng)成為了我們?nèi)粘I钪胁豢苫蛉钡囊徊糠?。不論在電力生產(chǎn)、傳輸還是利用等方面,英飛凌芯片始終發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。此外,它們?cè)诒Wo(hù)數(shù)據(jù)通信,提高道路交通安全性,降低車輛的二氧化碳排放等領(lǐng)域同樣功不可沒。

責(zé)任編輯:haq

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 英飛凌
    +關(guān)注

    關(guān)注

    68

    文章

    2346

    瀏覽量

    140627
  • 模塊
    +關(guān)注

    關(guān)注

    7

    文章

    2788

    瀏覽量

    50397
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    335

    文章

    28919

    瀏覽量

    238007

原文標(biāo)題:PCIM展臺(tái)預(yù)覽 | 采用高性能AIN陶瓷的新EasyDUAL? CoolSiC? MOSFET功率模塊

文章出處:【微信號(hào):bsmtxzs,微信公眾號(hào):博世資訊小助手】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    陶瓷pcb線路坂基本報(bào)價(jià)需要什么資料?

    供實(shí)用的降本建議。 一般來說,氮化鋁陶瓷PCB板的價(jià)格高于氧化鋁陶瓷PCB板。這是因?yàn)?b class='flag-5'>氮化鋁具有更高的熱導(dǎo)率和更好的散熱性能,適用于對(duì)散熱要
    的頭像 發(fā)表于 07-13 10:53 ?199次閱讀

    從氧化鋁氮化鋁陶瓷基板材料的變革與挑戰(zhàn)

    在當(dāng)今電子技術(shù)飛速發(fā)展的時(shí)代,陶瓷基板材料作為電子元器件的關(guān)鍵支撐材料,扮演著至關(guān)重要的角色。目前,常見的陶瓷基板材料主要包括氧化鋁(Al2O3)、氮化鋁(AlN)、碳化硅(SiC)、
    的頭像 發(fā)表于 07-10 17:53 ?204次閱讀
    從氧<b class='flag-5'>化鋁</b>到<b class='flag-5'>氮化鋁</b>:<b class='flag-5'>陶瓷</b>基板材料的變革與挑戰(zhàn)

    英飛凌推出具有超低導(dǎo)通電阻的CoolSiC? MOSFET 750 V G2,適用于汽車和工業(yè)功率電子應(yīng)用

    【 2025 年 7 月 1 日 , 德國慕尼黑訊】 全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出新型CoolSiC
    發(fā)表于 07-02 15:00 ?1297次閱讀
    <b class='flag-5'>英飛凌</b>推出具有超低導(dǎo)通電阻的<b class='flag-5'>CoolSiC</b>? <b class='flag-5'>MOSFET</b> 750 V G2,適用于汽車和工業(yè)功率電子應(yīng)用

    新品 | 英飛凌EconoDUAL? 3 CoolSiC? SiC MOSFET 1200V模塊

    新品英飛凌EconoDUAL3CoolSiCSiCMOSFET1200V模塊英飛凌EconoDUAL31200V/1.4mΩCoolSiCSiCMOSFET半橋模塊,增強(qiáng)型1代M1H芯
    的頭像 發(fā)表于 06-10 17:06 ?647次閱讀
    新品 | <b class='flag-5'>英飛凌</b>EconoDUAL? 3 <b class='flag-5'>CoolSiC</b>? SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b> 1200V<b class='flag-5'>模塊</b>

    新品 | 采用高性能DCB的Easy B系列CoolSiC? 2kV SiC MOSFET模塊

    新品采用高性能DCB的EasyB系列CoolSiC2kVSiCMOSFET模塊英飛凌EasyDUAL和EasyPACK2B2kV、6mΩ半橋和三電平
    的頭像 發(fā)表于 06-03 17:34 ?456次閱讀
    新品 | 采用高性能DCB的Easy B系列<b class='flag-5'>CoolSiC</b>? 2kV SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>模塊</b>

    氮化鋁產(chǎn)業(yè):國產(chǎn)替代正當(dāng)時(shí),技術(shù)突破與市場拓展的雙重挑戰(zhàn)

    和散熱材料的理想選擇。尤其在5G基站、新能源汽車電控系統(tǒng)、功率半導(dǎo)體(IGBT模塊)等場景中,AlN基板可顯著降低熱失效風(fēng)險(xiǎn),提升器件壽命。 目前市場對(duì)氮化鋁的需求隨著第三代半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展而增長,應(yīng)用范圍不斷擴(kuò)大。數(shù)據(jù)顯示,2023年國內(nèi)
    的頭像 發(fā)表于 04-07 09:00 ?1.2w次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化鋁</b>產(chǎn)業(yè):國產(chǎn)替代正當(dāng)時(shí),技術(shù)突破與市場拓展的雙重挑戰(zhàn)

    氮化鋁陶瓷基板:高性能電子封裝材料解析

    氮化鋁陶瓷基板是以氮化鋁(AIN)為主要成分的陶瓷材料,具有高熱導(dǎo)率、低熱膨脹系數(shù)、優(yōu)良電性能和機(jī)械性能等特點(diǎn)。它廣泛應(yīng)用于高效散熱(如高功率LED和IGBT
    的頭像 發(fā)表于 03-04 18:06 ?616次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化鋁</b><b class='flag-5'>陶瓷</b>基板:高性能電子封裝材料解析

    陶瓷電路板:探討99%與96%氧化鋁的性能差異

    化鋁(Al?O?)作為陶瓷印刷電路板(PCB)的核心材料,憑借其出色的熱電性能及在多變環(huán)境下的高度穩(wěn)定性,在行業(yè)內(nèi)得到了廣泛應(yīng)用。氧化鋁陶瓷基板,主要由高密度、高熔點(diǎn)及高沸點(diǎn)的白色無
    的頭像 發(fā)表于 02-24 11:59 ?471次閱讀
    <b class='flag-5'>陶瓷</b>電路板:探討99%與96%氧<b class='flag-5'>化鋁</b>的性能差異

    英飛凌推出采用Q-DPAK和TOLL封裝的全新工業(yè)CoolSiC MOSFET 650 V G2

    公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)正在擴(kuò)展其CoolSiC MOSFET 650 V單管產(chǎn)品組合,推出了采用Q-DPAK和TOLL封裝的兩個(gè)全新產(chǎn)品系列。 CoolSiC
    的頭像 發(fā)表于 02-21 16:38 ?467次閱讀
    <b class='flag-5'>英飛凌</b>推出采用Q-DPAK和TOLL封裝的全新工業(yè)<b class='flag-5'>CoolSiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b> 650 V G2

    揭示電子行業(yè)中氮化鋁的3個(gè)常見誤區(qū)

    雖然早在1862年就首次開發(fā)了氮化鋁(AIN),但直到20世紀(jì)80年代,其在電子行業(yè)中的潛力才被真正認(rèn)識(shí)到。經(jīng)過幾年的發(fā)展,氮化鋁憑借其獨(dú)特的特性,成為下一代電力電子設(shè)備(如可再生能源系統(tǒng)和電動(dòng)汽車
    的頭像 發(fā)表于 01-22 11:02 ?605次閱讀
    揭示電子行業(yè)中<b class='flag-5'>氮化鋁</b>的3個(gè)常見誤區(qū)

    化鋁隔斷粉在氧化鋁陶瓷基板的應(yīng)用

    高純度:氧化鋁隔斷粉通常具有非常高的純度,雜質(zhì)含量極低,這有助于確保陶瓷基板的性能穩(wěn)定性和可靠性。 細(xì)小粒度:氧化鋁隔斷粉的粒度通常在微米級(jí)別,這使得它在陶瓷基板中能夠均
    的頭像 發(fā)表于 11-06 15:45 ?508次閱讀
    氧<b class='flag-5'>化鋁</b>隔斷粉在氧<b class='flag-5'>化鋁</b><b class='flag-5'>陶瓷</b>基板的應(yīng)用

    英飛凌推出TOLT和Thin-TOLL封裝的新型工業(yè)CoolSiC? MOSFET 650 V G2,提高系統(tǒng)功率密度

    程度地利用PCB主板和子卡,同時(shí)兼顧系統(tǒng)的散熱要求和空間限制。目前, 英飛凌正在通過采用 Thin-TOLL 8x8 和 TOLT 封裝的兩個(gè)全新產(chǎn)品系列,擴(kuò)展其 CoolSiC MOSFET分立式
    的頭像 發(fā)表于 09-07 10:02 ?1683次閱讀

    英飛凌推出600V CoolMOS 8 SJ MOSFET系列

    英飛凌再次引領(lǐng)行業(yè)潮流,最新推出的600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET系列,以其卓越的技術(shù)創(chuàng)新和卓越性價(jià)比,在全球范圍內(nèi)樹立了高壓超級(jí)結(jié)MOSFET技術(shù)的新標(biāo)桿。作為英飛凌
    的頭像 發(fā)表于 09-03 14:50 ?939次閱讀

    氮化鋁封裝材料:讓電子設(shè)備更穩(wěn)定、更可靠

    氮化鋁,化學(xué)式AlN,是一種具有優(yōu)異性能的陶瓷材料。近年來,隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展,電子封裝材料的需求也日益增長。在眾多材料中,氮化鋁憑借其出色的物理和化學(xué)性質(zhì),逐漸成為理想的電子封
    的頭像 發(fā)表于 08-06 10:10 ?1589次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化鋁</b>封裝材料:讓電子設(shè)備更穩(wěn)定、更可靠

    貿(mào)澤開售適合能量轉(zhuǎn)換應(yīng)用的新型英飛凌CoolSiC G2 MOSFET

    應(yīng)用。 ? 貿(mào)澤供貨的英飛凌CoolSiC? G2 MOSFET可在所有常見電源方案組合(AC-DC、DC-DC和DC-AC)中樹立高質(zhì)量標(biāo)桿,并進(jìn)一步利用英飛凌獨(dú)特的
    發(fā)表于 07-25 16:14 ?810次閱讀