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DFB激光器芯片和FP激光器的區(qū)別

芯片工藝技術(shù) ? 來源:芯片工藝技術(shù) ? 作者:芯片工藝技術(shù) ? 2021-10-27 16:15 ? 次閱讀
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DFB激光器芯片和FP激光器的區(qū)別

法布里-珀羅激光器(FP-LD)是最常見、最普通的半導(dǎo)體激光器,它最大的特點(diǎn)是激光器的諧振腔由半導(dǎo)體材料的兩個解理面構(gòu)成。目前光纖通信上采用的FP-LD的制作技術(shù)已經(jīng)相當(dāng)成熟,普遍采用雙異質(zhì)結(jié)多量子阱有源層、載流子與光分別限制的結(jié)構(gòu)。

DFB相比于常見的FP激光器不同之處就是它在外延處就植入了布拉格光柵,在F_P諧振腔內(nèi)既可形成選模結(jié)構(gòu),實(shí)現(xiàn)完全單模工作。

在外延的階段,中間插入光柵制造步驟,然后再接著二次外延生長。

這個階段大家可以想想看工藝會出現(xiàn)什么異常?

布拉格光柵大家都知道是什么樣的嗎?

布拉格光柵 (FBG) 是一種周期性,作為波長選擇鏡的微結(jié)構(gòu),有的是一串微溝道、有的是一串不同折射率的介質(zhì)。例如布拉格光柵光纖,就是光譜光源被注入到光纖后,只會存在非常窄的光譜。只有布拉格波長的光會被光柵反射,剩余的光波將繼續(xù)通過光纖到下一個光柵,并且沒有任何損失。說白話一點(diǎn)就是一個波長過濾器的作用。

外延生長的溫度比較高,六七百攝氏度都正常,因此這些光柵溝槽會發(fā)生回熔,光柵就會變形,甚至完全消失,整個芯片的光柵就會變得殘缺不全,激光器的內(nèi)量子效率降低。DFB激光器的震蕩頻率偏離Bragg頻率,其閾值增益較高。

一種高性能DFB激光器結(jié)構(gòu),包括InP基底,在所述InP基底上從下而上依次采用MOCVD沉積的N?InP緩沖層、N?AlInAs外延層、N?AlGaInAs波導(dǎo)層、AlGaInAsMQW、P?AlGaInAs波導(dǎo)層、P?AlInAs限制層、P?InP限制層、光柵層、InGaAsP勢壘過度層、InGaAs歐姆接觸層;在所述N?InP緩沖層與所述N?AlInAs外延層中間插入一層N?InAlAsP;本方案設(shè)計(jì)的一種高性能DFB激光器結(jié)構(gòu),在N?InP緩沖層與N?InAlAs外延層中間插入一層N?InAlAsP,可以獲得高質(zhì)量的MQW,提高激光器的可靠性,同時還能平滑N?InP緩沖層與N?InAlAs外延層之間的導(dǎo)帶能階差,減小DFB激光器的電阻,提高DFB激光器的性能。

DFB激光器的制造

上文介紹了DFB外延的制作,芯片的制作和FP的過程差不多,可以參考以前的文章。下圖是制備好的晶圓,進(jìn)行分bar和切chip。

晶圓分成bar之后進(jìn)行鍍膜。但是DFB激光器在切割時會出現(xiàn)腔長的誤差。腔面解離是一種純機(jī)械的操作,并不能剛好切成整數(shù)倍光柵周期。

通常都會有光柵周期的隨機(jī)殘留。在AR側(cè)沒有影響,因?yàn)楣獠粫谶@一端面反射,但是在HR側(cè)就會有很大影響。

如圖,HR端就會出現(xiàn)不同的解離剩余距離出來,增加了相對于整個光學(xué)模式的隨機(jī)腔面相位,并將導(dǎo)致模式偏移一定的量。相位就會隨著激光器的確切長度而變化。

在FP器件中,腔長的微小變化對輸出影響不大,長度的變化意味著器件將偏移其允許模式梳,單器件仍然會按照允許模式以最大增益激射(可能便宜1nm左右)。

在DFB激光器中,很小的偏移都會十分顯著。當(dāng)允許模式偏移1nm或者2nm時,最低增益的特定模式就會變化。比如想在1313nm處最低增益點(diǎn)激射的,由于背腔相位不同,可能導(dǎo)致1311nm的波長激射。這將導(dǎo)致兩個具有基本相同光增益的允許模式,使得器件有兩個激射模式。

因此背腔相位對DFB激光器存在以下影響:

1 閾值電流的影響

背腔相位影響允許的激射波長,他們有不同的激射增益。

2 激射波長

隨機(jī)背腔相位輕微便宜允許模式,但是由于增益隨波長的略微變化而顯著變化,具有最低增益的模式可能顯著變化。

3 單模行為

針對某些背腔相位,兩張?jiān)试S的模式會有基本相同的激光增益,在這種情況下,器件可能有兩個激射模式。

4 斜率效率

器件的功率分布依賴于相位,十分敏感,稍不同的背腔相位代表不同的斜率效率,不似FP那樣,斜率效率敏感地依賴于背腔相位。

背腔相位是在激光器解離過程中隨機(jī)定義出來的,因此不能得到精準(zhǔn)控制,就是一個隨機(jī)的數(shù)值,但是對于特定的設(shè)計(jì)和制作來講,可以通過統(tǒng)計(jì)學(xué)的方法,統(tǒng)計(jì)批次的設(shè)計(jì)良率確定,進(jìn)而在設(shè)計(jì)師考慮基于隨機(jī)背腔相位和標(biāo)稱特性的分布。

責(zé)任編輯:haq

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原文標(biāo)題:DFB分布反饋激光器:設(shè)計(jì)和制作

文章出處:【微信號:dingg6602,微信公眾號:芯片工藝技術(shù)】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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