一区二区三区三上|欧美在线视频五区|国产午夜无码在线观看视频|亚洲国产裸体网站|无码成年人影视|亚洲AV亚洲AV|成人开心激情五月|欧美性爱内射视频|超碰人人干人人上|一区二区无码三区亚洲人区久久精品

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

關(guān)于晶圓切割的一些工藝

芯片工藝技術(shù) ? 來源:芯片工藝技術(shù) ? 作者:芯片工藝技術(shù) ? 2021-11-02 16:41 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

1 晶圓切割

晶圓切割的方法有許多種,常見的有砂輪切割,比如disco的設(shè)備;激光切割、劃刀劈裂法,也有金剛線切割等等。

732f91c0-391b-11ec-82a8-dac502259ad0.png

這個就是砂輪切割,一般就是切穿晶圓,刀片根據(jù)產(chǎn)品選擇,有鋼刀、樹脂刀等等。

7399d04e-391b-11ec-82a8-dac502259ad0.png

但是對于激光器芯片來說不能進行激光或者刀片這些直接物理作用的方法進行切割。

比如GaAs或者Inp體系的晶圓,做側(cè)發(fā)光激光時,需要用到芯片的前后腔面,因此端面必須保持光滑,不能有缺陷。切GaAs、InP材質(zhì)具有解離晶面,沿此晶面,自動解離出光滑的晶向面,對發(fā)光效率等影響很大。

責任編輯:haq

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 激光器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    17

    文章

    2736

    瀏覽量

    62682
  • 晶圓
    +關(guān)注

    關(guān)注

    53

    文章

    5160

    瀏覽量

    129764

原文標題:激光器晶圓的切割工藝

文章出處:【微信號:dingg6602,微信公眾號:芯片工藝技術(shù)】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    基于淺切多道的切割 TTV 均勻性控制與應力釋放技術(shù)

    、引言 在半導體制造中,總厚度變化(TTV)均勻性是決定芯片性能與良品率的關(guān)鍵因素,而切割過程產(chǎn)生的應力會導致
    的頭像 發(fā)表于 07-14 13:57 ?94次閱讀
    基于淺切多道的<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b><b class='flag-5'>切割</b> TTV 均勻性控制與應力釋放技術(shù)

    切割中淺切多道工藝與切削熱分布的耦合效應對 TTV 的影響

    、引言 在半導體制造領(lǐng)域,總厚度變化(TTV)是衡量
    的頭像 發(fā)表于 07-12 10:01 ?56次閱讀
    <b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b><b class='flag-5'>切割</b>中淺切多道<b class='flag-5'>工藝</b>與切削熱分布的耦合效應對 TTV 的影響

    淺切多道切割工藝 TTV 厚度均勻性的提升機制與參數(shù)優(yōu)化

    、引言 在半導體制造領(lǐng)域,總厚度變化(TTV)是衡量質(zhì)量的關(guān)鍵指標之,直接影響芯片制
    的頭像 發(fā)表于 07-11 09:59 ?110次閱讀
    淺切多道<b class='flag-5'>切割</b><b class='flag-5'>工藝</b>對<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b> TTV 厚度均勻性的提升機制與參數(shù)優(yōu)化

    切割振動監(jiān)測系統(tǒng)與進給參數(shù)的協(xié)同優(yōu)化模型

    、引言 切割是半導體制造的關(guān)鍵環(huán)節(jié),切割過程中的振動會影響
    的頭像 發(fā)表于 07-10 09:39 ?66次閱讀
    <b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b><b class='flag-5'>切割</b>振動監(jiān)測系統(tǒng)與進給參數(shù)的協(xié)同優(yōu)化模型

    超薄切割:振動控制與厚度均勻性保障

    超薄因其厚度極薄,在切割時對振動更為敏感,易影響厚度均勻性。我將從分析振動對超薄切割的影
    的頭像 發(fā)表于 07-09 09:52 ?119次閱讀
    超薄<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b><b class='flag-5'>切割</b>:振動控制與厚度均勻性保障

    減薄工藝分為哪幾步

    “減薄”,也叫 Back Grinding(BG),是將(Wafer)背面研磨至目標厚度的工藝步驟。這個過程通常發(fā)生在芯片完成前端電路制造、被切割前(即
    的頭像 發(fā)表于 05-30 10:38 ?609次閱讀

    用于切割 TTV 控制的硅棒安裝機構(gòu)

    摘要:本文針對切割過程中 TTV(總厚度偏差)控制難題,提出種用于切割
    的頭像 發(fā)表于 05-21 11:00 ?138次閱讀
    用于<b class='flag-5'>切割</b><b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b> TTV 控制的硅棒安裝機構(gòu)

    濕法清洗工作臺工藝流程

    工作臺工藝流程介紹 、預清洗階段 初步?jīng)_洗 將放置在工作臺的支架上,使用去離子水(DI Water)進行初步?jīng)_洗。這步驟的目的是去除
    的頭像 發(fā)表于 04-01 11:16 ?415次閱讀

    高精度劃片機切割解決方案

    高精度劃片機切割解決方案為實現(xiàn)高精度切割,需從設(shè)備精度、
    的頭像 發(fā)表于 03-11 17:27 ?394次閱讀
    高精度<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>劃片機<b class='flag-5'>切割</b>解決方案

    切割的定義和功能

    Dicing 是指將制造完成的(Wafer)切割成單個 Die 的工藝步驟,是從到獨立芯
    的頭像 發(fā)表于 02-11 14:28 ?1261次閱讀

    詳解的劃片工藝流程

    在半導體制造的復雜流程中,歷經(jīng)前道工序完成芯片制備后,劃片工藝成為將芯片從上分離的關(guān)鍵環(huán)節(jié),為后續(xù)封裝奠定基礎(chǔ)。由于不同厚度的
    的頭像 發(fā)表于 02-07 09:41 ?1592次閱讀
    詳解<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>的劃片<b class='flag-5'>工藝</b>流程

    背面涂敷工藝的影響

    、概述 背面涂敷工藝是在背面涂覆層特定的
    的頭像 發(fā)表于 12-19 09:54 ?620次閱讀
    <b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>背面涂敷<b class='flag-5'>工藝</b>對<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>的影響

    劃片為什么用UV膠帶

    圓經(jīng)過前道工序后芯片制備完成,還需要經(jīng)過切割使上的芯片分離下來,最后進行封裝。不同厚度
    的頭像 發(fā)表于 12-10 11:36 ?1124次閱讀
    <b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>劃片為什么用UV膠帶

    淺談影響分選良率的因素(2)

    制造良率部分討論的工藝變化會影響分選良率。在制造區(qū)域,通過抽樣檢查和測量技術(shù)檢測工藝
    的頭像 發(fā)表于 10-09 09:45 ?1109次閱讀
    淺談影響<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>分選良率的因素(2)

    碳化硅和硅的區(qū)別是什么

    以下是關(guān)于碳化硅和硅的區(qū)別的分析: 材料特性: 碳化硅(SiC)是種寬禁帶半導體材料,
    的頭像 發(fā)表于 08-08 10:13 ?3069次閱讀