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相移全橋電路的功率轉(zhuǎn)換效率提升

羅姆半導(dǎo)體集團(tuán) ? 來(lái)源:羅姆半導(dǎo)體集團(tuán) ? 作者:羅姆半導(dǎo)體集團(tuán) ? 2021-12-02 16:28 ? 次閱讀
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相移全橋電路的功率轉(zhuǎn)換效率提升

針對(duì)本系列文章的主題——轉(zhuǎn)換效率,本文將會(huì)給出使用實(shí)際電源電路進(jìn)行評(píng)估的結(jié)果。具體而言,本文對(duì)Q1~Q4的MOSFET使用導(dǎo)通電阻約0.2Ω的五種快速恢復(fù)型SJ MOSFET時(shí)的結(jié)果進(jìn)行了比較。測(cè)試條件為輸入電壓in=390V、輸出電壓Vout=12V、輸出電流Iout=10A~50A、開(kāi)關(guān)頻率fsw=100kHz。

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(點(diǎn)擊查看大圖)

如圖所示,結(jié)果顯示R6020JNX(紅色實(shí)線)在整個(gè)負(fù)載范圍內(nèi)效率最高。R6020JNX是最新一代的PrestoMOS,具有業(yè)內(nèi)先進(jìn)的高速trr和優(yōu)化的寄生電容

此外,與比較對(duì)象R6020FNX(相當(dāng)于上一代產(chǎn)品)和其他MOSFET相比,柵極閾值電壓VGS(th)更高,這會(huì)使誤導(dǎo)通導(dǎo)致的直通電流難以流過(guò)。通常,當(dāng)VGS(th)高時(shí),導(dǎo)通損耗會(huì)增加,但在PSFB電路中,可以在輕負(fù)載時(shí)調(diào)整Dead Time,在重負(fù)載時(shí)利用ZVS技術(shù),來(lái)減少各自的導(dǎo)通損耗,因此,弱化了高VGS(th)帶來(lái)的劣勢(shì)。

從這些方面來(lái)看,可以說(shuō)要想提高使用了SJ MOSFET的PSFB電路的效率,選擇trr盡可能小、開(kāi)關(guān)特性優(yōu)異的SJ MOSFET很重要。

關(guān)鍵要點(diǎn)

?在SJ MOSFET的效率對(duì)比中,PrestoMOS是效率最好的。

?要想提高使用了SJ MOSFET的PSFB電路的效率,重要的是要選擇trr盡可能小、開(kāi)關(guān)特性優(yōu)異的SJ MOSFET。

編輯:jq

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原文標(biāo)題:R課堂 | 相移全橋電路的功率轉(zhuǎn)換效率提升

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