高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先驅(qū)和全球供應(yīng)商Transphorm, Inc. (OTCQX: TGAN)今天宣布，該公司2021年12月份的SuperGaN? Gen IV場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)出貨量突破100萬大關(guān)。這一里程碑進(jìn)一步證實(shí)了該公司之前宣稱的大規(guī)模量產(chǎn)合格封裝器件的實(shí)力，同時(shí)其市場(chǎng)份額正在不斷增長(zhǎng)。這也意味著該公司2021日歷年度下半年出貨量是2021日歷年度上半年的3倍以上。值得一提的是，這也突顯了Transphorm持續(xù)的生態(tài)系統(tǒng)擴(kuò)張，出貨的FET將用于亞太區(qū)新老客戶生產(chǎn)的45W至300W電源適配器和快速充電器應(yīng)用。

Transphorm用于緊湊型功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的SuperGaN產(chǎn)品系列目前包括三款650V器件：480 m? FET、300 m? FET以及150 m? FET。這些器件采用標(biāo)準(zhǔn)的PQFN 5x6和8x8封裝，并可在150°C下滿足JEDEC認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)。

與競(jìng)品GaN半導(dǎo)體（即e-mode和IC GaN）相比，SuperGaN器件的主要優(yōu)勢(shì)包括：

更小的裸片尺寸，更優(yōu)越的性能：數(shù)據(jù)顯示，與低通阻器件相比，SuperGaN平臺(tái)可提供更高的效率。

易于設(shè)計(jì)和驅(qū)動(dòng)：SuperGaN平臺(tái)的專利架構(gòu)包括一個(gè)具有通用接口的集成硅FET，不需要過多的外圍電路。這個(gè)接口允許使用流行的、現(xiàn)成的帶有集成驅(qū)動(dòng)的控制器；能滿足高效電源適配器拓?fù)涞囊螅鏠RF（準(zhǔn)諧振反激模式）和ACF（有源鉗位反激模式）。

一流的質(zhì)量+可靠性：基于超過300億小時(shí)的運(yùn)行，實(shí)用中的Transphorm器件FIT（失效率）小于0.3；這意味著從統(tǒng)計(jì)上來看，在超過10億小時(shí)的運(yùn)行時(shí)間內(nèi)，失效次數(shù)少于0.3次。

Transphorm總裁兼聯(lián)合創(chuàng)始人Primit Parikh表示：“我們很高興能與我們的供應(yīng)商和客戶合作，實(shí)現(xiàn)每月100萬的量產(chǎn)目標(biāo)。這表明我們?cè)诳焖僭鲩L(zhǎng)的快速充電器和電源適配器領(lǐng)域正在贏得不斷增長(zhǎng)的市場(chǎng)份額，也證明了我們大規(guī)模生產(chǎn)高性能、高可靠性GaN器件的實(shí)力。Transphorm在低功率和多千瓦高功率應(yīng)用方面都極具吸引力，突顯了我們技術(shù)的領(lǐng)先地位。我們的實(shí)力，再加上前一季度獲得的超過4500萬美元的融資，為我們?cè)?022年繼續(xù)擴(kuò)張和增長(zhǎng)提供了一個(gè)強(qiáng)勁的積極勢(shì)頭?！?/p>

Transphorm完整的產(chǎn)品組合目前包括各種封裝的650V和900V器件。此產(chǎn)品組合的技術(shù)優(yōu)勢(shì)在很大程度上得益于該公司的垂直整合能力。這種運(yùn)營(yíng)模式在GaN半導(dǎo)體行業(yè)并不常見，但能助力Transphorm掌控其器件的設(shè)計(jì)、外延晶片（原始材料）和制造流程。因此，Transphorm目前能夠在廣泛的電源應(yīng)用領(lǐng)域（電源適配器、數(shù)據(jù)中心和游戲PSU、加密貨幣礦機(jī)、汽車變流器、可再生能源逆變器等）滿足廣泛的功率轉(zhuǎn)換需求（45W至10+ kW）。