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標(biāo)簽 > FET
場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。
場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。根據(jù)三極管的原理開發(fā)出的新一代放大元件,有3個極性,柵極,漏極,源極,它的特點是柵極的內(nèi)阻極高,采用二氧化硅材料的可以達(dá)到幾百兆歐,屬于電壓控制型器件
場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。根據(jù)三極管的原理開發(fā)出的新一代放大元件,有3個極性,柵極,漏極,源極,它的特點是柵極的內(nèi)阻極高,采用二氧化硅材料的可以達(dá)到幾百兆歐,屬于電壓控制型器件。
FET電路工作原理
一般在網(wǎng)上只有三極管放大電路的原理,而FET的工作原理很少提及,現(xiàn)在我簡單地分析一下它的放大原理:電路中柵極的直流電位VG是電源電壓VDD被偏壓電阻R3和R2分壓后的電位,即:VG=R2/(R1+R2)*VDD。這與三極管發(fā)射極接地的放大電路基極直流電位相同。但是由于雙極型晶體管中有基極電流流動,所以實際基極電位要比電源被R2和R3分壓要低一些(晶體管是電流控制電流,F(xiàn)ET是電壓控制電流)。但對于FET,由于柵極沒有電流流過,所以實際的柵極電位就是分壓公式所求得的值。源極的直流電位VS比VG高出柵極源極間電壓VGS的值,即: VS=VG+VGS 實際上,VGS是以源極為基準(zhǔn)的,像N溝JFET那樣,當(dāng)源極電位比柵極高應(yīng)該給VGS置以負(fù)號。因此,VS等于將VGS加到VG上時,就成為: VS=VG-VGS 雙極晶體管VBE=0.6V或者0.7V,是能夠相互置換的。但是對于FET來說,當(dāng)器件型號和工作點(ID)不同時,VGS的值是不同的。流過源極的直流電流Is可以由下式求得: Is=VS/RS=(VG-VGS)/RS 漏極的直流電位VD是從電源電壓VDD減去RD上的電壓降的部分。如果漏極電流的直流成分為ID,則有: VD=VDD-ID*RD 由于FET的柵極上沒有電流流過,ID=IS,所以上式也可以寫成: VD=VDD-Is*RD 下面來求它的交流放大倍數(shù)。
由輸入Vi引起的源極電流表的交流變化量#is為: #is=vi/RS 高漏極電流的交流變化量為#id,那么可以認(rèn)為vd的交流變化量#vd就是#id在漏極電阻RD上的電壓降,即: #vd=#id*RD 又因為漏極電流和源極電流相等,所以#vd為: #vd=#is*RD=vi/RS*RD 另外,交流輸出電壓vo是被輸出電容C2隔斷VD的直流成分后的成分,也就是vd的交流成分#vd,即: Vo=#vd=vi/RS*RD 所以不難求得:交流放大倍數(shù)Av為: Av=vo/vi=RD/RS
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2025-04-07 標(biāo)簽:控制器電阻器開關(guān)穩(wěn)壓器 230 0
OPA858-Q1 具有FET輸入的汽車類、 5.5GHz增益帶寬、解補償跨阻放大器技術(shù)手冊
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LM3481-Q1系列 用于升壓、SEPIC 和反激式的 2.97V 至 48V 高效控制器數(shù)據(jù)手冊
LM3481-Q1 器件是一款用于開關(guān)穩(wěn)壓器的多功能低側(cè) N-FET 高性能控制器。該器件設(shè)計用于升壓、SEPIC 和反激式轉(zhuǎn)換器,以及需要低側(cè) FET...
2025-04-02 標(biāo)簽:控制器電阻器反激式轉(zhuǎn)換器 267 0
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2025-04-02 標(biāo)簽:控制器開關(guān)穩(wěn)壓器帶寬 265 0
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TPS53K上的統(tǒng)一接地連接建議-集成FET轉(zhuǎn)換器開發(fā)立即下載
類別:電子資料 2024-10-15 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器FET
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在2024年底剛開過IEDM的主題演講(keynote speech),二維場效電晶體(2D Field Effect Transistor;2D FE...
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膠體量子點(CQD)憑借其具有高通量溶液加工能力以及紫外(UV)到紅外(IR)波段的寬帶隙可調(diào)諧性,因而在光電子器件中備受關(guān)注。
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利用連續(xù)滴定工藝制備一種高品質(zhì)HgTe量子點短波紅外探測器
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2024-04-07 標(biāo)簽:FET場效應(yīng)晶體管紅外探測器 968 0
Nexperia在APEC 2024上發(fā)布拓寬分立式FET解決方案系列
Nexperia(安世半導(dǎo)體)再次在 APEC 上展示產(chǎn)品創(chuàng)新,宣布發(fā)布幾款新型 MOSFET,以進(jìn)一步拓寬其分立開關(guān)解決方案的范圍,可用于多個終端市場...
OVP可調(diào)過壓過流保護(hù)芯片集成功率FET開關(guān)
概述: PC9094過電壓和過電流保護(hù)該器件具有低80mΩ(TYP)導(dǎo)通電阻集成MOSFET,主動保護(hù)低電壓 系統(tǒng)的電壓供應(yīng)故障高達(dá)+29V直流電。輸入...
針對工業(yè)和可再生能源應(yīng)用推出采用緊湊型SMD封裝CCPAK的GaN FET
GAN039-650NTB 是一款 33 mΩ(典型值)的氮化鎵場效應(yīng)管,采用 CCPAK1212i 頂部散熱封裝技術(shù),開創(chuàng)了寬禁帶半導(dǎo)體和銅夾片封裝相...
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