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      標(biāo)簽　>　FET

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      FET簡介

      　　場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））簡稱場效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。根據(jù)三極管的原理開發(fā)出的新一代放大元件，有3個極性，柵極，漏極，源極，它的特點是柵極的內(nèi)阻極高，采用二氧化硅材料的可以達到幾百兆歐，屬于電壓控制型器件

      FET百科

      　　場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））簡稱場效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。根據(jù)三極管的原理開發(fā)出的新一代放大元件，有3個極性，柵極，漏極，源極，它的特點是柵極的內(nèi)阻極高，采用二氧化硅材料的可以達到幾百兆歐，屬于電壓控制型器件。

      　　FET電路工作原理

      　　一般在網(wǎng)上只有三極管放大電路的原理，而FET的工作原理很少提及，現(xiàn)在我簡單地分析一下它的放大原理：電路中柵極的直流電位VG是電源電壓VDD被偏壓電阻R3和R2分壓后的電位，即：VG=R2/（R1+R2）*VDD。這與三極管發(fā)射極接地的放大電路基極直流電位相同。但是由于雙極型晶體管中有基極電流流動，所以實際基極電位要比電源被R2和R3分壓要低一些（晶體管是電流控制電流，F(xiàn)ET是電壓控制電流）。但對于FET，由于柵極沒有電流流過，所以實際的柵極電位就是分壓公式所求得的值。源極的直流電位VS比VG高出柵極源極間電壓VGS的值，即： VS=VG+VGS 實際上，VGS是以源極為基準(zhǔn)的，像N溝JFET那樣，當(dāng)源極電位比柵極高應(yīng)該給VGS置以負號。因此，VS等于將VGS加到VG上時，就成為： VS=VG-VGS 雙極晶體管VBE=0.6V或者0.7V，是能夠相互置換的。但是對于FET來說，當(dāng)器件型號和工作點（ID）不同時，VGS的值是不同的。流過源極的直流電流Is可以由下式求得： Is=VS/RS=（VG-VGS）/RS 漏極的直流電位VD是從電源電壓VDD減去RD上的電壓降的部分。如果漏極電流的直流成分為ID，則有： VD=VDD-ID*RD 由于FET的柵極上沒有電流流過，ID=IS，所以上式也可以寫成： VD=VDD-Is*RD 下面來求它的交流放大倍數(shù)。

      FET電路

      　　由輸入Vi引起的源極電流表的交流變化量#is為： #is=vi/RS 高漏極電流的交流變化量為#id，那么可以認為vd的交流變化量#vd就是#id在漏極電阻RD上的電壓降，即： #vd=#id*RD 又因為漏極電流和源極電流相等，所以#vd為： #vd=#is*RD=vi/RS*RD 另外，交流輸出電壓vo是被輸出電容C2隔斷VD的直流成分后的成分，也就是vd的交流成分#vd，即： Vo=#vd=vi/RS*RD 所以不難求得：交流放大倍數(shù)Av為： Av=vo/vi=RD/RS

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      fet知識

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      fet技術(shù)

      一文讀懂場效應(yīng)管的分類、結(jié)構(gòu)以及原理

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      2017-03-27 標(biāo)簽：場效應(yīng)管晶體管FET 13.1萬 0

      Efuse是什么？聊聊芯片級的eFuse

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      eFuse基于一個簡單概念，即通過測量已知電阻器上的電壓來檢測電流，然后在電流超過設(shè)計限值時，通過場效應(yīng)晶體管 (FET) 切斷電流。

      2023-11-01 標(biāo)簽：FET場效應(yīng)晶體管NVM 3.3萬 0

      場效應(yīng)管原理通俗理解 場效應(yīng)管參數(shù)怎么看 場效應(yīng)管是做什么用的

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      場效應(yīng)管（英語：field-effect transistor，縮寫：FET）是一種通過電場效應(yīng)控制電流的電子器件。

      2023-07-28 標(biāo)簽：開關(guān)電源FET場效應(yīng)晶體管 2.6萬 0

      全面認識MOS管，一篇文章就夠了

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      今天勢必要來一篇文章，徹底掌握mos管！

      2023-06-13 標(biāo)簽：場效應(yīng)管MOS管FET 2.1萬 2

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      為了理解IGBT進入退飽和的過程機理，我們有必要簡單比較下MOSFET和IGBT結(jié)構(gòu)上的區(qū)別：簡單來看，IGBT在MOSFET的基本結(jié)構(gòu)上增加了一個P+...

      2023-01-17 標(biāo)簽：MOSFET電感IGBT 1.9萬 0

      電壓控制電路中幾種FET的使用方法

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      LIS公司生產(chǎn)各種FET（場效應(yīng)晶體管），特別值得一提的是他們有各種匹配雙器件產(chǎn)品，這種匹配器件封裝有其獨特優(yōu)勢。

      2018-07-10 標(biāo)簽：控制電路FET 1.9萬 0

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      2024-05-29 標(biāo)簽：二極管控制器電池電壓 1.6萬 0

      場效應(yīng)管的工作原理、放大電路及作用

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      　　場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管。主要有兩種類型：結(jié)型場效應(yīng)管(junction FET—J...

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      常見的PIN-FET電路 與輸入級不采用FET時，相應(yīng)的組件就稱為PIN-TIA。

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      恭喜，您完成了！您可以將此新電路與繼電器一起使用，以使用非常小的開關(guān)來控制高壓大電流負載！每次按下開關(guān)，電路都會改變狀態(tài)。一次按一下即可打開所有內(nèi)容，然...

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      FET的主要參數(shù)  FET的特點與雙極型晶體三極管相比，場效應(yīng)

      2009-09-16 標(biāo)簽：FET 4587 0

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      為什么可以認為Vgs電壓是不變的？ Vgs電壓，也就是場效應(yīng)管（FET）的柵源電壓，在某些情況下可以被認為是恒定的。這是因為在FET工作的過程中，柵電極...

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        TRINAMIC總部位于德國漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個神話，主要致力與運動控制產(chǎn)品的設(shè)計與研發(fā)（步進和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
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        　　閾值電壓 （Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點對應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時，電流達到10mA時的電壓被稱為閾值電壓。
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      • Qi標(biāo)準(zhǔn)
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        國際無線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺國賓館發(fā)布Qi無線充電國際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國。
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      • 手機快充
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        +關(guān)注
        手機快充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。
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      • PWM信號
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      • 共享充電寶
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        董明珠
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        董明珠， 出生于江蘇南京，企業(yè)家 ，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級 、中國社會科學(xué)院經(jīng)濟學(xué)系研究生班、中歐國際工商學(xué)院EMBA 。 　　1990年進入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會副會長、珠海市紅十字會榮譽會長等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日報《中國經(jīng)濟周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”
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