在2024年12月12日落幕的行家說三代半年會(huì)上,行業(yè)內(nèi)上下游主流企業(yè)及行業(yè)精英匯聚深圳,共同探討行業(yè)趨勢,深化交流合作。安世半導(dǎo)體作為其中的重要一員,憑借其領(lǐng)先產(chǎn)品“針對(duì)工業(yè)和可再生能源應(yīng)用的CCPAK封裝GaN FET”榮獲「GaN年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎(jiǎng)」,這一成就不僅展現(xiàn)了安世半導(dǎo)體作為基礎(chǔ)半導(dǎo)體全球領(lǐng)導(dǎo)者的強(qiáng)大實(shí)力,也彰顯了其在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域深耕多年的成果。
Nexperia GaN產(chǎn)品線資深市場拓展經(jīng)理成皓先生代表安世半導(dǎo)體領(lǐng)獎(jiǎng)。
同期舉行的SiC & GaN技術(shù)應(yīng)用創(chuàng)新峰會(huì)上,成皓帶來了《安世半導(dǎo)體GaN FET如何助力新能源行業(yè)創(chuàng)新》的專題報(bào)告。
他指出,隨著全球?qū)稍偕茉吹男枨蟛粩嘣鲩L,GaN技術(shù)憑借其高效能和高頻率特性,正在成為推動(dòng)新能源設(shè)備性能提升的關(guān)鍵因素。目前,安世半導(dǎo)體是業(yè)內(nèi)可同時(shí)提供級(jí)聯(lián)型(Cascode)和增強(qiáng)型(e-mode)氮化鎵器件的供應(yīng)商,產(chǎn)品具有較低的反向恢復(fù)電荷、卓越的溫度穩(wěn)定性等優(yōu)勢,為新能源應(yīng)用降本增效提供優(yōu)良方案。
獲獎(jiǎng)產(chǎn)品
針對(duì)工業(yè)和可再生能源應(yīng)用的CCPAK封裝GaN FET
GAN039-650NTB是一款33 mΩ(典型值)的氮化鎵場效應(yīng)管,采用CCPAK1212i頂部散熱封裝技術(shù),開創(chuàng)了寬禁帶半導(dǎo)體和銅夾片封裝相結(jié)合的新時(shí)代。
這項(xiàng)技術(shù)為太陽能和家用熱泵等可再生能源應(yīng)用帶來諸多優(yōu)勢,進(jìn)一步加強(qiáng)了Nexperia為可持續(xù)應(yīng)用開發(fā)前沿器件技術(shù)的承諾。該技術(shù)還適用于廣泛的工業(yè)應(yīng)用,如伺服驅(qū)動(dòng)器、開關(guān)模式電源(SMPS)、服務(wù)器和電信應(yīng)用。
GAN039-650NTB的級(jí)聯(lián)配置使其能夠提供出色的開關(guān)和導(dǎo)通性能,此外其穩(wěn)健可靠的柵極結(jié)構(gòu)可提供較高的噪聲容限。這一特性還有益于簡化應(yīng)用設(shè)計(jì),無需復(fù)雜的柵極驅(qū)動(dòng)器和控制電路,只需使用標(biāo)準(zhǔn)硅MOSFET驅(qū)動(dòng)器即可輕松驅(qū)動(dòng)這些器件。Nexperia的GaN技術(shù)提高了開關(guān)穩(wěn)定性,并有助于將裸片尺寸縮小約24%。此外,器件的RDS(on)在25℃時(shí)僅為33 mΩ(典型值),同時(shí)其具有較高的門極閾值電壓和較低的等效體二極管導(dǎo)通壓降。
Nexperia (安世半導(dǎo)體)
Nexperia(安世半導(dǎo)體)總部位于荷蘭,是一家在歐洲擁有豐富悠久發(fā)展歷史的全球性半導(dǎo)體公司,目前在歐洲、亞洲和美國共有14,000多名員工。作為基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件開發(fā)和生產(chǎn)的領(lǐng)跑者,Nexperia(安世半導(dǎo)體)的器件被廣泛應(yīng)用于汽車、工業(yè)、移動(dòng)和消費(fèi)等多個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域,幾乎為世界上所有電子設(shè)計(jì)的基本功能提供支持。
Nexperia(安世半導(dǎo)體)為全球客戶提供服務(wù),每年的產(chǎn)品出貨量超過1,000億件。這些產(chǎn)品在效率(如工藝、尺寸、功率及性能)方面成為行業(yè)基準(zhǔn),獲得廣泛認(rèn)可。Nexperia(安世半導(dǎo)體)擁有豐富的IP產(chǎn)品組合和持續(xù)擴(kuò)充的產(chǎn)品范圍,并獲得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和ISO 45001標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證,充分體現(xiàn)了公司對(duì)于創(chuàng)新、高效、可持續(xù)發(fā)展和滿足行業(yè)嚴(yán)苛要求的堅(jiān)定承諾。
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原文標(biāo)題:榮耀登榜 | 安世半導(dǎo)體GaN FET獲2024行家極光獎(jiǎng)優(yōu)秀產(chǎn)品獎(jiǎng)!
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