一区二区三区三上|欧美在线视频五区|国产午夜无码在线观看视频|亚洲国产裸体网站|无码成年人影视|亚洲AV亚洲AV|成人开心激情五月|欧美性爱内射视频|超碰人人干人人上|一区二区无码三区亚洲人区久久精品

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

泛林集團推三款開創(chuàng)性的選擇性刻蝕產(chǎn)品 此前宣布季度股息1.5美元每股

工程師 ? 來源:泛林集團 ? 作者:泛林集團 ? 2022-03-22 14:35 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

泛林集團推三款開創(chuàng)性的選擇性刻蝕產(chǎn)品

泛林集團深信創(chuàng)新不僅來自于創(chuàng)新者,更需要共同合作、精確細致和努力交付才能實現(xiàn)創(chuàng)新。我們助力第四次工業(yè)革命,也是世界領(lǐng)先半導(dǎo)體企業(yè)值得信賴的伙伴。

日前泛林集團推出三款開創(chuàng)性的選擇性刻蝕產(chǎn)品:Argos?、Prevos?和Selis?。這些突破性產(chǎn)品旨在補充和擴展泛林集團行業(yè)領(lǐng)先的刻蝕解決方案組合,使芯片制造商能夠以超高的選擇性和埃米級的精度刻蝕和修改薄膜,以實現(xiàn)最先進的集成電路(IC)性能并加速其3D路線圖。

甚至可以說Argos、Prevos和Selis選擇性刻蝕提升到新的水平,泛林集團全新的精密選擇性刻蝕和表面處理設(shè)備組合有望加速芯片制造商的3D邏輯和存儲路線圖,這是半導(dǎo)體行業(yè)一次重大的進化式飛躍。

· Argos能提供革命性全新選擇性表面處理方式,其創(chuàng)新的MARS?(亞穩(wěn)態(tài)活性自由基源)可以產(chǎn)生非常溫和的自由基等離子體,這是先進邏輯應(yīng)用中高度選擇性表面改性所必需的。

· Prevos采用化學(xué)蒸汽反應(yīng)器,用于極低能量下高精度的選擇性刻蝕。泛林集團開發(fā)了一種全新專有化學(xué)催化劑,專門用于要求極高選擇性的應(yīng)用,如天然氧化物突破、精密修整和凹槽。

· Selis通過使用低能量自由基源控制等離子體,將能量調(diào)諧提升到一個全新的水平。它還具有極低的能量處理模式,專為選擇性必須超高的極端應(yīng)用而設(shè)計,例如對于形成GAA結(jié)構(gòu)非常關(guān)鍵的SiGe選擇性刻蝕步驟。這個過程十分精確,Selis可以在不損壞關(guān)鍵硅層的前提下刻蝕SiGe層。

泛林集團(Lam Research)是一家為半導(dǎo)體行業(yè)提供創(chuàng)新晶圓制造設(shè)備和服務(wù)的全球供應(yīng)商。Lam 的設(shè)備和服務(wù)使客戶能夠構(gòu)建更小、性能更好的設(shè)備。泛林集團也會參與很多行業(yè)會議,泛林集團執(zhí)行副總裁兼首席財務(wù)官道格·貝廷格參加了之前摩根士丹利技術(shù)、媒體和電信會議。

Lam Research Corporation 宣布季度股息

Lam Research Corporation 日前宣布,其董事會已批準(zhǔn)季度股息1.50 美元每股普通股。將支付股息2022 年 4 月 6 日記錄在案的持有人2022 年 3 月 16 日。 未來的股息支付須經(jīng)董事會審查和批準(zhǔn)。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 集成電路
    +關(guān)注

    關(guān)注

    5425

    文章

    12060

    瀏覽量

    368475
  • 晶圓
    +關(guān)注

    關(guān)注

    53

    文章

    5165

    瀏覽量

    129791
  • 刻蝕
    +關(guān)注

    關(guān)注

    2

    文章

    205

    瀏覽量

    13413
  • 泛林集團
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    61

    瀏覽量

    12054
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    半導(dǎo)體選擇性外延生長技術(shù)的發(fā)展歷史

    選擇性外延生長(SEG)是當(dāng)今關(guān)鍵的前端工藝(FEOL)技術(shù)之一,已在CMOS器件制造中使用了20年。英特爾在2003年的90納米節(jié)點平面CMOS中首次引入了SEG技術(shù),用于pMOS源/漏(S/D
    的頭像 發(fā)表于 05-03 12:51 ?2459次閱讀
    半導(dǎo)體<b class='flag-5'>選擇性</b>外延生長技術(shù)的發(fā)展歷史

    集團連續(xù)第年被Ethisphere評為“全球最具商業(yè)道德企業(yè)”之一

    2025 年的表彰對公司在道德、合規(guī)和治理方面的最佳表現(xiàn)給予認(rèn)可 北京時間 2025 年 3 月 18 日—— 集團近日宣布,公司已獲得由定義和推進商業(yè)道德實踐標(biāo)準(zhǔn)的全球領(lǐng)導(dǎo)者
    發(fā)表于 03-18 13:55 ?204次閱讀
    <b class='flag-5'>泛</b><b class='flag-5'>林</b><b class='flag-5'>集團</b>連續(xù)第<b class='flag-5'>三</b>年被Ethisphere評為“全球最具商業(yè)道德企業(yè)”之一

    什么是高選擇性蝕刻

    華林科納半導(dǎo)體高選擇性蝕刻是指在半導(dǎo)體制造等精密加工中,通過化學(xué)或物理手段實現(xiàn)目標(biāo)材料與非目標(biāo)材料刻蝕速率的顯著差異,從而精準(zhǔn)去除指定材料并保護其他結(jié)構(gòu)的工藝技術(shù)?。其核心在于通過工藝優(yōu)化控制
    的頭像 發(fā)表于 03-12 17:02 ?371次閱讀

    瑞薩電子與Altium推出開創(chuàng)性電子系統(tǒng)開發(fā)解決方案

    365”),一電子行業(yè)開創(chuàng)性解決方案,旨在優(yōu)化電子開發(fā)從芯片選型到系統(tǒng)生命周期管理的全流程。這一變革解決方案將在3月11日至13日于德國紐倫堡國際嵌入式展5-371號展位亮相,并預(yù)計將于2026年初上市。
    的頭像 發(fā)表于 03-10 14:21 ?571次閱讀

    集團擬向印度投資12億美元

    美國芯片設(shè)備制造商Lam Research(集團)近日宣布,計劃在未來幾年內(nèi)向印度南部卡納塔克邦投資超過1000億盧比(約12億美元)。
    的頭像 發(fā)表于 02-13 15:57 ?405次閱讀

    Quantinuum發(fā)布開創(chuàng)性生成式量子人工智能框架

    科羅拉多州布魯姆菲爾德與倫敦,2025年2月5日——Quantinuum今日宣布了一項重大突破,推出了開創(chuàng)性的生成式量子人工智能框架(Gen QAI)。這一框架利用獨特的量子生成數(shù)據(jù),展現(xiàn)了在新藥
    的頭像 發(fā)表于 02-10 11:34 ?516次閱讀

    如何提高濕法刻蝕選擇

    的損害,從而提高產(chǎn)品的質(zhì)量和可靠。 優(yōu)化化學(xué)溶液 調(diào)整溶液成分:通過改變刻蝕液的化學(xué)成分,可以顯著影響其對不同材料的選擇性。例如,在多晶硅刻蝕
    的頭像 發(fā)表于 12-25 10:22 ?1011次閱讀

    SiGe與Si選擇性刻蝕技術(shù)

    文章來源:半導(dǎo)體與物理 原文作者:jjfly686 本文簡單介紹了兩種新型的選擇性刻蝕技術(shù)——高氧化性氣體的無等離子體刻蝕和原子層刻蝕。 全環(huán)繞柵極晶體管(Gate-All-Aroun
    的頭像 發(fā)表于 12-17 09:53 ?1282次閱讀
    SiGe與Si<b class='flag-5'>選擇性</b><b class='flag-5'>刻蝕</b>技術(shù)

    xMEMS XMC-2400 μCooling?芯片:開創(chuàng)性全硅微型氣冷散熱技術(shù)獲獎

    近日,一名為xMEMS XMC-2400 μCooling?的芯片震撼發(fā)布,這款芯片以其開創(chuàng)性的全硅微型氣冷式主動散熱技術(shù),專為小型、超薄電子設(shè)備及下一代人工智能(AI)應(yīng)用而精心打造。它的出現(xiàn)
    的頭像 發(fā)表于 12-10 18:14 ?1520次閱讀

    選擇性沉積技術(shù)介紹

    選擇性沉積技術(shù)可以分為按需沉積與按需材料工藝兩種形式。 隨著芯片制造技術(shù)的不斷進步,制造更小、更快且能效更高的芯片具很大的挑戰(zhàn),尤其是全環(huán)繞柵極(Gate-All-Around, GAA)晶體管和更
    的頭像 發(fā)表于 12-07 09:45 ?897次閱讀
    <b class='flag-5'>選擇性</b>沉積技術(shù)介紹

    xMEMS推出Sycamore:開創(chuàng)性1毫米超薄近場全頻MEMS微型揚聲器

    xMEMS推出Sycamore:一開創(chuàng)性1毫米超薄近場全頻MEMS微型揚聲器,適用于智能手表、XR眼鏡與護目鏡、開放式耳塞及其他應(yīng)用。 Sycamore的體積僅為傳統(tǒng)動圈單元的七分之一,厚度為
    的頭像 發(fā)表于 12-05 09:15 ?1257次閱讀

    晶圓表面溫度對干法刻蝕的影響

    本文介紹晶圓表面溫度對干法刻蝕的影響 表面溫度對干法刻蝕的影響主要包括:聚合物沉積,選擇性,光刻膠流動、產(chǎn)物揮發(fā)性與刻蝕速率,表面形貌等。 ? 聚合物沉積?:工藝過程中產(chǎn)生的聚合物會在
    的頭像 發(fā)表于 12-03 10:48 ?1230次閱讀
    晶圓表面溫度對干法<b class='flag-5'>刻蝕</b>的影響

    過電流保護的選擇性是靠什么來實現(xiàn)的

    過電流保護的選擇性是指在電力系統(tǒng)中,當(dāng)發(fā)生短路或過載時,保護裝置能夠按照預(yù)定的順序和時間,優(yōu)先切斷故障部分,而不影響其他正常運行的部分。選擇性是電力系統(tǒng)保護設(shè)計的重要原則之一,它能夠確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性
    的頭像 發(fā)表于 09-26 14:38 ?1484次閱讀

    選擇性喚醒如何實現(xiàn)局部聯(lián)網(wǎng)

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《選擇性喚醒如何實現(xiàn)局部聯(lián)網(wǎng).pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 09-12 10:29 ?0次下載
    <b class='flag-5'>選擇性</b>喚醒如何實現(xiàn)局部聯(lián)網(wǎng)

    集團推出第代低溫介質(zhì)蝕刻技術(shù)Lam Cyro 3.0

    半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)軍企業(yè)集團(Lam Research)近日震撼發(fā)布其專為3D NAND Flash存儲器制造設(shè)計的第代低溫介質(zhì)蝕刻技術(shù)——Lam Cryo 3.0。據(jù)
    的頭像 發(fā)表于 08-02 15:53 ?1280次閱讀