如今，充電器和適配器應用最常用的功率轉換器拓撲是準諧振（QR）反激式拓撲，因為它結構簡單、控制簡便、物料（BOM）成本較低，并可通過波谷切換工作實現(xiàn)高能效。然而，與工作頻率密切相關的開關損耗和變壓器漏感能量損耗，限制了QR反激式轉換器的最大開關頻率，從而限制了功率密度。

在QR反激式轉換器中采用GaN HEMT和平面變壓器，有助于提高開關頻率和功率密度。然而，為了在超薄充電器和適配器設計中實現(xiàn)更高功率密度，軟開關和變壓器漏感能量回收變得不可或缺。這必然導致選用本身效率更高的轉換器拓撲。

本文闡述了如何將英飛凌的CoolGaN?集成功率級（IPS）技術應用于有源鉗位反激式（ACF）、混合反激式（HFB）和LLC轉換器拓撲。采取這種方式可以更快速、更輕松地設計出充電器和適配器解決方案，以打造更小巧、更輕便的產品，或者雖尺寸相同但功率更高的產品，用于為設備快速充電，或用一個適配器為多個設備充電。

能夠實現(xiàn)更高功率密度的轉換器拓撲

事實證明，得益于零電壓開關（ZVS）和無緩沖損耗，諸如有源鉗位反激式（ACF）、混合反激式（HFB）和LLC轉換器等半橋（HB）拓撲，即使在很高開關頻率下也能實現(xiàn)高能效。

有源鉗位反激式（ACF）拓撲

圖1所示為CoolGaN? IPS用于有源鉗位反激式（ACF）轉換器的典型應用示例。在ACF拓撲中，當主開關關斷而鉗位開關接通時，可經(jīng)由鉗位開關來回收存儲在變壓器漏感（Llk）中的能量。Cclamp和Llk通過鉗位開關和變壓器一起諧振，從而將能量傳送到負載。相比于在無源鉗位反激式拓撲中，存儲于傳統(tǒng)RCD鉗位電路Llk中的能量漸漸衰減，這樣的能量回收提高了系統(tǒng)能效。精心設計的ACF拓撲可在軟開關ZVS條件下運行，因此，它的工作開關頻率比在硬開關條件下運行的準諧振（QR）反激式拓撲高得多。這有助于縮小磁性元件的尺寸，包括變壓器和EMI濾波器。

圖1：ACF轉換器應用電路圖

ACF轉換器的組成部件，包括：高端開關和低端開關、變壓器、鉗位電容器Cclamp以及整流器輸出級和電容器。圖2顯示的典型工作波形，簡要說明了ACF轉換器的工作原理。

圖2：ACF轉換器運行

當?shù)投斯β书_關接通時，ACF轉換器將能量存儲在一次側電感器和漏感器（Llk）中。此后，當?shù)投斯β书_關關斷時，這些能量則被傳送至輸出端。在低端開關處于關斷狀態(tài)期間，當高端開關接通時，存儲在漏感器中的能量即被傳送至輸出端。此外，開關ZVS操作可進一步提高能效。這種操作可確保ACF轉換器實現(xiàn)高效性能。

混合反激式（HFB）拓撲

圖3所示為CoolGaN? IPS用于混合反激式（HFB）轉換器拓撲的典型應用示例。

圖3：HFB轉換器應用電路圖

混合反激式轉換器的組成部件，包括：高端開關和低端開關、變壓器、諧振槽（Llk和Cr）以及整流器輸出級和電容器。這種拓撲亦受益于功率開關的軟開關操作，能夠實現(xiàn)高功率密度和高能效。采用與LLC轉換器相同的技術，在這種拓撲中，變壓器漏感和磁化電感可與電容器發(fā)生諧振。此外，基于非互補開關模式的高級控制方案可支持范圍廣泛的AC輸入電壓和DC輸出電壓，這為實現(xiàn)通用USB-C PD運行提供了必要條件。

HFB可以在一次側實現(xiàn)完全ZVS操作，在二次側實現(xiàn)完全ZCS操作。隨后，再回收漏感能量，以實現(xiàn)高能效。混合反激式拓撲可通過可變占空比，輕松實現(xiàn)寬輸出范圍。這克服了LLC拓撲在寬輸出范圍應用中的局限性。有關混合反激式轉換器的更多信息，請參閱［1］。

圖4顯示的典型工作波形，簡要說明了混合反激式轉換器的工作原理。當高端開關接通時，混合反激式轉換器將能量存儲在一次側電感器中。當?shù)投碎_關接通時，則將這些能量傳送至輸出端。通過在兩個MOSFET開關轉換過程中進行適當?shù)亩〞r控制，對于兩個開關，HFB均在ZVS條件下運行，這確保了很高系統(tǒng)能效，而無需額外的組件。得益于ZVS操作實現(xiàn)的高能效以及ZCS操作在二次側帶來的額外的能效提升，混合反激式轉換器為諸如USB-PD快速充電器等超高功率密度轉換器，提供了一個具有成本競爭力的解決方案。

圖4：HFB轉換器運行

LLC轉換器

圖5所示為CoolGaN? IPS用于半橋LLC拓撲的典型應用示例。LLC轉換器是諧振轉換器系列的一員，這意味著電壓調節(jié)并非采用常規(guī)脈寬調制（PWM）方式。LLC轉換器以50%占空比和固定180°相移運行，通過頻率調制，對電壓進行調節(jié)。半橋LLC轉換器的組成部件，包括：高端開關和低端開關、變壓器、諧振槽（Lr和Cr）以及整流器輸出級和電容器。

圖5：半橋LLC轉換器應用電路圖

圖6顯示的典型工作波形，簡要說明了半橋LLC轉換器的工作原理。當高端開關接通時，半橋LLC轉換器在供電（PD）模式下運行。在這個開關循環(huán)中，諧振回路受到正電壓激勵，因此電流正向諧振。當?shù)投碎_關接通時，諧振回路則受到負電壓激勵，因此電流負向諧振。在PD運行模式下，諧振電流和磁化電流之間的電流差經(jīng)由變壓器和整流器傳遞到二次側，從而實現(xiàn)給負載供電。

圖6：半橋LLC轉換器運行

除此之外，所有一次側MOSFET均隨ZVS諧振接通，從而完全回收存儲在MOSFET寄生輸出電容中的能量。與此同時，所有二次側開關均隨ZVS諧振關斷，從而最大限度地降低通常與硬開關相關的開關損耗。LLC轉換器中的所有開關器件均諧振操作，這最大限度地降低了動態(tài)損耗，提高了總體能效，特別是在從數(shù)百kHz至MHz不等的較高工作頻率下。

為了實現(xiàn)高壓開關的零電壓開關（ZVS）工作，這三種拓撲都利用變壓器中的循環(huán)電流來進行開關QOSS放電。顯然，QOSS越大，所需循環(huán)電流越大、放電時間越長。循環(huán)電流會加劇變壓器損耗（鐵芯損耗和繞組損耗），而放電時間則會顯著增加死區(qū)時間。死區(qū)時間會降低有效占空比，并導致電路中的RMS電流更大，從而增加導通損耗。因此，對于極高開關頻率操作，最大限度地減少死區(qū)時間至關重要。GaN HEMT擁有優(yōu)異的FOM（RDS（on）×QOSS），有助于減少死區(qū)時間和降低電路中的循環(huán)電流。歸功于這個優(yōu)點，以及低驅動損耗和零反向恢復，GaN HEMT是適用于ACF、HFB和半橋LLC轉換器的完美之選。

CoolGaN? IPS和65 W ACF轉換器評估板

為進一步優(yōu)化系統(tǒng)尺寸，英飛凌近期推出了CoolGaN?集成功率級（IPS），它采用散熱增強型小型QFN封裝，將600 V增強模式CoolGaN?開關與專用柵極驅動器集于一體。

為演示CoolGaN? IPS的性能，專門開發(fā)了基于CoolGaN? IPS IGI60F1414A1L的65 W有源鉗位反激式轉換器（圖7）。［2］

圖7：搭載CoolGaN? IPS半橋的65 W ACF評估板正面視圖

測得的能效曲線（圖8）表明，其四點平均效率和10%負載條件效率均符合CoC Tier2和DoE Level VI效率要求。

圖8：不同輸入電壓和負載條件下的ACF評估板能效曲線

總結

如今的高功率密度充電器和適配器應用常常使用GaN HEMT，因為相比于硅MOSFET，它們的優(yōu)值系數(shù)（FOM）大為改善，可以實現(xiàn)高頻開關。CoolGaN? IPS技術在緊湊型封裝中集成了柵極驅動器并可支持高工作頻率，特別適用于有源鉗位反激式（ACF）、混合反激式（HFB）和LLC轉換器，因而有助于進一步提高充電器和適配器設計的功率密度。

如欲深入了解關于英飛凌的CoolGaN? IPS產品組合及全面的解決方案，敬請訪問我們的相關網(wǎng)站。還可以了解搭載IGI60F1414A1L（EVAL HB GANIPS G1）的高頻CoolGaNTM IPS半橋600 V評估板。