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什么是“雙芯疊加”技術(shù)?

微云疏影 ? 來源:一起聊IT ? 作者:一起聊IT ? 2022-04-11 15:10 ? 次閱讀
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在芯片設(shè)計(jì)方面,華為公司也新曝出了一個(gè)“雙芯疊加”專利,這種方式甚至可以讓14nm芯片經(jīng)過優(yōu)化后比肩7nm性能。

根據(jù)華為曝出的專利來看,華為這種“雙芯疊加”專利確實(shí)能夠大大提升14nm芯片的性能。當(dāng)然,如果說要比肩真正的7nm芯片,那可能還存在一定差距,就好比英特爾的14nm++工藝。

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具體來講,14nm與7nm之間的差距就是相同的芯片面積下,7nm可以擁有更多的晶體管數(shù)量,而晶體管的數(shù)量限制了芯片的性能。

這也就是說一顆14nm芯片無論怎么優(yōu)化都比不過7nm,就如同把兩杯50°的水倒在一起,怎么也到不了100°。但是如果通過某種技術(shù),把芯片任務(wù)進(jìn)行分工,7nm芯片完全自己干,兩顆疊在一起的14nm芯片分別完成一部分,然后將最后得到的結(jié)果疊加,那么也能完成7nm芯片的任務(wù)。簡單來說就是把兩顆芯片的任務(wù)分工處理,再疊加在一起,形成更強(qiáng)的運(yùn)行效率。理論上來說優(yōu)化14nm媲美7nm是有可能實(shí)現(xiàn)的,但也需要解決功耗,信號同步和數(shù)據(jù)流協(xié)同處理等方面的問題。

當(dāng)然,這樣一來功耗勢必要提高很多,而這正是“雙芯疊加”的難度所在。

這個(gè)專利很多人都理解為兩顆獨(dú)立芯片進(jìn)行物理堆疊的方式去實(shí)現(xiàn)性能突破,其實(shí)這是非常嚴(yán)重的錯(cuò)誤,如果單單依靠物理堆疊,那么會有非常多的弊端無法解決,例如兼容性,穩(wěn)定性,發(fā)熱控制這些都是沒法通過物理堆疊來解決問題的,在設(shè)計(jì)思路上面就會走上歧路,得不償失也毫無意義。

雙芯疊加層級運(yùn)用于設(shè)計(jì)和生產(chǎn)初期,也就是說在設(shè)計(jì)過程中將原來的一顆芯片設(shè)計(jì)成雙層芯片然后利用自己獨(dú)特的技術(shù),來將這兩層芯片封裝在一顆芯片中,通過同步信號方式與一些其他方法就可以激活雙層芯片共同發(fā)力,從而實(shí)現(xiàn)芯片性能突破。所以說一個(gè)物理層堆疊,一個(gè)設(shè)計(jì)之初就開始改變設(shè)計(jì)思路,這是完全不同的兩個(gè)方式。

歷史上英特爾也實(shí)現(xiàn)過類似的技術(shù)突破,只是英特爾是通過物理封裝的方式來完成全新的設(shè)計(jì)。從單片到2D集成,再從2D集成到3D集成,最終滿足不同應(yīng)用場景的需求。在2005年AMD推出的雙核處理器速龍64 X2取得領(lǐng)先優(yōu)勢時(shí),英特爾就通過封裝工藝將兩個(gè)處理器核心封裝在一個(gè)基板上,推出了奔騰D系列。奔騰D系列的雙核心其實(shí)與奔騰4并無太大變化,它是將兩個(gè)奔騰4處理器封裝在一個(gè)基板上變成雙核處理器,這與AMD 速龍64 X2的原生雙核有根本的區(qū)別。英特爾的這種做法由于奔騰D的雙核處理器沒有共享內(nèi)存、獨(dú)立的總線互聯(lián)等原因,因此奔騰D的性能遠(yuǎn)比不上AMD的速龍X2,反而因此導(dǎo)致處理器的功耗大幅飆升,直到兩年后真雙核處理器酷睿2系列推出后,奔騰D迅速退場。

英特爾在雙核處理器競賽中后來居上,開始推出tick-tock計(jì)劃,依靠自家的先進(jìn)工藝制程加上處理器核心升級更快迅速取得競爭優(yōu)勢,而AMD則由于缺乏資金不得不賣掉芯片制造業(yè)務(wù)但是在核心競賽中依然處于劣勢,至2012年處理器已出到八核心。

面對英特爾的競爭優(yōu)勢,AMD在多核技術(shù)研發(fā)落后的情況下,推出的FX系列也采取了通過封裝的方式將兩個(gè)四核處理器封裝在一起從而實(shí)現(xiàn)八核架構(gòu)。不過AMD的FX系列雖然擁有八個(gè)核心,但是它是兩個(gè)核心共用一個(gè)浮點(diǎn)運(yùn)算單元,然而當(dāng)時(shí)的應(yīng)用軟件依然需要大量浮點(diǎn)運(yùn)算,為了進(jìn)一步提高性能,AMD將CPU主頻提高至5GHz,結(jié)果是導(dǎo)致功耗飆升,以致于AMD處理器銷售端不得不在出售FX9590系列時(shí)強(qiáng)制捆綁水冷散熱器銷售。

從英特爾和AMD的做法都可以看出,僅靠封裝技術(shù)無法取得1+1大于2的結(jié)果,反而這種做法導(dǎo)致的后果就是功耗過高,不利于散熱,在實(shí)際使用中可以得到的性能提升遠(yuǎn)小于預(yù)期。

歸根結(jié)底,目前已知國內(nèi)的芯片制程最高只能夠做到14納米,雖然正在向著7nm不斷進(jìn)發(fā),但是是由于沒有最先進(jìn)的euv***,所以導(dǎo)致中芯國際即便是能夠研發(fā)出7納米,也沒有辦法進(jìn)行試產(chǎn)。如果能通過這種雙芯疊加的技術(shù)手段對于芯片進(jìn)行優(yōu)化,這樣14nm芯片的性能就能夠達(dá)到7nm性能標(biāo)準(zhǔn),也算是華為的一種另辟蹊徑吧。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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