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納微半導(dǎo)體宣布開設(shè)全新電動(dòng)汽車設(shè)計(jì)中心

半導(dǎo)體芯科技SiSC ? 來源:半導(dǎo)體芯科技SiSC ? 作者:半導(dǎo)體芯科技SiS ? 2022-05-09 09:41 ? 次閱讀

下一代氮化鎵功率芯片將加速充電更快,駕駛距離更遠(yuǎn)的電動(dòng)汽車普及提前三年來到,并減少20%道路二氧化碳排放。

2022年初,北京—— 氮化鎵 (GaN) 功率芯片的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者 Navitas Semiconductor(納斯達(dá)克代碼:NVTS)宣布開設(shè)新的電動(dòng)汽車 (EV) 設(shè)計(jì)中心,進(jìn)一步擴(kuò)展到更高功率的氮化鎵市場(chǎng)。與傳統(tǒng)的硅解決方案相比,基于氮化鎵的車載充電器 (OBC) 的充電速度估計(jì)快 3 倍,節(jié)能高達(dá) 70%。據(jù)估計(jì),氮化鎵OBC、DC-DC 轉(zhuǎn)換器和牽引逆變器將有望延長(zhǎng)電動(dòng)汽車?yán)m(xù)航里程,或?qū)㈦姵爻杀窘档?5%,和原先使用硅芯片相比,氮化鎵功率芯片有望加速全球 EV 的普及提前三年來到。據(jù)估計(jì),到 2050 年,將電動(dòng)汽車升級(jí)到使用GaN之后,道路部門的二氧化碳排放量每年有望減少 20%,這也是《巴黎協(xié)定》的減排目標(biāo)。

氮化鎵 (GaN) 器件是功率半導(dǎo)體技術(shù)的前沿,其運(yùn)行速度比傳統(tǒng)硅芯片快 20 倍。 Navitas 的 GaNFast? 功率芯片集成了 GaN 電源、GaN 驅(qū)動(dòng)、保護(hù)和控制。高速和高效率已成為節(jié)能、高功率密度、低成本和更高可靠性的新行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。

新的設(shè)計(jì)中心位于中國(guó)上海,擁有一支經(jīng)驗(yàn)豐富的世界級(jí)電力系統(tǒng)設(shè)計(jì)師團(tuán)隊(duì),他們?cè)?a href="http://www.www27dydycom.cn/v/tag/2364/" target="_blank">電氣、熱力和機(jī)械設(shè)計(jì)、軟件開發(fā)以及完整的仿真和原型設(shè)計(jì)能力方面具有全面的能力。新團(tuán)隊(duì)將在全球范圍內(nèi)為電動(dòng)汽車客戶提供支持,從概念到原型,再到全面認(rèn)證和大規(guī)模生產(chǎn)。

著名電動(dòng)汽車行業(yè)專家、上海設(shè)計(jì)中心新任高級(jí)總監(jiān)孫浩先生表示:“設(shè)計(jì)中心將為全功能、可產(chǎn)品化的電動(dòng)汽車動(dòng)力系統(tǒng)開發(fā)原理圖、布局和固件。 Navitas 將與 OBC、DC-DC 和牽引系統(tǒng)公司合作,創(chuàng)建具有最高功率密度和最高效率的創(chuàng)新世界級(jí)解決方案,以推動(dòng) GaN 進(jìn)入主流電動(dòng)汽車?!?/p>

為 EV 應(yīng)用量身定制的高功率 650V GaN IC 已于2021年 12 月向 EV 客戶提供樣品。在最近的小米產(chǎn)投日活動(dòng)上,納微展示了 6.6kW OBC 概念模型,后在CES 上也進(jìn)行了展示。

“納微半導(dǎo)體電動(dòng)汽車團(tuán)隊(duì)在提供動(dòng)力系統(tǒng)方面擁有豐富的人才和成熟的經(jīng)驗(yàn),”納微半導(dǎo)體副總裁兼中國(guó)區(qū)總經(jīng)理查瑩杰表示。 “對(duì)于 GaN 來說,電動(dòng)汽車是一個(gè)令人興奮的擴(kuò)展市場(chǎng),估計(jì)每輛 EV 內(nèi),氮化鎵的潛在價(jià)值為 250 美元。逐個(gè)市場(chǎng)來看,Navitas 正在快速推進(jìn)到更高功率的應(yīng)用,例如電動(dòng)汽車、數(shù)據(jù)中心和太陽(yáng)能。”

制造氮化鎵功率芯片的二氧化碳排放量比硅芯片低 10 倍。考慮到效率以及材料尺寸和重量?jī)?yōu)勢(shì),每個(gè)出貨的納微氮化鎵功率芯片相比硅可以節(jié)省大約 4 公斤的二氧化碳。總體而言,到 2050 年GaN 有望解決每年 2.6 Gton 的二氧化碳排放量減少問題。

關(guān)于納微半導(dǎo)體

納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼: NVTS)成立于2014年,是氮化鎵功率芯片的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者。氮化鎵功率芯片將氮化鎵功率器件與驅(qū)動(dòng)、控制和保護(hù)集成在一起,為移動(dòng)設(shè)備、消費(fèi)產(chǎn)品、企業(yè)、電動(dòng)汽車和新能源市場(chǎng)提供充電更快、功率密度更高和節(jié)能效果更好的產(chǎn)品。納微半導(dǎo)體擁有130多項(xiàng)專利已經(jīng)頒發(fā)或正在申請(qǐng)中,超過3000萬(wàn)個(gè)GaNFast功率芯片已經(jīng)發(fā)貨,沒有任何關(guān)于納微氮化鎵功率芯片的現(xiàn)場(chǎng)故障報(bào)告。2021年10月20日,納微半導(dǎo)體敲響了納斯達(dá)克的開市鐘,并開始在納斯達(dá)克交易,當(dāng)日企業(yè)價(jià)值超過10億美元,總?cè)谫Y額超過3.2億美元。

近期會(huì)議

2022年5月24日,由ACT雅時(shí)國(guó)際商訊主辦,《半導(dǎo)體芯科技》&CHIP China晶芯研討會(huì)將在蘇州·金雞湖國(guó)際會(huì)議中心隆重舉行!屆時(shí)業(yè)內(nèi)專家將齊聚蘇州,與您共探半導(dǎo)體制造業(yè),如何促進(jìn)先進(jìn)制造與封裝技術(shù)的協(xié)同發(fā)展。大會(huì)現(xiàn)已啟動(dòng)預(yù)約登記,報(bào)名鏈接http://w.lwc.cn/s/ZFRfA3

關(guān)于我們

《半導(dǎo)體芯科技》(Silicon Semiconductor China, SiSC)是面向中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)的專業(yè)媒體,已獲得全球知名雜志《Silicon Semiconductor》的獨(dú)家授權(quán);本刊針對(duì)中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)特點(diǎn)遴選相關(guān)優(yōu)秀文章翻譯,并匯集編輯征稿、國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體行業(yè)新聞、深度分析和權(quán)威評(píng)論、產(chǎn)品聚焦等多方面內(nèi)容。由雅時(shí)國(guó)際商訊(ACT International)以簡(jiǎn)體中文出版、雙月刊發(fā)行一年6期。每期紙質(zhì)書12,235冊(cè),電子書發(fā)行15,749,內(nèi)容覆蓋半導(dǎo)體制造工藝技術(shù)、封裝、設(shè)備、材料、測(cè)試、MEMSIC設(shè)計(jì)、制造等。每年主辦線上/線下 CHIP China晶芯研討會(huì),搭建業(yè)界技術(shù)的有效交流平臺(tái)。

審核編輯:湯梓紅

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