電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃山明)近日，華為密集公布了多項(xiàng)技術(shù)專(zhuān)利，其中引人注意的是華為再次公布了兩項(xiàng)與芯片堆疊有關(guān)的專(zhuān)利。為何說(shuō)再次，因?yàn)榫驮谝粋€(gè)月前，華為同樣公開(kāi)了“一種芯片堆疊封裝及終端設(shè)備”的專(zhuān)利。多項(xiàng)與芯片堆疊相關(guān)專(zhuān)利的公開(kāi)，或許也揭露了華為未來(lái)在芯片技術(shù)上的一個(gè)發(fā)展方向。

華為芯片堆疊技術(shù)之路

本次華為所公布的兩項(xiàng)芯片堆疊相關(guān)專(zhuān)利非常有意思，一項(xiàng)是“一種多芯片堆疊封裝及制作方法”(申請(qǐng)公布號(hào)：CN114287057A)，用來(lái)解決多芯片的應(yīng)力集中問(wèn)題，能夠以進(jìn)行更多層芯片的堆疊。

另一項(xiàng)為“芯片堆疊封裝結(jié)構(gòu)及其封裝方法、電子設(shè)備”(申請(qǐng)公布號(hào)：CN114450786A)，用于解決如何將多個(gè)副芯片堆疊單元可靠的鍵合在同一主芯片堆疊單元上的問(wèn)題。

圖源：國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局

如果往前翻，可以發(fā)現(xiàn)早在2012年，華為便已經(jīng)對(duì)芯片堆疊技術(shù)進(jìn)行專(zhuān)利公開(kāi)，該專(zhuān)利為“芯片堆疊封裝結(jié)構(gòu)”(申請(qǐng)公布號(hào)：CN102693968A)，主要設(shè)計(jì)芯片封裝技術(shù)領(lǐng)域，實(shí)現(xiàn)芯片的高密度堆疊，提高芯片堆疊封裝結(jié)構(gòu)的散熱效率。

其后幾年，華為也在不斷對(duì)外公開(kāi)其芯片堆疊的相關(guān)技術(shù)，足以證明長(zhǎng)期以來(lái)華為都在這項(xiàng)技術(shù)上深耕研發(fā)。

眾多廠(chǎng)商競(jìng)逐芯片堆疊技術(shù)

從國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局所公布的專(zhuān)利來(lái)看，在芯片堆疊技術(shù)上并非華為的專(zhuān)場(chǎng)，眾多半導(dǎo)體大廠(chǎng)都在進(jìn)行相關(guān)研發(fā)探索。如三星電子、賽靈思、博世、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)、長(zhǎng)江存儲(chǔ)等，而芯片堆疊技術(shù)為何會(huì)受到如此多廠(chǎng)商的青睞?

芯片堆疊，也就是封裝堆疊，或者一個(gè)更廣為人知的稱(chēng)呼是3D封裝，這項(xiàng)技術(shù)的確是未來(lái)半導(dǎo)體發(fā)展的重要方向。

為何如此說(shuō)?這就需要談到目前芯片工藝制程發(fā)展了。隨著芯片工藝制程的快速發(fā)展，其效益卻面臨著邊際遞減的問(wèn)題，也就是說(shuō)先進(jìn)工藝制程可以讓芯片的性能更強(qiáng)、功耗更低，但卻無(wú)法使得芯片變得更便宜。

一個(gè)直觀(guān)的感受是，如今高端旗艦手機(jī)價(jià)格越來(lái)越昂貴了，而其中成本的大頭來(lái)自手機(jī)SoC，5nm的芯片要比7nm貴的多。也許不少消費(fèi)者認(rèn)為理所應(yīng)當(dāng)，但在過(guò)去可不是如此。

在芯片工藝制程發(fā)展之初，先進(jìn)制程不僅能帶來(lái)更強(qiáng)勁的性能，讓芯片變得更小，同時(shí)也能讓晶體管成本下降。但從28nm以后，這個(gè)趨勢(shì)被打破了，這也是為何許多對(duì)性能與功耗要求不高的芯片仍然采用28nm制程，因?yàn)檫@樣具有最佳性?xún)r(jià)比。

那么不想增加成本用更先進(jìn)的制程，又想擁有更強(qiáng)的性能，有沒(méi)有方法實(shí)現(xiàn)呢?當(dāng)然有，那就是采用芯片堆疊技術(shù)。比如英國(guó)的AI芯片公司Graphcore發(fā)布了一款I(lǐng)PU產(chǎn)品Bow，采用臺(tái)積電7nm工藝生產(chǎn)，經(jīng)過(guò)臺(tái)積電研發(fā)的3D WoW硅晶圓堆疊技術(shù)封裝后，性能提升了40%，功耗降低16%。

這是什么概念，要知道臺(tái)積電宣傳時(shí)的5nm工藝相比7nm在同等功耗下提升15%的性能，而在同等功耗下則可以提升30%的性能，對(duì)比來(lái)看，芯片堆疊技術(shù)反而表現(xiàn)更強(qiáng)。

臺(tái)積電的這項(xiàng)3D WoW硅晶圓堆疊技術(shù)，自2018年被提出，可以認(rèn)為是類(lèi)似于3D NAND閃存多層堆疊一樣，將兩層Die以鏡像方式垂直堆疊起來(lái)，以更先進(jìn)的封裝技術(shù)提升芯片性能。

有了芯片堆疊技術(shù)，就能夠讓廠(chǎng)商以成熟工藝來(lái)獲得更高的性能，同時(shí)還能降低成本，畢竟成熟工藝良率更高，產(chǎn)能更大。

芯片堆疊技術(shù)能否幫助華為渡過(guò)燃眉之急

就在不久前舉辦的華為2021年業(yè)績(jī)發(fā)布會(huì)上，時(shí)任華為輪值董事長(zhǎng)的郭平表示，未來(lái)華為可能會(huì)采用多核結(jié)構(gòu)的芯片設(shè)計(jì)方案，以提升性能。同時(shí)，采用面積換性能，用堆疊換性能，使得不那么先進(jìn)的工藝也能持續(xù)讓華為在未來(lái)的產(chǎn)品里面，能夠具有競(jìng)爭(zhēng)力。

其中的面積換性能、堆疊換性能，指的大概就是芯片堆疊技術(shù)了。顯然對(duì)于這項(xiàng)技術(shù)，華為予以厚望。

同時(shí)在上個(gè)月召開(kāi)的華為折疊屏及全場(chǎng)景新品發(fā)布會(huì)中，華為常務(wù)董事、終端BG CEO、智能汽車(chē)解決方案BU CEO余承東更是公開(kāi)表示，當(dāng)前華為手機(jī)的供應(yīng)得到了極大地改善，去年華為手機(jī)供應(yīng)很困難，而今年華為手機(jī)開(kāi)始回來(lái)了，所以大家想買(mǎi)華為產(chǎn)品，華為手機(jī)都能買(mǎi)到，這是一個(gè)最大的好消息。

如果余承東沒(méi)有說(shuō)“大話(huà)”，那么可以大膽的推測(cè)，華為在今年開(kāi)始逐步解決芯片供給問(wèn)題，而解決供應(yīng)問(wèn)題的一項(xiàng)方法便是采用芯片堆疊技術(shù)。

就如同Graphcore的AI芯片Bow一樣，能夠使7nm芯片通過(guò)堆疊技術(shù)之后性能要強(qiáng)于5nm。蘋(píng)果公司在今年的春季發(fā)布會(huì)上，便帶來(lái)了一款名為“M1 Ultra”的芯片，該蘋(píng)果采用特殊的封裝工藝，將兩塊M1 Max芯片串聯(lián)到了一起，從而實(shí)現(xiàn)了90%的性能提升。

顯然，華為也可以通過(guò)類(lèi)似方法讓低制程芯片也煥發(fā)出新的生機(jī)，從而得到更高的性能表現(xiàn)，實(shí)現(xiàn)讓華為的產(chǎn)品具備一定市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力的承諾。在一定程度上來(lái)說(shuō)，使用芯片堆疊技術(shù)，的確能夠幫助華為解決無(wú)法獲得先進(jìn)制程芯片下，產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力缺失的問(wèn)題。

寫(xiě)在最后

需要注意的是，芯片堆疊技術(shù)并非萬(wàn)能。誠(chéng)然，在一代制程差距內(nèi)，通過(guò)芯片堆疊技術(shù)可以讓低制程芯片在性能接近甚至超越高制程芯片，并且還能擁有良品率高、成本低等優(yōu)勢(shì)，但這也是有極限的。

比如7nm通過(guò)芯片堆疊技術(shù)可以擁有5nm芯片的性能表現(xiàn)，而14nm芯片則需要6顆疊在一起才能在晶體管上比得上一顆5nm芯片。這樣一來(lái)，不僅是體積大增，同時(shí)由于線(xiàn)寬過(guò)小，會(huì)導(dǎo)致極間漏電流增大，邏輯錯(cuò)誤增加，極間電容因?yàn)椴季€(xiàn)增多也會(huì)大幅增加，從而導(dǎo)致整體功耗增加數(shù)倍。而功耗的增加也導(dǎo)致發(fā)熱情況非常嚴(yán)重，華為的2012年的專(zhuān)利便已經(jīng)意識(shí)到芯片堆疊的發(fā)熱問(wèn)題。

即便這些問(wèn)題都能夠解決，但更關(guān)鍵的問(wèn)題是，即便通過(guò)芯片疊加，使晶體管數(shù)量能夠比肩高制程芯片，但算力利用率顯然不是簡(jiǎn)單的1+1=2，大部分情況下最多只能得到1.3左右，即便是蘋(píng)果，其性能也是在1.8左右。這項(xiàng)技術(shù)想要真正走向成熟，還有不小的路程。

原文標(biāo)題：華為公布芯片堆疊專(zhuān)利，能否解缺芯燃眉之急

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審核編輯：湯梓紅