如今的開(kāi)關(guān)電源技術(shù)很大程度上依托于電源半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件，如MOSFET和IGBT。這些器件提供了快速開(kāi)關(guān)速度，能夠耐受沒(méi)有規(guī)律的電壓峰值。同時(shí)在On或Off狀態(tài)下小號(hào)的功率非常小，實(shí)現(xiàn)了很高的轉(zhuǎn)化效率，熱損耗極低。

開(kāi)關(guān)設(shè)備極大程度上決定了SMPS的整體性能。開(kāi)關(guān)器件的損耗可以說(shuō)是開(kāi)關(guān)電源中最為重要的一個(gè)損耗點(diǎn)，課件開(kāi)關(guān)損耗測(cè)試是至關(guān)重要的。本文僅就開(kāi)關(guān)損耗測(cè)試方案中的探頭應(yīng)用進(jìn)行介紹。

上圖使用MSO5配合THDP0200及TCP0030A等探頭。

以上方案中通過(guò)示波器專(zhuān)門(mén)的開(kāi)關(guān)損耗算法，配合泰克探頭，完美補(bǔ)償探頭延遲，減少了開(kāi)關(guān)損耗運(yùn)算過(guò)程中產(chǎn)生的誤差。測(cè)試結(jié)果極為可靠。

TCP0030A及THDP0200參數(shù)：

探頭外觀圖

TCP0030A

THDP0200

附：常見(jiàn)參數(shù)介紹

1、帶寬，代表了探頭可測(cè)到的最大信號(hào)頻率

2、共模抑制比，代表了探頭抑制共模干擾的能力，越大代表抑制能力越強(qiáng)

3、輸入電容，代表探頭對(duì)于被測(cè)系統(tǒng)的負(fù)載影響，輸入電容越低，影響越小測(cè)試效果越好。

審核編輯：湯梓紅