晶體管的密度,同時(shí)減少了芯片的橫向面積。
相比傳統(tǒng)的FinFET和納米片晶體管,叉片晶體管能夠顯著減少nFET和pFET之間的間距,從而在相
發(fā)表于 06-20 10:40
導(dǎo)語(yǔ)薄膜晶體管(TFT)作為平板顯示技術(shù)的核心驅(qū)動(dòng)元件,通過(guò)材料創(chuàng)新與工藝優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)了從傳統(tǒng)非晶硅向氧化物半導(dǎo)體、柔性電子的技術(shù)跨越。本文將聚焦于薄膜晶體管制造技術(shù)與前沿發(fā)展。
發(fā)表于 05-27 09:51
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當(dāng)代所有的集成電路芯片都是由PN結(jié)或肖特基勢(shì)壘結(jié)所構(gòu)成:雙極結(jié)型晶體管(BJT)包含兩個(gè)背靠背的PN 結(jié),MOSFET也是如此。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET) 垂直于溝道方向有一個(gè) PN
發(fā)表于 05-16 17:32
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LP395 是一款具有完全過(guò)載保護(hù)的快速單片晶體管。這非常 片上包括高增益晶體管、電流限制、功率限制和熱 過(guò)載保護(hù),使其幾乎難以因任何類型的過(guò)載而銷毀。適用于 該器件采用環(huán)氧樹(shù)脂 TO-92 晶體管封裝,額定電流為 100 mA
發(fā)表于 05-15 10:36
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近日,荷蘭特文特大學(xué)科學(xué)家開(kāi)發(fā)出一種新工藝,能在室溫下制造出晶體結(jié)構(gòu)高度有序的半導(dǎo)體材料。他們表示,通過(guò)精準(zhǔn)控制這種半導(dǎo)體材料的晶體結(jié)構(gòu),大幅降低了內(nèi)部納米級(jí)缺陷的數(shù)量,可顯著提升光電
發(fā)表于 01-23 09:52
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晶體管與場(chǎng)效應(yīng)管的區(qū)別 工作原理 : 晶體管 :晶體管(BJT)基于雙極型晶體管的原理,即通過(guò)控制基極電流來(lái)控制集電極和發(fā)射極之間的電流。
發(fā)表于 12-03 09:42
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本文通過(guò)圖文并茂的方式生動(dòng)展示了MOSFET晶體管的工藝制造流程,并闡述了芯片的制造原理。 ? MOSFET的工藝流程 芯片制造
發(fā)表于 11-24 09:13
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CMOS晶體管尺寸規(guī)則是一個(gè)復(fù)雜且關(guān)鍵的設(shè)計(jì)領(lǐng)域,它涉及到多個(gè)方面的考量,包括晶體管的性能、功耗、面積利用率以及制造工藝等。以下將從CMOS晶體管的基本結(jié)構(gòu)、尺寸對(duì)性能的影響、設(shè)計(jì)規(guī)則
發(fā)表于 09-13 14:10
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NMOS晶體管和PMOS晶體管是兩種常見(jiàn)的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)類型,它們?cè)诙鄠€(gè)方面存在顯著的差異。以下將從結(jié)構(gòu)、工作原理、性能特點(diǎn)、應(yīng)用場(chǎng)景等方面詳細(xì)闡述NMOS晶體管
發(fā)表于 09-13 14:10
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CMOS晶體管和MOSFET晶體管在電子領(lǐng)域中都扮演著重要角色,但它們?cè)诮Y(jié)構(gòu)、工作原理和應(yīng)用方面存在顯著的區(qū)別。以下是對(duì)兩者區(qū)別的詳細(xì)闡述。
發(fā)表于 09-13 14:09
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晶體管是一種固體半導(dǎo)體器件,它通過(guò)控制電流的流動(dòng)來(lái)實(shí)現(xiàn)電子信號(hào)的放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。根據(jù)其結(jié)構(gòu)和工作原理的不同,晶體管可以分為多種類型。
發(fā)表于 08-15 11:49
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晶體管的主要材料是半導(dǎo)體材料,這些材料在導(dǎo)電性能上介于導(dǎo)體和絕緣體之間,具有獨(dú)特的電子結(jié)構(gòu)和性質(zhì),使得晶體管能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)電流的有效控制。以下將詳細(xì)探討晶體管的主要材料,包括硅(Si)、鍺(Ge)、氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)
發(fā)表于 08-15 11:32
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GaN(氮化鎵)晶體管,特別是GaN HEMT(高電子遷移率晶體管),近年來(lái)在多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出廣泛的應(yīng)用場(chǎng)景。其出色的高頻性能、高功率密度、高溫穩(wěn)定性以及低導(dǎo)通電阻等特性,使得GaN晶體管成為電力電子和高頻通信等領(lǐng)域的優(yōu)選器件。以
發(fā)表于 08-15 11:27
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GaN(氮化鎵)晶體管和SiC(碳化硅)晶體管作為兩種先進(jìn)的功率半導(dǎo)體器件,在電力電子、高頻通信及高溫高壓應(yīng)用等領(lǐng)域展現(xiàn)出了顯著的優(yōu)勢(shì)。然而,它們?cè)诓牧咸匦?、性能表現(xiàn)、應(yīng)用場(chǎng)景以及制造工藝等方面存在諸多不同。以下是對(duì)這兩種
發(fā)表于 08-15 11:16
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一、引言 有關(guān)系。隨著集成電路技術(shù)的飛速發(fā)展,芯片晶體管作為電子設(shè)備的核心元件,其性能的優(yōu)化和制造技術(shù)的提升成為了行業(yè)關(guān)注的焦點(diǎn)。在晶體管的眾多設(shè)計(jì)參數(shù)中,深度和寬度是兩個(gè)至關(guān)重要的因素。它們不僅
發(fā)表于 07-18 17:23
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評(píng)論