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晶體振蕩器電性能差異化應(yīng)用

KOAN晶振 ? 來源:KOAN晶振 ? 作者:凱擎小妹 ? 2022-07-05 14:42 ? 次閱讀
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高精密電子儀器和通信系統(tǒng)的應(yīng)用下,我們需要考慮不同封裝的石英晶振的電性能參數(shù)變化對系統(tǒng)的影響。

1、晶振的發(fā)展趨勢

近年來,晶振朝著小型化發(fā)展,例如便攜式設(shè)備:

SMD 2.0x1.6mm尺寸:

CMOS輸出時鐘振蕩器(KS20);

SMD 2.5x2.0mm尺寸:

LVDS輸出時鐘振蕩器 (KD256D);

HCSL輸出時鐘振蕩器 (KD256C);

2、低功耗晶振:

1.2V低電壓MHz晶體振蕩器, 尺寸可選2.5x2.0mm, 3.2x2.5mm, 5.0x3.2mm, 7.0x5.0mm。

100μA最大KHz晶體振蕩器, 尺寸可選3.2x2.5mm, 5.0x3.2mm, 7.0x5.0mm。

同時具備小尺寸和低功耗的晶振適合在移動設(shè)備和穿戴設(shè)備中使用。

起振時間

起振時間主要由晶體的諧振電阻與負性阻抗共同決定。

晶體的諧振電阻越小,起振越快;

負性阻抗大小由振蕩IC和負載電容CL決定,負載電容與負性阻抗大小成反比。

CL值大→負性阻抗較小→起振較慢

CL值小→負性阻抗較大→起振較快

相位噪聲/抖動

KOAN建議選用諧振電阻較小的晶片,才能給CL保留調(diào)整空間,改善近端和遠端低相位噪聲需求。

起振較慢→電路相對穩(wěn)定→遠端相噪好→不利于近端相噪

起振較快→近端相噪好→但是牽引量較大→線路不穩(wěn)定→頻率漂移較大→不利遠端相噪

其它:電壓/電流/功耗...

隨著小型化低功耗發(fā)展趨勢,電源電壓,電流,體積,功耗相應(yīng)減小,驅(qū)動能力變?nèi)酢?/p>

如果電子設(shè)備需要驅(qū)動能力比較強的振蕩器,盡量選擇體積大,電壓高,避免選擇電壓高低兼容晶振;

如果既要體積小又要驅(qū)動能力相對較強,可選用負載能力比較高的振蕩IC,同時選擇高Q晶體。需要注意的是:體積越小,電壓也要隨之降低,防止晶體激勵功率過高。

文章出處:【微信公眾號:KOAN晶振】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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原文標題:晶體振蕩器電性能差異化應(yīng)用

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