duv和euv光刻機區(qū)別
目前的光刻機主要分為EUV光刻機和DUV光刻機。DUV是深紫外線（Deep Ultraviolet Lithography），EUV是極深紫外線（Extreme Ultraviolet Lithography）。前者采用極紫外光刻技術(shù)，后者采用深紫外光刻技術(shù)。EUV已被確定為先進工藝芯片光刻機的發(fā)展方向。
DUV已經(jīng)能滿足絕大多數(shù)需求：覆蓋7nm及以上制程需求。DUV和EUV最大的區(qū)別在光源方案。duv的光源為準分子激光，光源的波長能達到193納米。然而，euv激光激發(fā)等離子來發(fā)射EUV光子，光源的波長則為13.5納米。
從制程范圍方面來談duv基本上只能做到25nm，Intel憑借雙工作臺的模式做到了10nm，卻無法達到10nm以下。euv能滿足10nm以下的晶圓權(quán)制造，并且還可以向5nm、3nm繼續(xù)延伸。
duv和euv光刻機區(qū)別還有光路系統(tǒng)不同。
duv：主要利用光的折射原理。其中，浸沒式光刻機會在投影透鏡與晶圓之間，填入去離子水，使得193nm的光波等效至134nm。
euv：利用的光的反射原理，內(nèi)部必須為真空操作。
文章綜合php中文網(wǎng)、科創(chuàng)板日報、浩晨生活館
編輯：黃飛
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
光刻機
+關(guān)注
關(guān)注
31文章
1164瀏覽量
48119 -
EUV
+關(guān)注
關(guān)注
8文章
609瀏覽量
87067 -
DUV
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
56瀏覽量
4026
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
光刻機巨頭ASML業(yè)績暴雷，芯片迎來新一輪“寒流”？
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃山明）作為芯片制造過程中的核心設(shè)備，光刻機決定著芯片工藝的制程。尤其是EUV光刻機已經(jīng)成為高端芯片（7nm及以下）芯片量產(chǎn)的關(guān)鍵，但目前EUV
電子直寫光刻機駐極體圓筒聚焦電極
電子直寫光刻機駐極體圓筒聚焦電極
隨著科技進步，對電子顯微鏡的精度要求越來越高。電子直寫光刻機的精度與電子波長和電子束聚焦后的焦點直徑有關(guān)，電子波長可通過增加加速電極電壓來減小波長，而電子束聚焦后
發(fā)表于 05-07 06:03
成都匯陽投資關(guān)于光刻機概念大漲，后市迎來機會
【2025年光刻機市場的規(guī)模預計為252億美元】 光刻機作為半導體制造過程中價值量和技術(shù)壁壘最高的設(shè)備之一，其在半導體制造中的重要性不言而喻。 目前，全球市場對光刻機的需求持續(xù)增長，尤其是在先
EUV光刻技術(shù)面臨新挑戰(zhàn)者
? EUV光刻有多強？目前來看，沒有EUV光刻，業(yè)界就無法制造7nm制程以下的芯片。EUV光刻機
如何提高光刻機的NA值
本文介紹了如何提高光刻機的NA值。 為什么光刻機希望有更好的NA值？怎樣提高？ ? 什么是NA值？ ? 如上圖是某型號的光刻機配置，每代光刻機的NA值會比上一代更大一些。NA，又名
光刻機的分類與原理
本文主要介紹光刻機的分類與原理。 ? 光刻機分類 光刻機的分類方式很多。按半導體制造工序分類，光刻設(shè)備有前道和后道之分。前道光刻機包括芯片
組成光刻機的各個分系統(tǒng)介紹
納米級別的分辨率。本文將詳細介紹光刻機的主要組成部分及其功能。 光源系統(tǒng) ? 光源系統(tǒng)是光刻機的心臟，負責提供曝光所需的能量。早期的光刻機使用汞燈作為光源，但隨著技術(shù)的進步，目前多采用深紫外（
日本首臺EUV光刻機就位
據(jù)日經(jīng)亞洲 12 月 19 日報道，Rapidus 成為日本首家獲得極紫外 (EUV) 光刻設(shè)備的半導體公司，已經(jīng)開始在北海道芯片制造廠內(nèi)安裝極紫外光刻系統(tǒng)。 它將分四個階段進行安裝，設(shè)備安裝預計在
Prolith和HyperLith?主要用于mask-in-stepper lithography仿真、光刻設(shè)計
這些設(shè)置?1。
?靈活性?：用戶可以根據(jù)需要選擇不同的仿真技術(shù)，如DUV、Immersion、EUV等，并且可以處理嚴格/標量、偏振、像差和抗蝕劑模型?1。
?分布式計算支持?：HyperLith支持
發(fā)表于 11-29 22:18
用來提高光刻機分辨率的浸潤式光刻技術(shù)介紹
? 本文介紹了用來提高光刻機分辨率的浸潤式光刻技術(shù)。 芯片制造：光刻技術(shù)的演進 過去半個多世紀，摩爾定律一直推動著半導體技術(shù)的發(fā)展，但當光刻機的光源波長卡在193nm，芯片制程縮小至6
光刻機的工作原理和分類
? 本文介紹了光刻機在芯片制造中的角色和地位，并介紹了光刻機的工作原理和分類。? ? ? ?? 光刻機：芯片制造的關(guān)鍵角色 ? ? 光刻機在芯片制造中占據(jù)著至關(guān)重要的地位，被譽為芯片制
一文看懂光刻機的結(jié)構(gòu)及雙工件臺技術(shù)
，光刻機作為IC制造裝備中最核心、技術(shù)難度最大的設(shè)備，其重要性日益凸顯。本文將從光刻機的發(fā)展歷程、結(jié)構(gòu)組成、關(guān)鍵性能參數(shù)以及雙工件臺技術(shù)展開介紹。 一、光刻機發(fā)展歷程 光刻機的發(fā)展歷程
今日看點丨 2011億元!比亞迪單季營收首次超過特斯拉；三星將于2025年初引進High NA EUV光刻機
1. 三星將于2025 年初引進High NA EUV 光刻機，加快開發(fā)1nm 芯片 ? 據(jù)報道，三星電子正準備在2025年初引入其首款High NA EUV（極紫外）光刻機設(shè)備，這標
發(fā)表于 10-31 10:56
?1018次閱讀
日本大學研發(fā)出新極紫外(EUV)光刻技術(shù)
近日，日本沖繩科學技術(shù)大學院大學（OIST）發(fā)布了一項重大研究報告，宣布該校成功研發(fā)出一種突破性的極紫外（EUV）光刻技術(shù)。這一創(chuàng)新技術(shù)超越了當前半導體制造業(yè)的標準界限，其設(shè)計的光刻設(shè)備能夠采用更小巧的
工商網(wǎng)監(jiān)
評論