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np3401mr - n30v p通道增強模式MOSFET

微雨問海棠 ? 來源:微雨問海棠 ? 作者:微雨問海棠 ? 2022-07-12 16:42 ? 次閱讀
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描述

NP3401MR-N采用先進的戰(zhàn)壕

技術提供優(yōu)良的RDS(ON),低柵

充電和工作的柵極電壓低至2.5V。

本裝置適用于作為負載開關或中壓開關

脈寬調制的應用程序。

一般特征

?VDS = -30v, id = -4.2a

RDS(上)(Typ) = 55 mΩ@VGS = -4.5 v

RDS(上)(Typ) = 79Ω@VGS = -2.5 v

?高功率和電流處理能力

?獲得無鉛產品

?表面安裝包

應用程序

? PWM 應用 程序

?負荷開關

?SOT-23-3L


poYBAGLNM2GAbM94AABoJc_pd38584.png

訂購信息

pYYBAGLNM3WAHGo0AAA3ykGCyu4234.png

絕對最大額定值(除非另有說明,TA=25℃)

poYBAGLNM5KAOtFhAACeto_rLxI251.png

電特性(除非另有說明,TA=25℃)

pYYBAGLNM7eAKZvtAAJzfWTDejc952.png

熱特性

poYBAGLNM86AAmE2AABoCpYyyKk611.png

A.將設備安裝在1in2上測量RθJA的值

FR-4板與2oz。銅,在靜止的空氣環(huán)境中與

TA = 25°C。在任何給定的應用程序中的值取決于用戶的特定板設計。

B.功率損耗PD是基于TJ(MAX)=150℃,采用≤10s的結環(huán)境熱阻

C.重復額定值,脈寬受結溫TJ(MAX)=150°C限制。額定值是基于低頻率和職責

循環(huán)以保持initialTJ=25°C。

D. RθJA是從結到引線RθJL并引線到環(huán)境的熱阻抗之和。


審核編輯 黃昊宇

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