在進(jìn)行功率MOSFET電路設(shè)計(jì)時(shí)需要注意的重要參數(shù)是電流、電壓、功耗和熱。功耗和熱通常相互關(guān)聯(lián)。

電流：

電流可以是rms或dc或脈沖或峰值漏極電流。RMS代表均方根，分別用在不同的場(chǎng)合。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，如果電路中的電流不是一條直線，則使用rms值來(lái)計(jì)算功耗。但是，如果電路中的電流是直線保持不變，則使用直流值作為參考。MOS管的漏極電流也非常重要。峰值漏極電流是通常在單個(gè)脈沖或幾個(gè)脈沖中指定的額定值，這與短路等瞬態(tài)條件有關(guān)。

電壓：

我們這里所說(shuō)的電壓是指MOSFET處于關(guān)閉狀態(tài)時(shí)的漏源電壓電平，MOSFET對(duì)此電壓電平非常敏感。

功耗：

功耗是器件的實(shí)際功耗，這是傳導(dǎo)損耗或靜態(tài)損耗與開關(guān)損耗或動(dòng)態(tài)損耗的總和。規(guī)格書一般會(huì)提供了最大功耗限制。

熱：

熱在電路設(shè)計(jì)中非常重要，設(shè)備不能太熱以免損壞它，規(guī)格書有規(guī)定的溫度限制。

審核編輯：湯梓紅