自動駕駛汽車現(xiàn)在正在成為現(xiàn)實。通過使用許多高性能智能傳感器，這種類型的應(yīng)用成為可能。數(shù)字和微控制器領(lǐng)域的技術(shù)進步使得為ADAS（高級駕駛輔助系統(tǒng)）創(chuàng)建傳感器成為可能，例如車道保持、自適應(yīng)巡航控制以及超車時檢測盲點的結(jié)構(gòu)。ADAS 既是對駕駛員有用的工具，也是滿足更高安全標準需求的解決方案。對于 ADAS 而言，最重要的元素之一是用于行人檢測系統(tǒng)的 LiDARs、盲點檢測和自適應(yīng)巡航控制。一般來說，所有需要檢測和映射車輛周圍所有元素的應(yīng)用程序。很容易理解，激光雷達的設(shè)計對于獲得安全的自動駕駛汽車至關(guān)重要。

LiDAR 是什么以及如何工作

LiDAR 代表 Light Detection and Ranging，即通過光帶中的電磁輻射進行（遠程）檢測和測量。該設(shè)備應(yīng)用了雷達的經(jīng)典而簡單的原理，但它確實使用了由激光脈沖制成的光束。用于計算射線源與任何物體之間距離的技術(shù)稱為 TOF（飛行時間），如圖 1 所示。 與 RADAR 相比，該光學(xué)設(shè)備即使在遠距離下也具有更高的分辨率，并且因此，它能夠獲得詳細的三維圖像，由中央單元處理以避免碰撞。

圖 1：TOF 技術(shù)（來源：www.hamamatsu.com）

LiDAR 的原理已為人所知數(shù)十年，其應(yīng)用涉及許多領(lǐng)域，從醫(yī)療到軍事，最終是汽車領(lǐng)域。但是激光束的使用產(chǎn)生了一些重要的技術(shù)問題：如果一方面，激光是高分辨率的光源，能夠充分利用這一特性，通過掃描細致地重建環(huán)境的形態(tài)；另一方面，需要納秒級的高機械精度和脈沖速度；此外，雖然雷達的電磁波具有很高的反射系數(shù)，但對于激光來說卻不是這樣，因此需要系統(tǒng)所需的優(yōu)質(zhì)能量。由流過 LED 的高電流（甚至數(shù)十安培）產(chǎn)生，激光束和占空比必須低懸以避免過熱。高脈沖速度和更高的能量導(dǎo)致系統(tǒng)中的電子設(shè)備需要非常高的功率，增加系統(tǒng)的功率不可避免地會導(dǎo)致以下技術(shù)挑戰(zhàn)：

● 功率元件的熱管理和散熱器的設(shè)計

● 電路能效

● 根據(jù)開斷溫度尋找合適的模塊

● 優(yōu)化電路板布局以盡量減少寄生元件

LiDAR 內(nèi)部：激光驅(qū)動器

LiDAR 激光器由專門設(shè)計的電路驅(qū)動，能夠在短時間內(nèi)提供大量電流。適度的驅(qū)動器由一個用作電流開關(guān)的組件組成，與激光器串聯(lián)。實現(xiàn)此類驅(qū)動器最常用的電路拓撲之一是電容器放電諧振電路，如圖 2 所示。

圖 2：電容放電諧振電路（來源：epc-co.com）

Q1和DL分別是要激活的激光器的開關(guān)和LED?？刂屏⒓搓P(guān)閉，C1 電容器充電到 VIN 電壓。當 Q1 導(dǎo)通時，C1 通過 DL 和 L1 電感放電，形成諧振電路。因此，流過激光器的電流將是一個正弦脈沖 IDL，直到 LED 兩端的電壓高于其正向電壓 VDLF。當 DL 上的電壓小于 VDLF 時，C1 再次開始充電。

這種簡單電路的優(yōu)點很多：

● 如果已知，可以利用寄生電感，

● 傳遞給激光器的能量與 VIN 有直接關(guān)系

● 只有一個單端開關(guān)元件，易于控制

● 傳送給激光器的脈沖持續(xù)時間小于開關(guān)器件的控制導(dǎo)通時間。

當面對現(xiàn)實時，與電路的技術(shù)方面存在沖突。經(jīng)典的硅元件，例如 MOSFET，無法為在有效的 LiDAR 系統(tǒng)中實施激光驅(qū)動器提供必要的功能。MOSFET 通道必須很大才能提供更高的控制，這會導(dǎo)致寄生電容的充電時間令人不快，從而導(dǎo)致開關(guān)頻率對于應(yīng)用來說太低。此外，熱管理需要笨重的散熱器才能充分發(fā)揮作用。

滿足所需參數(shù)的GaN器件

使用硅元件解決上述問題是復(fù)雜的，需要有經(jīng)驗的工程師和設(shè)計師，他們可以在電源和高頻領(lǐng)域工作。

當今的電子工程師可以使用具有理想特性的創(chuàng)新寬帶隙技術(shù)器件來滿足汽車領(lǐng)域所需的 LiDAR 系統(tǒng)需求。

GaN（氮化鎵）器件的電子遷移率是硅器件的數(shù)百倍，能隙為 3.4 eV。與其硅對應(yīng)物相比，GaN MOSFET 具有更低的傳導(dǎo)損耗、更高的開關(guān)速度、更好的熱性能以及更小的尺寸和成本。

所有這些特性都滿足了驅(qū)動電路開關(guān)組件的需要。

圖 3：GaN 器件的基本結(jié)構(gòu)（來源：www.st.com）

結(jié)論

在商業(yè)設(shè)備中使用 GaN 組件才剛剛開始。幾年前被認為是不可能的或過于復(fù)雜的技術(shù)解決方案在許多領(lǐng)域被證明是成功的，例如在 LiDAR 系統(tǒng)的電源驅(qū)動器中。從而證實，在未來幾年，電力電子領(lǐng)域?qū)⒂蒞BG器件主導(dǎo)，這可以解決“舊”半導(dǎo)體器件的技術(shù)限制。

審核編輯：郭婷