簡(jiǎn)單介紹TOREX功率MOSFET
功率MOSFET是專門針對(duì)解決高功率電流和電壓的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)，同樣是功率半導(dǎo)體中的一種。與其它功率半導(dǎo)體相比較，功率MOSFET具備電源開關(guān)速度快、低壓效率高的優(yōu)勢(shì)。功率MOSFET和IGBT具備隔離的柵極體，因此更容易驅(qū)動(dòng)器。功率MOSFET的缺點(diǎn)是增益小，偶爾柵極驅(qū)動(dòng)的電壓甚至是少于實(shí)際要控制的電壓。
TOREX功率MOSFET是通用型N/P通道MOSFET，具備低導(dǎo)通電阻和高速電源開關(guān)特性。適合于各種設(shè)備應(yīng)用，如繼電器電路和開關(guān)電源電路。
一個(gè)柵極保護(hù)二極管內(nèi)置作為防靜電措施。緊湊型的SOT-323-3A(2.1x1.25xH0.95mm)適用于TOREX功率MOSFET封裝器件，以推動(dòng)設(shè)備微型化。
除此之外，TOREX功率MOSFET滿足歐盟RoHS指令，無(wú)鉛和環(huán)保。
TOREX半導(dǎo)體主要提供COMS、傳感器、二極管等元器件，產(chǎn)品以小體積、性能卓越而著名。
審核編輯 黃昊宇
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
TOREX
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
21瀏覽量
44963 -
功率MOSFET
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
352瀏覽量
22451
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
TOREX使用西門子EDA工具打造小尺寸降壓DC/DC轉(zhuǎn)換器
總部位于東京的 TOREX Semiconductor (TOREX) 專門從事模擬 (CMOS) 電源集成電路 (IC) 的開發(fā)。TOREX 憑借一流的集成電路贏得了良好的聲譽(yù)和廣泛的認(rèn)可，這些
初級(jí)元器件知識(shí)之功率MOSFET
什么是功率 MOSFET？
我們都懂得如何利用二極管來(lái)實(shí)現(xiàn)開關(guān)，但是，我們只能對(duì)其進(jìn)行開關(guān)操作，而不能逐漸控制信號(hào)流。此外，二極管作為開關(guān)取決于信號(hào)流的方向；我們不能對(duì)其編程以通過(guò)或屏蔽一個(gè)信號(hào)
發(fā)表于 06-03 15:39
使用 N-MOSFET 作為功率吸收路徑有哪些優(yōu)點(diǎn)？
CCG8 使用 GPIO 來(lái)控制 FET 柵極驅(qū)動(dòng)器的功率吸收路徑，
我可以使用 P-MOSFET 作為電源接收路徑嗎？
使用 N-MOSFET 作為功率吸收路徑有哪些優(yōu)點(diǎn)？
發(fā)表于 05-28 06:51
MOSFET開關(guān)損耗計(jì)算
，有更細(xì)膩的考慮因素，以下將簡(jiǎn)單介紹 Power MOSFET 的參數(shù)在應(yīng)用上更值得注意的幾項(xiàng)重點(diǎn)。
1 功率損耗及安全工作區(qū)域(Safe Operating Area, SOA)
發(fā)表于 03-24 15:03
一文帶你讀懂MOSFET開關(guān)損耗計(jì)算?。。夥e分）
的選用，有更細(xì)膩的考慮因素，
以下將簡(jiǎn)單介紹 Power MOSFET 的參數(shù)在應(yīng)用上更值得注意的幾項(xiàng)重點(diǎn)。
1 、功率損耗及安全工作區(qū)域(Safe Operating Area,
發(fā)表于 03-06 15:59
SiC碳化硅MOSFET功率器件雙脈沖測(cè)試方法介紹
碳化硅革新電力電子，以下是關(guān)于碳化硅（SiC）MOSFET功率器件雙脈沖測(cè)試方法的詳細(xì)介紹，結(jié)合其技術(shù)原理、關(guān)鍵步驟與應(yīng)用價(jià)值，助力電力電子領(lǐng)域的革新。
MOSFET并聯(lián)在高功率設(shè)計(jì)中的應(yīng)用
在高功率電子設(shè)計(jì)中，為了滿足更大的電流需求和提升系統(tǒng)可靠性，常常需要將多個(gè)MOSFET器件并聯(lián)使用。然而，MOSFET的并聯(lián)應(yīng)用并非簡(jiǎn)單的器件堆疊，它涉及諸多技術(shù)挑戰(zhàn)，如電流均衡、熱管
功率MOSFET的選型法則
功率MOSFET有二種類型：N溝道和P溝道，在系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過(guò)程中選擇N管還是P管，要針對(duì)實(shí)際的應(yīng)用具體來(lái)選擇，N溝道MOSFET選擇的型號(hào)多，成本低；P溝道MOSFET選擇的型號(hào)較少，成
功率MOSFET的開通和關(guān)斷過(guò)程原理
功率MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）作為現(xiàn)代電力電子領(lǐng)域中的核心器件，其開通和關(guān)斷過(guò)程原理對(duì)于理解其工作特性、設(shè)計(jì)高效電路以及確保系統(tǒng)穩(wěn)定性至關(guān)重要。以下將對(duì)功率MOSFET
功率MOSFET故障分析
功率MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電力電子系統(tǒng)中的關(guān)鍵元件，用于功率
成功并聯(lián)功率MOSFET的技巧
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《成功并聯(lián)功率MOSFET的技巧.pdf》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 08-29 10:37
?0次下載
解決芯片級(jí)功率MOSFET的組裝問(wèn)題
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《解決芯片級(jí)功率MOSFET的組裝問(wèn)題.pdf》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 08-27 11:17
?0次下載
MOSFET并聯(lián)(并聯(lián)功率MOSFET之間的寄生振蕩)
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《MOSFET并聯(lián)(并聯(lián)功率MOSFET之間的寄生振蕩).pdf》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 07-13 09:39
?7次下載
功率mosfet應(yīng)工作于什么區(qū)
功率MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的半導(dǎo)體器件，其工作原理與普通MOSFET類似，但
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論