半導(dǎo)體行業(yè)花了十多年的時間來準備使用極紫外(EUV)光刻技術(shù)生產(chǎn)芯片所需的一切??雌饋硪_到下一個水平——具有高數(shù)值孔徑的EUV所需的時間要少得多。
需要更高的分辨率
目前,最先進的芯片是5/4納米級工藝,使用EUV光刻ASML的Twinscan NXE:3400C(及類似)系統(tǒng),具有0.33數(shù)值孔徑(NA)光學(xué),提供13納米分辨率。這種分辨率對于7 nm/6 nm節(jié)點(36 nm ~ 38 nm)和5nm (30 nm ~ 32 nm)的單模式方法足夠好。但隨著間距低于30納米(超過5納米節(jié)點),13納米分辨率可能需要雙光刻曝光,這將在未來幾年被使用。
對于3nm后的節(jié)點,ASML及其合作伙伴正在研究一種全新的EUV工具——Twinscan EXE:5000系列,具有0.55 NA(High-NA)透鏡,能夠達到8nm分辨率,可以避免3nm及以上的多圖案。新的High-NA掃描儀仍在開發(fā)中,預(yù)計它們將非常復(fù)雜,非常大,而且昂貴——每臺掃描儀的成本將超過4億美元。High-NA不僅需要新的光學(xué)設(shè)備,還需要新的光源,甚至需要新的晶片來容納更大的機器,這將需要大量的投資。
但為了保持半導(dǎo)體的性能、功率、面積和成本(PPAc),領(lǐng)先的邏輯芯片和存儲設(shè)備制造商愿意采用新技術(shù),High-NA EUV掃描儀對于后3納米節(jié)點至關(guān)重要。因此,對High-NA工具的需求非常高。
10 ~ 20套High-NA系統(tǒng)交付
幾周前,ASML披露其在2022年第一季度收到了多份來自logic和DRAM客戶的High-NA Twinscan EXE:5200系統(tǒng)(EUV 0.55 NA)訂單。據(jù)路透社報道,最近該公司澄清說,他們已經(jīng)獲得了5個High-NA掃描儀的試點訂單,將于2024年交付,并“超過5個”訂單,用于從2025年開始交付具有更高生產(chǎn)率的后續(xù)型號。
有趣的是,早在2020 ~ 2021年,ASML就表示已經(jīng)收到了三家客戶的High-NA承諾,共提供多達12套系統(tǒng)。邏輯制造商通常是第一個采用前沿工具的,可以肯定的是,英特爾、三星代工和臺積電承諾在2020 ~ 2021年獲得預(yù)生產(chǎn)的High-NA掃描儀。此外,ASML已經(jīng)開始建造首個High-NA系統(tǒng),該系統(tǒng)將于2023年完成,并將被Imec和ASML客戶用于研發(fā)用途。
“在高NA EUV方面,我們正在取得良好進展,目前已經(jīng)開始在我們位于Veldhoven的新潔凈室中集成第一個High-NA系統(tǒng),”ASML首席執(zhí)行官Peter Wennink說?!拔覀冊诘谝患径仁盏搅硕鄠€EXE:5200系統(tǒng)訂單。本月,也就是4月,我們還收到了額外的EXE:5200訂單。通過這些預(yù)訂,我們現(xiàn)在收到了來自三個Logic和兩個Memory客戶的High-NA訂單。EXE:5200是ASML的下一代High-NA系統(tǒng),將為光刻性能和生產(chǎn)力提供下一步的發(fā)展。”
ASML的Twinscan EXE:5200比普通的Twinscan NXE:3400C機器要復(fù)雜得多,因此構(gòu)建這些工具需要更長的時間。該公司希望在未來中期能夠交付多達20套High-NA系統(tǒng),這可能意味著其客戶將不得不競爭這些機器。
“我們也在與我們的供應(yīng)鏈伙伴討論,以確保中期大約20個EUV 0.55NA系統(tǒng)的能力,”Wennink說。
英特爾率先采用預(yù)生產(chǎn)工具
到目前為止,唯一確認使用ASML High-NA工具的工藝技術(shù)是英特爾的18A節(jié)點,該節(jié)點曾計劃在2025年進入大批量生產(chǎn),大約在那時ASML開始交付其生產(chǎn)的High-NA EUV系統(tǒng)。但最近英特爾將18A的生產(chǎn)推遲到2024年下半年,并表示可以使用ASML的Twinscan NXE:3600D或NXE:3800E來生產(chǎn)18A,可能是通過多模式。
雖然英特爾的18A技術(shù)將大大受益于High-NA EUV工具,但看起來英特爾并不一定需要Twinscan EXE:5200機器用于該節(jié)點。在商業(yè)芯片上使用多模式意味著更長的產(chǎn)品周期、更低的生產(chǎn)率、更高的風險和潛在的更低的收益率(盡管后者不是一成不變的)。然而,英特爾似乎希望它的18A節(jié)點盡快到來,也許是因為它認為這是一個重要的工具,可以讓它從臺積電手中奪回工藝技術(shù)的領(lǐng)先地位。因此,如果工具按時完成,英特爾的更新計劃現(xiàn)在是在18A的生命周期中逐步采用High-NA工具。
當然,對于18A的0.33 NA EUV掃描儀的使用是否會為英特爾和英特爾代工服務(wù)的客戶提供足夠的生產(chǎn)力還有待觀察。但是,至少在2024年,英特爾將別無選擇,只能使用它現(xiàn)有的機器。
臺積電、三星、SK海力士、美光等半導(dǎo)體企業(yè)也將不可避免地采用High-NA EUV技術(shù)進行大規(guī)模生產(chǎn)。唯一的問題是這到底什么時候會發(fā)生。
審核編輯 :李倩
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原文標題:ASML下一代EUV光刻機High-NA來了!
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