三星計劃在 2023 年初推出 32Gb DDR5 內(nèi)存芯片，并在 2024 年推出 1TB 內(nèi)存模塊。

為了支持 AMD 和 Intel 推出下一代服務(wù)器平臺，三星計劃推出一系列全新的 DDR5 服務(wù)器內(nèi)存模塊，配備業(yè)界首款 512GB RDIMM/LRDIMM，并基于 16Gb 和 24Gb DDR5 設(shè)備。三星 DDR5 創(chuàng)新的下一步——32Gb IC——將在 2023 年初推出，使該公司能夠在 2023 年底或 2024 年初制造 1TB 內(nèi)存模塊。同時，三星打算在兩年內(nèi)發(fā)布 7200 MT/s 數(shù)據(jù)傳輸率。

2024 年推出 1TB DDR5 RDIMM，Horizon 推出 2TB 模塊

JEDEC 的 DDR5 規(guī)范為服務(wù)器平臺帶來了巨大的好處。除了增強的性能可擴展性之外，它們還引入了增加每芯片和每模塊容量的新方法，以及增強的可靠性和提高產(chǎn)量的技術(shù)。此外，該規(guī)范允許構(gòu)建高達 64Gb 的單片 DDR5 存儲設(shè)備，并將多達 16 個 DDR5 IC 堆疊到一個芯片中（最多 16 個容量低于 64Gb 的 IC）。因此，32Gb DDR5 IC 的出現(xiàn)不足為奇。

“32Gb DDR5 IC目前正在一個新的under-14nm工藝節(jié)點上開發(fā)，并計劃在明年初推出，”三星 DRAM 規(guī)劃部門的員工工程師 Aaron Choi 在 AMD 和三星網(wǎng)絡(luò)研討會上表示（見三星在下圖中的演示）。“基于 32Gb 的 UDIMM 將于明年年底或 2024 年初上市?！? 三星打算在明年初的某個時候正式推出 32Gb DDR5 設(shè)備，以慶祝其開發(fā)的完成。這些芯片將在 2023 年底推出，屆時三星可能會正式推出其基礎(chǔ)上的第一款產(chǎn)品——用于客戶端 PC 的 32GB 無緩沖 DIMM。稍后，該公司將展示其 1TB DDR5 內(nèi)存模塊，該模塊將使用 32 個 8-Hi 32GB 堆棧，并將針對 2024 年至 2025 年時間范圍內(nèi)的服務(wù)器平臺。 目前，像三星這樣的 DRAM 制造商使用多達 8 個存儲設(shè)備的 8-Hi 堆棧，但幾年后，他們將轉(zhuǎn)向更大的堆棧。例如，將 16 個 32Gb DRAM IC 或 8 個 64Gb DRAM IC 壓縮到一個堆棧中將使三星能夠構(gòu)建 2TB 服務(wù)器級 DDR5 模塊，并允許每個插槽具有數(shù)十 TB 內(nèi)存的機器（例如，支持兩個 DIMM 的 12 通道內(nèi)存子系統(tǒng)每個通道可能會獲得高達 48TB 的內(nèi)存）。

2025年DDR5-7200

一旦三星 32Gb DDR5 內(nèi)存設(shè)備的產(chǎn)量達到與 16Gb IC 相當?shù)乃剑@些芯片將允許構(gòu)建價格非常合理的單面 32GB DIMM，使臺式機愛好者能夠為他們的系統(tǒng)配備 128GB 內(nèi)存而不會花很多錢。

但是雖然容量很重要，但對于發(fā)燒友來說，高速也很重要，因此三星正在努力提高 DDR5 設(shè)備的性能。該公司即將推出官方評級為 5200 MT/s – 5600 MT/s 的 IC，目標是即將推出的客戶端 PC 平臺。我們預(yù)計 Corsair 和 G.Skill 等模塊制造商將使用這些芯片來構(gòu)建額定速度為 6800 MT/s 至 7000 MT/s 及更高的模塊，但這些將需要更高的電壓。 三星設(shè)想 DDR5 芯片僅在 2025 年才能在 JEDEC 標準 1.1 伏特下實現(xiàn) 7200 MT/s 的數(shù)據(jù)傳輸速率。DDR5-7200是三星一直在談?wù)摰乃俣认?，但沒有透露它預(yù)計何時生產(chǎn)合適的設(shè)備。在網(wǎng)絡(luò)研討會上，該公司最終展示了一張幻燈片，將“DDR5-7200+”歸因于 2025 年。因此，預(yù)計內(nèi)存模塊專家將使用此類 IC 達到 10,000+ MT/s（或更高）的速度。 三星的 DDR5 服務(wù)器系列已為下一代服務(wù)器平臺做好準備。 三星及其業(yè)界同行一直在談?wù)撍麄兊姆?wù)器級 DDR5 內(nèi)存模塊已經(jīng)有一段時間了。盡管如此，由于沒有支持新型內(nèi)存的服務(wù)器平臺，這些公告更多地是關(guān)于 DDR5 內(nèi)存的承諾優(yōu)勢，而不是實際用例。但現(xiàn)在AMD和Intel的下一代服務(wù)器平臺正在逼近，這些模塊最終會被使用。

三星于 2021 年年中正式推出其 512GB DDR5 寄存式 DIMM (RDIMM)內(nèi)存模塊，甚至在此之前就已經(jīng)開始對該產(chǎn)品進行抽樣。該模塊使用基于 8 個 16Gb DRAM 設(shè)備的 32 個 16GB 堆棧，代表了當今 DRAM 行業(yè)的巔峰之作。這些模塊將在 2022 年末或 2023 年初及時用于下一代 AMD EPYC（霄龍）“Genoa”和英特爾至強“可擴展”“Sapphire Rapids”服務(wù)器平臺。 但并不是每個人都需要 512GB 內(nèi)存模塊，即使是服務(wù)器也是如此，因此三星去年 7 月推出了 24Gb DDR5 IC，以支持容量為 24GB、48GB、96GB 甚至更高的模塊。目前，三星并未透露基于 24Gb 設(shè)備制造 384GB 和 768GB 的計劃。盡管如此，其今年的 DDR5 模塊陣容包括從 16GB 到 512GB 的所有模塊，這足以在可預(yù)見的未來應(yīng)對下一代 AMD EPYC（霄龍）“Genoa”和英特爾至強可擴展“Sapphire Rapids”平臺。 “去年，三星推出了 14nm DDR5 DRAM，現(xiàn)在它們正在加速增長，”Choi 說。“14nm 允許制造另一個更大的 [DRAM] 芯片，即 24Gb，它幾乎已準備好與 AMD 的服務(wù)器里程碑一起推出。今年三星將提供基于24Gb 芯片的多個陣容。”

雖然 24GB、48GB 或 96GB 模塊容量聽起來不像 512GB 容量那么令人印象深刻，但這些記憶棒可能對基于 AMD EPYC 'Genoa' 和 'Bergamo' 處理器的下一代服務(wù)器有所幫助。由于 AMD 的下一代服務(wù)器平臺支持 12 個內(nèi)存通道，這些模塊將支持每個插槽具有 288MB、576GB 或 1152GB DDR5 內(nèi)存的機器，這非常令人印象深刻。同時，由于 24GB、48GB 和 96GB 模塊不需要像三星的 512GB RDIMM（使用 8-Hi 3DS 堆棧）那樣復(fù)雜的芯片級封裝，它們可以提供令人印象深刻的容量、性能和價格組合。

概括

三星已準備好基于其單片 16Gb 和 24Gb DRAM IC 的服務(wù)器級 DDR5 內(nèi)存模塊陣容。這些記憶棒的容量將在 16GB 和 512GB 之間，并將支持 AMD 的 Genoa/Bergamo 以及英特爾的 Sapphire Rapids 平臺支持的速度箱。 三星下一步將在 2023 年初推出 32Gb 單片 DDR5 芯片，并在 2023 年底或 2024 年初將其推向市場。這些芯片將使該公司能夠為未來的服務(wù)器平臺構(gòu)建 1TB DDR5 內(nèi)存模塊，并為客戶端 PC 構(gòu)建廉價的 32GB UDIMM。 至于速度，三星期待在 2025 年左右推出 1.1V IC 的 DDR5-7200+，這將使超頻者的內(nèi)存模塊生產(chǎn)商能夠制造額定運行速度為 10,000 MT/s 及以上的存儲產(chǎn)品。

審核編輯 ：李倩