一区二区三区三上|欧美在线视频五区|国产午夜无码在线观看视频|亚洲国产裸体网站|无码成年人影视|亚洲AV亚洲AV|成人开心激情五月|欧美性爱内射视频|超碰人人干人人上|一区二区无码三区亚洲人区久久精品

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

碳化硅MOS管在消費(fèi)級(jí)市場(chǎng)的應(yīng)用前景

深圳弗瑞鑫電子有限公司 ? 來(lái)源:深圳弗瑞鑫電子有限公司 ? 作者:深圳弗瑞鑫電子有 ? 2022-09-02 10:55 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

自從碳化硅MOS管在Model3牽引電驅(qū)中使用后,整個(gè)世界對(duì)碳化硅的討論就沒有停過(guò),也促進(jìn)了碳化硅MOS管在充電樁新能源汽車中的應(yīng)用,從而提高充電速度與續(xù)航里程?,F(xiàn)在,碳化硅MOS出了一系列750 V典型耐壓的,它希望能夠?qū)⒁郧皟H用于新能源車、太空飛船和高階工控技術(shù)引入消費(fèi)者的充電頭中。

最近幾年,氮化鎵以其高效、小尺寸、高密度快充而受到廣泛關(guān)注,這也給第三代半導(dǎo)體應(yīng)用于消費(fèi)級(jí)市場(chǎng)的號(hào)角吹響了號(hào)角,同樣作為第三代半導(dǎo)體的碳化硅MOS管,也從未出現(xiàn)在消費(fèi)級(jí)電子產(chǎn)品中,原因有三點(diǎn):

一、 成本高;

二、其驅(qū)動(dòng)電壓比常規(guī)硅器件高,且與主流 PWM IC兼容性差,一般工控采用碳化硅MOS管時(shí)需加一個(gè)閘極驅(qū)動(dòng) IC;

三、在快速切換過(guò)程中,部分碳化硅器件存在嚴(yán)重 EMI問(wèn)題。

要想把碳化硅MOS管應(yīng)用于消費(fèi)級(jí)市場(chǎng),必須先解決上述三大難題。而現(xiàn)在推出的一款Falcon系列碳化硅MOS管,首先在 PWM IC常用的閘極驅(qū)動(dòng)電壓上進(jìn)行改進(jìn)和設(shè)計(jì),使閘極驅(qū)動(dòng)電壓降到12 V,使其能夠與現(xiàn)有 PWM IC常用的閘極驅(qū)動(dòng)電壓相匹配。

同時(shí),碳化硅 MOS管可以像采用類似于硅結(jié)構(gòu)的閘極驅(qū)動(dòng)方案那樣推動(dòng),大大簡(jiǎn)化用戶設(shè)計(jì)和開發(fā)的難度和時(shí)間。在成本方面,這款碳化硅MOS管已經(jīng)完全優(yōu)化了產(chǎn)品設(shè)計(jì)和制造成本,使它的價(jià)格不再遙不可及。對(duì)于65WPD快速充電方案,客戶在設(shè)備上的成本與碳化硅MOS管GaN設(shè)備相差不大。由于調(diào)試、驅(qū)動(dòng)和EMI處理相對(duì)簡(jiǎn)單,整體BOM可能會(huì)進(jìn)一步降低。

審核編輯:湯梓紅

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • MOS管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    109

    文章

    2625

    瀏覽量

    70732
  • 氮化鎵
    +關(guān)注

    關(guān)注

    61

    文章

    1795

    瀏覽量

    118020
  • 碳化硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    25

    文章

    3065

    瀏覽量

    50457
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREE

    EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREEEAB450M12XM3是Wolfspeed(原CREE科銳)生產(chǎn)的1200V、450A全碳化硅半橋功率模塊,致力于高功率、高效化技術(shù)應(yīng)用打造
    發(fā)表于 06-25 09:13

    碳化硅MOS驅(qū)動(dòng)電壓如何選擇

    碳化硅MOS驅(qū)動(dòng)電壓選擇15V還是18V,是電力電子設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵權(quán)衡問(wèn)題。這兩種電壓對(duì)器件的導(dǎo)通損耗、開關(guān)特性、熱管理和系統(tǒng)可靠性有顯著影響。
    的頭像 發(fā)表于 06-04 09:22 ?525次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOS</b>驅(qū)動(dòng)電壓如何選擇

    SiC碳化硅二極公司成為國(guó)產(chǎn)碳化硅功率器件行業(yè)出清的首批對(duì)象

    結(jié)合國(guó)產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)格局和技術(shù)發(fā)展趨勢(shì),SiC碳化硅二極公司已經(jīng)成為國(guó)產(chǎn)碳化硅功率器件行業(yè)出清的首批對(duì)象,比如2024已經(jīng)有
    的頭像 發(fā)表于 02-28 10:34 ?404次閱讀

    國(guó)內(nèi)碳化硅功率器件設(shè)計(jì)公司的倒閉潮是市場(chǎng)集中化的必然結(jié)果

    碳化硅行業(yè)觀察:國(guó)內(nèi)碳化硅功率器件設(shè)計(jì)公司加速被行業(yè)淘汰的深度分析 近年來(lái),碳化硅(SiC)功率器件市場(chǎng)雖高速增長(zhǎng),但行業(yè)集中度快速提升,2024年以來(lái)多家SiC器件設(shè)計(jì)公司接連倒閉,
    的頭像 發(fā)表于 02-24 14:04 ?554次閱讀
    國(guó)內(nèi)<b class='flag-5'>碳化硅</b>功率器件設(shè)計(jì)公司的倒閉潮是<b class='flag-5'>市場(chǎng)</b>集中化的必然結(jié)果

    碳化硅薄膜沉積技術(shù)介紹

    多晶碳化硅和非晶碳化硅薄膜沉積方面各具特色。多晶碳化硅以其廣泛的襯底適應(yīng)性、制造優(yōu)勢(shì)和多樣的沉積技術(shù)而著稱;而非晶碳化硅則以其極低的沉積溫
    的頭像 發(fā)表于 02-05 13:49 ?855次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>薄膜沉積技術(shù)介紹

    碳化硅半導(dǎo)體中的作用

    碳化硅(SiC)半導(dǎo)體中扮演著至關(guān)重要的角色,其獨(dú)特的物理和化學(xué)特性使其成為制作高性能半導(dǎo)體器件的理想材料。以下是碳化硅半導(dǎo)體中的主要作用及優(yōu)勢(shì): 一、
    的頭像 發(fā)表于 01-23 17:09 ?1336次閱讀

    產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊工商業(yè)儲(chǔ)能變流器PCS中的應(yīng)用

    *附件:國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊工商業(yè)儲(chǔ)能變流器PCS中的應(yīng)用.pdf
    發(fā)表于 01-20 14:19

    什么是MOSFET柵極氧化層?如何測(cè)試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?

    氧化層?如何測(cè)試碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?”讓我們一起跟隨基本半導(dǎo)體市場(chǎng)部總監(jiān)魏煒老師的講解,揭開這一技術(shù)領(lǐng)域的神秘面紗。
    發(fā)表于 01-04 12:37

    碳化硅新能源領(lǐng)域的應(yīng)用 碳化硅汽車工業(yè)中的應(yīng)用

    。此外,碳化硅的高電子飽和速度和高擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度使其高功率太陽(yáng)能電池中具有潛在的應(yīng)用前景。 2. 風(fēng)力發(fā)電 風(fēng)力發(fā)電領(lǐng)域,碳化硅材料可以用
    的頭像 發(fā)表于 11-29 09:31 ?1154次閱讀

    碳化硅SiC高溫環(huán)境下的表現(xiàn)

    碳化硅(SiC)高溫環(huán)境下的表現(xiàn)非常出色,這得益于其獨(dú)特的物理和化學(xué)性質(zhì)。以下是對(duì)碳化硅高溫環(huán)境下表現(xiàn)的分析: 一、高溫穩(wěn)定性 碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 11-25 16:37 ?2410次閱讀

    碳化硅功率器件能源轉(zhuǎn)換中的應(yīng)用

    碳化硅(SiC)功率器件作為一種新興的能源轉(zhuǎn)換技術(shù),因其優(yōu)異的性能在能源領(lǐng)域受到了廣泛的關(guān)注。本文將介紹碳化硅功率器件的基本原理、特點(diǎn)以及能源轉(zhuǎn)換中的應(yīng)用,展示其能源領(lǐng)域的
    的頭像 發(fā)表于 10-30 15:04 ?592次閱讀

    碳化硅功率器件有哪些應(yīng)用領(lǐng)域

    碳化硅功率器件作為下一代半導(dǎo)體技術(shù)的重要代表,以其優(yōu)越的性能和廣闊的應(yīng)用前景,成為能源革命中的重要推動(dòng)力。本文將從市場(chǎng)資訊的角度,深入探討碳化硅功率器件的發(fā)展趨勢(shì)、應(yīng)用領(lǐng)域和
    的頭像 發(fā)表于 10-24 15:46 ?1104次閱讀

    碳化硅功率器件的工作原理和應(yīng)用

    碳化硅(SiC)功率器件近年來(lái)電力電子領(lǐng)域取得了顯著的關(guān)注和發(fā)展。相比傳統(tǒng)的硅(Si)基功率器件,碳化硅具有許多獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn),使其高效能、高頻率和高溫環(huán)境下的應(yīng)用中具有明顯的優(yōu)勢(shì)。本
    的頭像 發(fā)表于 09-13 11:00 ?1247次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>功率器件的工作原理和應(yīng)用

    碳化硅功率器件的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用

    碳化硅(SiliconCarbide,簡(jiǎn)稱SiC)功率器件是近年來(lái)電力電子領(lǐng)域的一項(xiàng)革命性技術(shù)。與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比,碳化硅功率器件性能和效率方面具有顯著優(yōu)勢(shì)。本文將深入探討碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 09-11 10:44 ?1150次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>功率器件的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用