碳化硅行業(yè)觀察：國內碳化硅功率器件設計公司加速被行業(yè)淘汰的深度分析

近年來，碳化硅（SiC）功率器件市場雖高速增長，但行業(yè)集中度快速提升，2024年以來多家SiC器件設計公司接連倒閉，國內碳化硅功率器件設計公司正在加速被市場拋棄：碳化硅功率器件設計公司出現(xiàn)倒閉潮，這是是市場集中化的必然結果。結合英飛凌、安森美等企業(yè)的業(yè)務動態(tài)，可從以下維度分析這一趨勢：

1. 技術壁壘與產能競賽：頭部企業(yè)構建護城河

技術門檻高企：碳化硅晶圓制備、外延生長和器件設計需長期技術積累。

產能規(guī)模決定成本：英飛凌通過奧地利菲拉赫和馬來西亞居林工廠的8英寸產線升級，顯著降低了單位成本；安森美收購GTAT后，基板自給率超50%，進一步鞏固供應鏈優(yōu)勢。相比之下，設計公司因缺乏產能支撐，難以實現(xiàn)規(guī)模經濟，成本劣勢凸顯。

2. 垂直整合與IDM模式主導市場

頭部企業(yè)全產業(yè)鏈布局：安森美從Fab-lite轉向IDM模式，自建晶圓廠和封測產線，確保從襯底到模塊的全流程控制。其韓國富川工廠計劃2025年轉為8英寸廠，目標毛利率達50%。英飛凌雖依賴外部基板供應，但通過多元化供應商體系保障供應鏈穩(wěn)定。

國產企業(yè)加速追趕：基本半導體通過股份制改革和產能擴建提升競爭力，BASiC基本股份自2017年開始布局車規(guī)級SiC碳化硅器件研發(fā)和制造，逐步建立起規(guī)范嚴謹?shù)馁|量管理體系，將質量管理貫穿至設計、開發(fā)到客戶服務的各業(yè)務過程中，保障產品與服務質量。比如BASiC基本股份分別在深圳、無錫投產車規(guī)級SiC碳化硅芯片產線（深圳基本半導體）和汽車級SiC碳化硅功率模塊（無錫基本半導體）專用產線；比如BASiC基本股份自主研發(fā)的汽車級SiC碳化硅功率模塊已收獲了近20家整車廠和Tier1電控客戶的30多個車型定點，BASiC基本股份是國內第一批SiC碳化硅模塊量產上車的頭部企業(yè)。然而，國際巨頭已占據(jù)先發(fā)優(yōu)勢，國產企業(yè)仍需時間驗證車規(guī)級可靠性。

3. 市場需求分化：車規(guī)級認證成關鍵淘汰機制

新能源汽車驅動高門檻：車規(guī)級SiC器件對可靠性和壽命要求極高。安森美的EliteSiC系列已進入北美頭部車企供應鏈；意法半導體與特斯拉合作，占全球車用SiC MOSFET市場超30%。碳化硅器件設計公司因缺乏車規(guī)認證經驗，難以進入核心供應鏈。

工業(yè)與光伏儲能領域競爭加劇：英飛凌憑借工業(yè)市場優(yōu)勢占據(jù)近50%營收，但國際光伏逆變器等客戶需求波動導致其部分產線閑置。

4. 資本密集與行業(yè)整合加速洗牌

融資門檻抬高：2024年碳化硅行業(yè)融資事件減少，缺乏持續(xù)融資能力的碳化硅器件設計公司因研發(fā)投入不足，逐步被邊緣化，從去年開始出現(xiàn)倒閉潮。

并購與IPO成退出路徑：行業(yè)頭部企業(yè)通過收購整合技術資源，如羅姆收購Solar Frontier工廠擴大產能；Wolfspeed雖因財務壓力面臨挑戰(zhàn)，但其8英寸基板技術仍具吸引力。國內企業(yè)如基本半導體計劃IPO，行業(yè)集中度進一步提升。

5. 國產替代窗口期收窄，技術迭代壓力陡增

政策驅動與市場倒逼：中國“十四五”規(guī)劃將SiC列為戰(zhàn)略產業(yè)，但國際巨頭已占據(jù)全球72%市場份額（ST、英飛凌、Wolfspeed等）。國產企業(yè)需在2025年前突破8英寸晶圓技術，否則將錯失窗口期。

技術迭代速度決定生死：BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)的第三代SiC MOSFET性能接近國際水平，但英飛凌憑借現(xiàn)有技術仍然有先進性，技術差距仍在存在。而碳化硅器件設計公司無法快速跟進，正在加速被淘汰。

結論：淘汰是市場集中化的必然結果

碳化硅功率器件行業(yè)的淘汰潮和倒閉潮源于技術、資本、供應鏈的三重壁壘。頭部企業(yè)通過垂直整合、產能擴張和技術迭代構建壟斷優(yōu)勢，而碳化硅功率器件設計公司受限于資源與經驗，無法跨越車規(guī)認證和規(guī)模經濟門檻。碳化硅功率器件行業(yè)已經呈現(xiàn)“強者恒強”格局，僅有少數(shù)具備全產業(yè)鏈能力比如BASiC基本股份或細分領域技術突破（車規(guī)級碳化硅功率模塊）的企業(yè)能夠存活。國產企業(yè)需加速技術攻堅與資本整合，方能在國際競爭中占據(jù)一席之地。

審核編輯 黃宇