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碳化硅功率器件的原理簡述

國晶微第三代半導體碳化硅SiC ? 來源:國晶微第三代半導體碳化 ? 2024-09-11 10:47 ? 次閱讀

隨著科技的飛速發(fā)展,電力電子領(lǐng)域也迎來了前所未有的變革。在這場變革中,碳化硅(SiC)功率器件憑借其獨特的性能優(yōu)勢,逐漸成為業(yè)界關(guān)注的焦點。本文將深入探討碳化硅功率器件的原理、應(yīng)用、優(yōu)勢以及未來的發(fā)展趨勢。

一、碳化硅功率器件的原理

碳化硅功率器件是一種基于碳化硅材料的半導體器件,其基本結(jié)構(gòu)包括P型和N型兩個導電類型。通過在碳化硅基底上制備PN結(jié)或其他特殊結(jié)構(gòu),碳化硅功率器件實現(xiàn)了電壓控制和電流開關(guān)的作用。與傳統(tǒng)的硅功率器件相比,碳化硅功率器件的工作原理基于PN結(jié)的整流作用和肖特基勢壘降低效應(yīng)。當正向偏置時,PN結(jié)處于導通狀態(tài),電流可以通過歐姆接觸層流入源/漏電極中;當反向偏置時,PN結(jié)處于截止狀態(tài),電流無法通過歐姆接觸層,此時碳化硅功率器件的輸出電壓等于輸入電壓減去漏電流所產(chǎn)生的電壓降。

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二、碳化硅功率器件的應(yīng)用

碳化硅功率器件具有高溫、高頻、高效等優(yōu)點,因此在多個領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。

電動汽車:在電動汽車領(lǐng)域,碳化硅功率器件被廣泛應(yīng)用于電池管理系統(tǒng)、電機驅(qū)動系統(tǒng)等關(guān)鍵部位。由于電動汽車對電池管理系統(tǒng)的要求極高,需要能夠承受高溫、高電壓等惡劣環(huán)境,而碳化硅功率器件正好滿足了這些要求。同時,碳化硅功率器件的高頻特性也使得電機驅(qū)動系統(tǒng)更加高效、靈活。

新能源發(fā)電:在新能源發(fā)電領(lǐng)域,碳化硅功率器件同樣發(fā)揮著重要作用。例如,在光伏發(fā)電系統(tǒng)中,碳化硅功率器件可以提高太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率,降低系統(tǒng)成本;在風力發(fā)電系統(tǒng)中,碳化硅功率器件可以提高風力發(fā)電機的并網(wǎng)性能和運行穩(wěn)定性。

電網(wǎng)保護:在電網(wǎng)保護領(lǐng)域,碳化硅功率器件可以用于制造高壓直流輸電設(shè)備、柔性直流輸電設(shè)備等關(guān)鍵設(shè)備。這些設(shè)備對于提高電網(wǎng)的輸電能力、降低輸電損耗具有重要意義。

三、碳化硅功率器件的優(yōu)勢

碳化硅功率器件之所以能夠在多個領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用,主要是因為其具有以下優(yōu)勢:

高溫性能優(yōu)異:由于碳化硅材料的禁帶寬度較寬,因此在高溫下仍能保持良好的電學性能。這使得碳化硅功率器件在高溫環(huán)境下仍能正常工作,提高了系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)定性。

高頻特性突出:碳化硅功率器件的載流子遷移率遠高于硅材料,因此具有更高的工作頻率。這使得碳化硅功率器件在高頻應(yīng)用中具有更高的效率和更低的損耗。

高耐壓能力:碳化硅材料的擊穿電場強度遠高于硅材料,因此碳化硅功率器件具有更高的耐壓能力。這使得碳化硅功率器件在高壓應(yīng)用中具有更高的安全性和可靠性。

節(jié)能環(huán)保:碳化硅功率器件的高效率和低損耗特性使得其在使用過程中能夠減少能源消耗和減少熱量產(chǎn)生,從而實現(xiàn)節(jié)能環(huán)保的目標。

四、碳化硅功率器件的未來發(fā)展趨勢

隨著新能源汽車、新能源發(fā)電等領(lǐng)域的快速發(fā)展,碳化硅功率器件的市場需求將持續(xù)增長。未來,碳化硅功率器件的發(fā)展趨勢將主要體現(xiàn)在以下幾個方面:

技術(shù)創(chuàng)新:隨著材料科學、制造工藝等技術(shù)的不斷進步,碳化硅功率器件的性能將得到進一步提升。例如,通過優(yōu)化PN結(jié)結(jié)構(gòu)、提高材料純度等方式,可以進一步提高碳化硅功率器件的耐高溫、高頻等性能。

成本降低:隨著碳化硅功率器件的產(chǎn)業(yè)化進程加速,其制造成本將逐漸降低。這將使得碳化硅功率器件在更多領(lǐng)域得到應(yīng)用,推動電力電子行業(yè)的持續(xù)發(fā)展。

多元化應(yīng)用:隨著碳化硅功率器件的性能提升和成本降低,其應(yīng)用領(lǐng)域?qū)⑦M一步拓展。例如,在智能電網(wǎng)、航空航天等領(lǐng)域,碳化硅功率器件將發(fā)揮更加重要的作用。

總之,碳化硅功率器件作為電力電子領(lǐng)域的新星,將在未來發(fā)揮越來越重要的作用。我們期待碳化硅功率器件在技術(shù)創(chuàng)新、成本降低和多元化應(yīng)用等方面取得更多突破,為電力電子行業(yè)的持續(xù)發(fā)展注入新的動力。

無錫國晶微半導體技術(shù)有限公司是寬禁帶第三代半導體碳化硅SiC功率器件、氮化鎵GaN光電器件以及常規(guī)集成電路研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化的高科技創(chuàng)新型企業(yè),從事碳化硅場效應(yīng)管,碳化硅肖特基二極管、GaN光電光耦繼電器、單片機集成電路等產(chǎn)品芯片設(shè)計、生產(chǎn)與銷售并提供相關(guān)產(chǎn)品整體方案設(shè)計配套服務(wù),總部位于江蘇省無錫市高新技術(shù)開發(fā)區(qū)內(nèi),并在杭州、深圳和香港設(shè)有研發(fā)中心和銷售服務(wù)支持中心及辦事處。

公司具有國內(nèi)領(lǐng)先的研發(fā)實力,專注于為客戶提供高效能、低功耗、低阻值、品質(zhì)穩(wěn)定的碳化硅高低功率器件及光電集成電路產(chǎn)品,同時提供一站式的應(yīng)用解決方案和現(xiàn)場技術(shù)支持服務(wù),使客戶的系統(tǒng)性能優(yōu)異、靈活可靠,并具有成本競爭力。

公司的碳化硅功率器件涵蓋650V/2A-100A,1200V/2A-90A,1700V/5A-80A等系列,產(chǎn)品已經(jīng)投入批量生產(chǎn),產(chǎn)品完全可以對標國際品牌同行的先進品質(zhì)及水平。先后推出全電流電壓等級碳化硅肖特基二極管、通過工業(yè)級、車規(guī)級可靠性測試的碳化硅MOSFET系列產(chǎn)品,性能達到國際先進水平,應(yīng)用于太陽能逆變電源、新能源電動汽車及充電樁、智能電網(wǎng)、高頻電焊、軌道交通、工業(yè)控制特種電源、國防軍工等領(lǐng)域。由于其具有高速開關(guān)和低導通電阻的特性,即使在高溫條件下也能體現(xiàn)優(yōu)異的電氣特性,大幅降低開關(guān)損耗,使元器件更小型化及輕量化,效能更高效,提高系統(tǒng)整體可靠性,可使電動汽車在續(xù)航里程提升10%,整車重量降低5%左右,并實現(xiàn)設(shè)計用充電樁的高溫環(huán)境下安全、穩(wěn)定運行。

特別在高低壓光耦半導體技術(shù)方面更是擁有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的研發(fā)團隊。在國內(nèi)創(chuàng)先設(shè)計開發(fā)了28nm光敏光柵開關(guān)PVG芯片技術(shù),并成功量產(chǎn)應(yīng)用于60V、400V、600V高低壓、低內(nèi)阻、低電容的光電耦合繼電器芯片、涵蓋1500kVrmsSOP超小封裝及3750kVrms隔離增強型常規(guī)SMD、DIP等不同封裝,單路、雙路、混合雙路、常開常閉等電路產(chǎn)品,另包括200VSOIMOS/LIGBT集成芯片、100VCMOS/LDMOS集成芯片、8bit及32bit單片機等集成電路產(chǎn)品,均獲得市場及各重點科研單位、檢測機構(gòu)的新產(chǎn)品認定。

公司核心研發(fā)團隊中大部分工程師擁有碩士及以上學位,并有多名博士主持項目的開發(fā)。公司建立了科技創(chuàng)新和知識產(chǎn)權(quán)管理的規(guī)范體系,在電路設(shè)計、半導體器件及工藝設(shè)計、可靠性設(shè)計、器件模型提取等方面積累了眾多核心技術(shù),擁有多項國際、國內(nèi)自主發(fā)明專利。

“國之重器,從晶出發(fā),自強自主,成就百年”是國晶微半導體的企業(yè)目標,我們?yōu)閱T工提供精彩的發(fā)展空間,為客戶提供精良的產(chǎn)品服務(wù),我們真誠期待與您攜手共贏未來。

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原文標題:碳化硅功率器件:電力電子的新星

文章出處:【微信號:國晶微第三代半導體碳化硅SiC,微信公眾號:國晶微第三代半導體碳化硅SiC】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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