下一代氮化鎵帶來(lái)MHz級(jí)性能，減少超過(guò)60%元件數(shù)量及電路尺寸

2022年9月7日——加利福尼亞州埃爾塞貢多訊，唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化鎵功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS），今日發(fā)布了半導(dǎo)體行業(yè)首個(gè)GaNSense半橋氮化鎵功率芯片。相比于現(xiàn)有的分立式方案，半橋功率芯片可實(shí)現(xiàn)MHz級(jí)的開(kāi)關(guān)頻率，將有效降低系統(tǒng)損耗和復(fù)雜度。

GaNSense半橋氮化鎵功率芯片集成了兩個(gè)GaN FETs 和驅(qū)動(dòng)器，以及控制、電平轉(zhuǎn)換、傳感和保護(hù)功能，為電子元件創(chuàng)建了一個(gè)易于使用的系統(tǒng)構(gòu)建塊。相較分立式方案，革命性的單片集成方案能有效減少60%的元件數(shù)量及布局結(jié)構(gòu)，進(jìn)而減少系統(tǒng)成本、尺寸、重量與復(fù)雜性。

集成的GaNSense技術(shù)實(shí)現(xiàn)了前所未有的自動(dòng)保護(hù)，提升了系統(tǒng)可靠性和穩(wěn)定性，并結(jié)合了無(wú)損電流感測(cè)，達(dá)到更高層級(jí)的效率和節(jié)能水平。

高度的集成解決了電路寄生和延遲問(wèn)題，使得廣泛的AC-DC電源拓?fù)浒↙LC諧振、非對(duì)稱半橋（AHB）、有源鉗位反激（ACF）在MHz頻率下的運(yùn)行成為了可能。GaNSense半橋氮化鎵功率芯片同時(shí)還完美適配圖騰柱PFC以及其他電機(jī)驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用。

GaNSense半橋芯片預(yù)計(jì)會(huì)對(duì)納微半導(dǎo)體所有的目標(biāo)市場(chǎng)產(chǎn)生重大影響，如手機(jī)移動(dòng)快充、消費(fèi)電子電源、數(shù)據(jù)中心電源供應(yīng)、太陽(yáng)能逆變器、能源儲(chǔ)存以及電動(dòng)汽車應(yīng)用。

“在70年代末80年代初，雙極晶體管被硅MOSFET取代。而納微半導(dǎo)體氮化鎵技術(shù)的問(wèn)世，代表了第二次電源革命——開(kāi)關(guān)頻率和效率極大提高，系統(tǒng)尺寸和成本大幅銳減。我們?cè)缙诘腉aNFast氮化鎵功率芯片已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了從50-60kHz到200-500kHz的跨越，如今，GaNSense半橋芯片更是將這些優(yōu)勢(shì)帶到了MHz的級(jí)別。氮化鎵的革命仍在持續(xù)！”

——納微半導(dǎo)體首席執(zhí)行官兼聯(lián)合創(chuàng)始人

Gene Sheridan

初代GaNSense半橋氮化鎵功率芯片系列產(chǎn)品，包括了NV6247（2×160mΩ），額定電壓為650V，以及NV6245C（2×275mΩ），二者均采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)、薄型、低電感的6 x 8mm PQFN封裝。

其中，NV6247將立刻進(jìn)入量產(chǎn)，交付周期為16周；NV6245C目前將對(duì)部分客戶發(fā)送樣品，預(yù)計(jì)將在2022年的第四季度面向所有客戶進(jìn)行量產(chǎn)。接下來(lái)的幾個(gè)季度，我們將陸續(xù)推出采用更多封裝方式和更廣功率級(jí)別的GaNSense半橋氮化鎵功率芯片。更多細(xì)節(jié)，歡迎您參考納微半導(dǎo)體的AN018應(yīng)用手冊(cè)。