一区二区三区三上|欧美在线视频五区|国产午夜无码在线观看视频|亚洲国产裸体网站|无码成年人影视|亚洲AV亚洲AV|成人开心激情五月|欧美性爱内射视频|超碰人人干人人上|一区二区无码三区亚洲人区久久精品

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

開發(fā)一種新的可持續(xù)路線來制備超小銅納米團(tuán)簇@MOFs

工程師鄧生 ? 來源:清新電源 ? 作者:景少很白 ? 2022-09-30 09:33 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

【研究背景】

防止大量二氧化碳排放到大氣中的最有前途的技術(shù)之一是使用多孔材料來捕獲二氧化碳并將其轉(zhuǎn)化為化學(xué)原料。由于太陽能的可再生性,CO2的光還原引起了人們的廣泛關(guān)注。Cu納米團(tuán)簇(NCs)是一類超小型金屬納米粒子 (NPs),通常尺寸小于 2 nm。Cu NCs 由于其超小尺寸和非常高的表面能而非常脆弱,并且 Cu NCs 的聚集通常是不可避免的。

金屬有機(jī)框架 (MOF) 具有高孔隙率。將NPs封裝到Zr-MOF中,特別是在MOF空腔中已經(jīng)被廣泛研究。當(dāng)使用這些固體作為催化劑時(shí),可能會(huì)出現(xiàn)許多問題,例如活性納米顆粒的浸出、基質(zhì)的擴(kuò)散受阻以及活性位點(diǎn)的空間分布不明確。在預(yù)先形成的納米粒子周圍構(gòu)建MOF殼以形成核殼結(jié)構(gòu)是防止上述所有缺點(diǎn)的一種有效方法。

【成果簡介】

巴黎文理研究大學(xué)Christian Serre,Antoine Tissot,日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所徐強(qiáng)教授將超小Cu NCs 封裝進(jìn)一系列Zr-MOFs中,與限制在 MOFs 孔中的Cu NCs 相比,Cu NCs@MOFs 核殼復(fù)合材料的反應(yīng)活性顯著提高。在 MOF 結(jié)構(gòu)上引入極性基團(tuán)可以進(jìn)一步提高催化反應(yīng)活性和選擇性。

【研究亮點(diǎn)】

1. 位于Cu NCs和載體之間界面的Cu(I)位點(diǎn)作為活性位點(diǎn); 2. 實(shí)現(xiàn)了MOF基核-殼復(fù)合材料的克級(jí)生產(chǎn)。

【圖文導(dǎo)讀】

ca5c6ac4-404d-11ed-b1c7-dac502259ad0.png

圖 1. 合成過程示意圖。

在預(yù)合成的納米粒子周圍制造MOF殼以形成主客復(fù)合材料(圖 1)。

caa3db3e-404d-11ed-b1c7-dac502259ad0.png

圖 2. a) Cu NCs@MOF-801的尺寸與Cu NCs濃度的關(guān)系,b) Cu NCs的TEM;c) 合成的Cu NCs的粒徑分布;d) MOF-801(1)和CuNPs@MOF-801的PXRD;e) MOF-801和用 6.4 mmol Cu NCs合成的Cu NCs@MOF-801 的固體紫外-可見反射光譜;f) Cu NCs@MOF-801的ac-HAADF-STEM;g, h) Cu NCs@MOF-801的EDS。

由于抗壞血酸與銅具有很強(qiáng)的親和力,因此使用抗壞血酸作為還原劑和封端劑合成了超小銅納米團(tuán)簇(Cu NCs)(圖 2a)。HRTEM(圖 2b)表明,在室溫下攪拌 1 小時(shí)后獲得的淡黃色溶液含有 1.6 nm 的單分散銅納米團(tuán)簇(圖 2c)。樣品具有顯著的 Cu NCs 濃度依賴性,觀察到MOF布拉格峰變寬(圖 2d),隨著引入的NCs數(shù)量的變化,Cu NCs@MOF 的粒徑減?。▓D 2a)。

這些結(jié)果與由種子介導(dǎo)的晶體生長驅(qū)動(dòng)的成核過程一致,其中小的Cu NCs種子既充當(dāng)成核位點(diǎn),又阻止它們作為更大的晶體進(jìn)一步生長。Cu NCs@MOF-801 呈現(xiàn)淡黃色(圖 2e),由于超小無機(jī)納米粒子(< 3nm)的量子尺寸效應(yīng),沒有特定的等離子體吸收峰。圖2f中的像差校正高角度環(huán)形暗場(chǎng)掃描TEM (ac-HAADF-STEM) 表明MOF-801納米晶體中超小 Cu NC(黑點(diǎn))的空間分布。如圖 2g-h所示,由于包含的 Cu NC,整個(gè)MOF晶體表現(xiàn)出一些“空”中心。

cadb305c-404d-11ed-b1c7-dac502259ad0.png

圖 3. a) PXRD 圖譜; b) Cu NCs@UiO-66-NH2和UiO-66-NH2的N2等溫線;c-f)Cu NCs@UiO-66-NH2的HAADF-STEM和EDS。

如圖3a,b所示,與原始UiO-66-NH2相比,合成的Cu NCs@UiO-66-NH2 顯示出相同的結(jié)晶度和孔隙率。簡便的合成方法能夠在不改變質(zhì)量的情況下獲得克級(jí)產(chǎn)品(這里提到的表征都是基于克級(jí)產(chǎn)品)。圖3c-f 中的HAADF-STEM和 EDS證明了Cu NCs的類似分布。

cb1a7758-404d-11ed-b1c7-dac502259ad0.png

圖 4. a) CuNCs@MOF-801和Cu NCs@UiO-66-NH2的光催化CO2性能;b)與 Cu/MOFs和核殼Cu NCs@MOFs產(chǎn)生HCOOH的速率比較。

Cu NCs@MOF-801的主要產(chǎn)物為CO (22.5%) 和 HCOOH (64.9%)。CO和HCOOH的產(chǎn)生速率分別約為 32 和 94 μmol·h-1·g-1。CO和HCOOH的生成表明CuNCs@MOF-801催化劑對(duì)CO2進(jìn)行雙電子還原。相比之下,核殼CuNCs@UiO-66-NH2 表現(xiàn)出增強(qiáng)的甲酸產(chǎn)物,析出速率為128 μmol·h-1·g-1,表明使用UiO-66-NH2殼可以有效提高甲酸的產(chǎn)生(圖 4a)。空白實(shí)驗(yàn)表明催化對(duì)光和CO2的強(qiáng)烈依賴性。

cb3e6618-404d-11ed-b1c7-dac502259ad0.png

圖 5. a) Cu NCs@MOF-801和CuNCs@UiO-66-NH2光催化前后的PXRD;b)在 Ar和13CO2氣體進(jìn)料下光催化產(chǎn)物的13C NMR光譜。

如圖 5a 所示,兩種復(fù)合材料的PXRD在光催化后保持不變,表明結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性。圖 5b 中的13C NMR清楚地表明,甲酸鹽/甲酸分子僅來自CO2。

cb62c9ae-404d-11ed-b1c7-dac502259ad0.png

圖 6. Cu NCs@UiO-66-NH2、Cu/UiO-66-NH2、Cu箔、CuCl和CuO的 a)Cu K-邊 XANES和 b)的相應(yīng)擬合光譜;c) Cu復(fù)合材料和傅里葉變換EXAFS光譜;d) Cu NCs@UiO-66-NH2的原位FTIR光譜。

XANES如圖6a所示,Cu NCs@UiO-66-NH2和Cu/UiO-66-NH2在8983 eV的前峰位置表明復(fù)合材料中的 Cu 為 Cu(0),與塊狀金屬的XANES數(shù)據(jù)相比,雜化復(fù)合材料的XAS光譜中吸收邊后沒有特征,表明納米團(tuán)簇中不存在第四層或更高層的殼原子,這進(jìn)一步證明了超小銅納米團(tuán)簇的存在。圖 6b表明,與Cu(0) 相關(guān)的前邊緣峰在Cu/UiO-66-NH2和Cu NCs@UiO-66-NH2與參考文獻(xiàn)相比,表明氧化態(tài)為+1或+2的氧化銅物種的貢獻(xiàn)很小。

與XANES光譜(圖 6c)一致,擴(kuò)展X射線吸收精細(xì)結(jié)構(gòu) (EXAFS) 的分析表明,對(duì)于Cu/UiO-66NH2復(fù)合材料,存在以大約2.2 ?為中心的主要信號(hào),對(duì)應(yīng)于Cu-Cu。對(duì)于Cu NCs@UiO-66-NH2 (2.4 ?),該信號(hào)轉(zhuǎn)移到更大的值,這與非常小的Cu NCs 的存在一致。在1.5 ?附近觀察到一個(gè)峰,這歸因于Cu-O鍵。

如圖6d所示,在2109-2140 cm-1范圍內(nèi),隨著CO的引入和投加,峰出現(xiàn)并增加,這通常歸因于CO 和 Cu(I)之間的相互作用。復(fù)合材料中兩個(gè)不同的FT-IR峰可能是由于位點(diǎn)異質(zhì)性,即銅陽離子周圍的配位環(huán)境略有不同。相反,Cu2+-CO絡(luò)合物在低溫下會(huì)提供高于2160 cm-1的譜帶,而在光譜中不可見。也可以排除Cu(0) 羰基化合物的存在,因?yàn)楣庾V中不存在的2110 cm-1和 2080 cm-1之間的譜帶。

【總結(jié)與展望】

綜上所述,作者開發(fā)了一種新的可持續(xù)路線來制備超小銅納米團(tuán)簇@MOFs。對(duì)于這種基于MOF的核殼復(fù)合材料,廉價(jià)的原材料和簡便的合成方法允許以克級(jí)生產(chǎn)兩種催化劑。證明了種子介導(dǎo)的生長機(jī)制,能夠深入了解這些核殼結(jié)構(gòu)的形成機(jī)制。

Cu NCs@MOF-801表現(xiàn)出有效的CO2光還原率。Cu NCs@UiO-66-NH2的催化速率比Cu NCs@MOF-801高36%,對(duì)甲酸的選擇性也有所提高,這凸顯了MOF連接體上極性官能團(tuán)的重要性。這種新方法不僅對(duì)設(shè)計(jì)包含易碎活性化合物的先進(jìn)核殼復(fù)合材料的合成化學(xué)家有啟發(fā),而且對(duì)于合理構(gòu)建用于能源轉(zhuǎn)型的新一代高效多相催化劑也很重要。





審核編輯:劉清

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • FTIR
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    33

    瀏覽量

    9177
  • 傅里葉變換
    +關(guān)注

    關(guān)注

    6

    文章

    442

    瀏覽量

    43079

原文標(biāo)題:徐強(qiáng)Angew:Zr-MOF中超小銅納米團(tuán)簇用于CO2光還原

文章出處:【微信號(hào):清新電源,微信公眾號(hào):清新電源】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    漢思新材料取得一種PCB板封裝膠及其制備方法的專利

    漢思新材料取得一種PCB板封裝膠及其制備方法的專利漢思新材料(深圳市漢思新材料科技有限公司)于2023年取得了項(xiàng)關(guān)于PCB板封裝膠及其制備方法的發(fā)明專利(專利號(hào):CN20231015
    的頭像 發(fā)表于 06-27 14:30 ?87次閱讀
    漢思新材料取得<b class='flag-5'>一種</b>PCB板封裝膠及其<b class='flag-5'>制備</b>方法的專利

    文詳解互連工藝

    互連工藝是一種在集成電路制造中用于連接不同層電路的金屬互連技術(shù),其核心在于通過“大馬士革”(Damascene)工藝實(shí)現(xiàn)的嵌入式填充。該工藝的基本原理是:在絕緣層上先蝕刻出溝槽或通孔,然后在溝槽或通孔中沉積
    的頭像 發(fā)表于 06-16 16:02 ?730次閱讀
    <b class='flag-5'>一</b>文詳解<b class='flag-5'>銅</b>互連工藝

    詳解原子層沉積薄膜制備技術(shù)

    CVD 技術(shù)是一種在真空環(huán)境中通過襯底表面化學(xué)反應(yīng)進(jìn)行薄膜生長的過程,較短的工藝時(shí)間以及所制備薄膜的高致密性,使 CVD 技術(shù)被越來越多地應(yīng)用于薄膜封裝工藝中無機(jī)阻擋層的制備。
    的頭像 發(fā)表于 05-14 10:18 ?471次閱讀
    詳解原子層沉積薄膜<b class='flag-5'>制備</b>技術(shù)

    漢思新材料取得一種封裝芯片高可靠底部填充膠及其制備方法的專利

    漢思新材料取得一種封裝芯片高可靠底部填充膠及其制備方法的專利2025年4月30日消息,國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示,深圳市漢思新材料科技有限公司取得項(xiàng)名為“封裝芯片用底部填充膠及其制備方法
    的頭像 發(fā)表于 04-30 15:54 ?484次閱讀
    漢思新材料取得<b class='flag-5'>一種</b>封裝芯片高可靠底部填充膠及其<b class='flag-5'>制備</b>方法的專利

    VirtualLab Fusion應(yīng)用:透鏡的設(shè)計(jì)與分析

    與設(shè)置:單平臺(tái)互操作性 連接建模技術(shù):構(gòu)透鏡 ? 構(gòu)透鏡(柱結(jié)構(gòu)分析) ? 傳播到焦點(diǎn) ? 探測(cè)器 周期性微納米結(jié)構(gòu)可用的建模技術(shù): 作為一種嚴(yán)格的特征模態(tài)求解器,傅里葉模態(tài)法(
    發(fā)表于 03-04 10:05

    納米燒結(jié)為何完勝納米銀燒結(jié)?

    在半導(dǎo)體功率模塊封裝領(lǐng)域,互連技術(shù)直是影響模塊性能、可靠性和成本的關(guān)鍵因素。近年來,隨著納米技術(shù)的快速發(fā)展,納米銀燒結(jié)和納米燒結(jié)技術(shù)作為
    的頭像 發(fā)表于 02-24 11:17 ?866次閱讀
    <b class='flag-5'>納米</b><b class='flag-5'>銅</b>燒結(jié)為何完勝<b class='flag-5'>納米</b>銀燒結(jié)?

    文詳解大馬士革工藝

    但隨著技術(shù)迭代,晶體管尺寸持續(xù)縮減,電阻電容(RC)延遲已成為制約集成電路性能的關(guān)鍵因素。在90納米及以下工藝節(jié)點(diǎn),開始作為金屬互聯(lián)材料取代鋁,同時(shí)采用低介電常數(shù)材料作為介質(zhì)層,這
    的頭像 發(fā)表于 02-07 09:39 ?2660次閱讀
    <b class='flag-5'>一</b>文詳解<b class='flag-5'>銅</b>大馬士革工藝

    淺談制備精細(xì)焊粉(微焊粉)的方法

    制備精細(xì)焊粉的方法有多種,以下介紹五常用的方法:
    的頭像 發(fā)表于 01-07 16:00 ?353次閱讀
    淺談<b class='flag-5'>制備</b>精細(xì)焊粉(<b class='flag-5'>超</b>微焊粉)的方法

    利用液態(tài)金屬鎵剝離制備二維納米片(2D NSs)的方法

    本文介紹了一種利用液態(tài)金屬鎵(Ga)剝離制備二維納米片(2D NSs)的方法。該方法在接近室溫下通過液態(tài)鎵的表面張力和插層作用破壞范德華力,將塊體層狀材料剝離成二維納米片。此外,該過程
    的頭像 發(fā)表于 12-30 09:28 ?789次閱讀
    利用液態(tài)金屬鎵剝離<b class='flag-5'>制備</b>二維<b class='flag-5'>納米</b>片(2D NSs)的方法

    Aigtek功率放大器如何幫助制備(1~100nm)級(jí)的納米薄膜

    材料、平面顯示器、超導(dǎo)材料、氣體催化材料、過濾器材料、光敏材料、高密度的磁性記錄材料。那么 功率放大器 可以幫助制備(1~100nm)級(jí)的納米薄膜嗎? 首先,我們
    的頭像 發(fā)表于 12-20 10:42 ?535次閱讀
    Aigtek功率放大器如何幫助<b class='flag-5'>制備</b>(1~100nm)級(jí)的<b class='flag-5'>納米</b>薄膜

    功率器件封裝新突破:納米燒結(jié)連接技術(shù)

    、高溫服役、優(yōu)異的導(dǎo)熱和導(dǎo)電性能,以及相對(duì)較低的成本,在功率器件封裝研究領(lǐng)域備受關(guān)注。本文將綜述納米燒結(jié)連接技術(shù)的研究進(jìn)展,從納米銅焊膏的制備、影響燒結(jié)連接接頭
    的頭像 發(fā)表于 12-07 09:58 ?1553次閱讀
    功率器件封裝新突破:<b class='flag-5'>納米</b><b class='flag-5'>銅</b>燒結(jié)連接技術(shù)

    沈陽農(nóng)業(yè)大學(xué):研究一種基于硼酸二醇識(shí)別的原位和體內(nèi)檢測(cè)糖的新型電化學(xué)傳感器

    的原位和體內(nèi)檢測(cè),研制了一種基于硼酸二醇識(shí)別的電化學(xué)糖生物傳感器。由于其實(shí)用性和低成本,傳感器被構(gòu)建在絲網(wǎng)印刷電極(SPE)上。將羧化氧化石墨烯與Cu-MOFs納米復(fù)合材料
    的頭像 發(fā)表于 11-20 15:13 ?584次閱讀

    華為充亮相2024東盟持續(xù)能源周

    日前2024東盟持續(xù)能源周(ASEW)在泰國曼谷盛大舉行。作為東盟地區(qū)最大可再生能源展之,旨在推動(dòng)并促進(jìn)可再生能源、清潔技術(shù)和持續(xù)能源
    的頭像 發(fā)表于 09-03 18:08 ?1187次閱讀

    透鏡的設(shè)計(jì)與分析

    ** 仿真與設(shè)置:單平臺(tái)互操作性 連接建模技術(shù):構(gòu)透鏡 ? 構(gòu)透鏡(柱結(jié)構(gòu)分析) ? 傳播到焦點(diǎn) ? 探測(cè)器 周期性微納米結(jié)構(gòu)可用的建模技術(shù): 作為一種嚴(yán)格的特征模態(tài)求解器,傅
    發(fā)表于 08-06 13:48

    rup是一種什么模型

    部分)開發(fā)的,它基于統(tǒng)建模語言(UML)和面向?qū)ο蟮能浖?b class='flag-5'>開發(fā)方法。RUP提供了一種結(jié)構(gòu)化的方法開發(fā)
    的頭像 發(fā)表于 07-09 10:13 ?2623次閱讀