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探究碳化溫度和模板對本征缺陷比例的影響

清新電源 ? 來源:環(huán)材有料 ? 作者:Fei Yuan等 ? 2022-10-18 15:52 ? 次閱讀
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研究背景

由于成本低、鉀儲量豐富、氧化還原電位低、離子轉(zhuǎn)移動力學(xué)快等優(yōu)勢,鉀基儲能裝置,特別是鉀離子電池(PIBs),被認為是鋰離子電池最有前途的替代品之一。碳質(zhì)陽極具有成本低、結(jié)構(gòu)靈活和理化穩(wěn)定性高等特點,其可以通過吸附誘導(dǎo)的電容行為和擴散控制的插層過程來可逆地儲存鉀。缺陷工程被認為是調(diào)節(jié)碳材料速率容量和循環(huán)穩(wěn)定性的有效手段之一。

然而,目前的大部分研究都集中在雜原子摻雜的外部缺陷上,而忽略了由于原子損失或晶格變形引起的本征碳缺陷(如邊緣位點和空隙或孔隙)對儲鉀的影響。有鑒于此,河北科技大學(xué)王波、李昭進團隊以葡萄糖為碳源,在軟模板的輔助下,可控地合成了一系列本征缺陷豐富的碳材料,探究了碳化溫度和模板對本征缺陷比例的影響,揭示了本征缺陷程度與容量/容量保持率之間的內(nèi)在關(guān)聯(lián)機制。相關(guān)成果發(fā)表在國際期刊Advanced Functional Materials上。

圖文導(dǎo)讀

碳材料的制備與微觀形貌

分別以葡萄糖、嵌段共聚物F127、1, 3, 5-三甲基苯為碳源、軟模板和孔隙膨脹劑,通過自組裝、聚合、高溫碳化過程,即可得到不同本征缺陷含量的類碗狀碳。通過HRTEM可以觀察到不同碳化溫度下高度無序的微觀結(jié)構(gòu)。

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碳材料的本征碳缺陷

通過XPS數(shù)據(jù)分峰得到的sp3 C峰占比可以發(fā)現(xiàn),800℃碳化得到的碳材料sp3 C峰占比最高,表明樣品中本征碳缺陷含量占比最高,拉曼數(shù)據(jù)處理得到的ID1/IG比值,以及EPR測試得到的洛倫茲線寬、峰強度結(jié)果都很好地佐證了上述結(jié)論。

3a4fe70c-4855-11ed-a3b6-dac502259ad0.png

碳材料的電化學(xué)性能

本征碳缺陷濃度最高的碳材料(ECM-800)展現(xiàn)了最大的電化學(xué)比容量和容量保持率,且在多次循環(huán)后,界面轉(zhuǎn)移電阻上升最緩慢。通過線性擬合發(fā)現(xiàn),比容量、容量保持率與本征缺陷程度(ID1/IG)呈線性正相關(guān)。 3d470774-4855-11ed-a3b6-dac502259ad0.png3d89e030-4855-11ed-a3b6-dac502259ad0.png

碳材料的儲鉀機制和鉀離子全電池性能

通過異位拉曼分析充/放電過程中ID1/IG值變化發(fā)現(xiàn),放電過程中,ID1/IG值從1.3逐漸減小至1.02,表明大量本征缺陷位點被鉀離子占據(jù)。在隨后的充電過程中,ID1/IG恢復(fù)到初始值,表明鉀離子吸附存儲具有高度可逆性。異位XPS測試得到的sp3 C峰占比變化也證實了上述鉀存儲機制。在鉀離子全電池中,ECM-800展現(xiàn)了不錯的電化學(xué)容量(54 mAh g-1)和優(yōu)異的庫倫效率(3000次循環(huán),庫倫效率維持在98%)。

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文獻鏈接:

https://doi.org/10.1002/adfm.202208966





審核編輯:劉清

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原文標題:王波&李昭進團隊AFM:本征碳缺陷對鉀離子存儲的影響機制

文章出處:【微信號:清新電源,微信公眾號:清新電源】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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