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碳化硅在多種應用場景中的影響

WOLFSPEED ? 來源:Wolfspeed ? 2025-06-13 09:34 ? 次閱讀
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采用碳化硅革新電力電子技術(shù),開拓可持續(xù)解決方案

摘要—市場對高效、清潔和可持續(xù)能源解決方案的需求日益增長,這推動了功率半導體行業(yè)的發(fā)展,也要求人們更加關(guān)注先進材料。在各種先進材料中,碳化硅(SiC)作為一項顛覆性技術(shù)脫穎而出,它與傳統(tǒng)硅基器件相比優(yōu)勢明顯。

碳化硅兼具高導熱性、高擊穿電場和高帶隙等獨特性能,非常適合需要實現(xiàn)更高效率的大功率及高頻應用場景。本文將探討碳化硅在汽車、可再生能源系統(tǒng)、工業(yè)用品等多種應用場景中的影響,以突出展示其在電子產(chǎn)品變革中的關(guān)鍵作用。

對碳化硅技術(shù)進行商業(yè)化應用時,需要持續(xù)關(guān)注材料缺陷、器件可靠性和相關(guān)封裝技術(shù)。本文還將向研究人員和專業(yè)人士介紹一些實用知識,幫助了解碳化硅如何為功率半導體行業(yè)實現(xiàn)高效且可靠的解決方案。

I.簡介

電力電子技術(shù)幾乎已經(jīng)融入到我們生活中的方方面面。電力電子技術(shù)的發(fā)展與材料科學、半導體器件技術(shù)和系統(tǒng)設(shè)計方面的技術(shù)進步緊密相連。自半導體材料發(fā)明以來,電子設(shè)備獲得了空前提升,開創(chuàng)了一個新的時代。隨著硅材料和器件的躍進,半導體技術(shù)開始具有可擴展性和高適應性,而電力電子領(lǐng)域也成為了所有電子系統(tǒng)中充滿活力且不可或缺的一部分。碳化硅和氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導體技術(shù)的發(fā)展開辟了新天地,可提供更高的效率和功率密度,能夠在更高溫度和電壓下工作,從而推動電力電子系統(tǒng)不斷突破上限。借助這些新擴展的能源能力,就能夠以最低損耗將能量從一種形式轉(zhuǎn)換為另一種形式,同時提高系統(tǒng)的功能性和可靠性,從而將電力電子技術(shù)拓展到可再生能源系統(tǒng)、電動汽車和智能電網(wǎng)等重要領(lǐng)域。

II.半導體領(lǐng)域中的重大變革并不常見

20世紀中期,硅促成了晶閘管晶體管等半導體器件的誕生,如圖1所示。通過可靠的開關(guān)功能,這些器件能夠?qū)﹄妷汉?a href="http://www.www27dydycom.cn/tags/電流/" target="_blank">電流進行控制處理;但是,它們受到開關(guān)速度較慢和控制能力低下的限制。隨著硅技術(shù)的發(fā)展,金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)和絕緣柵雙極晶體管(IGBT)器件技術(shù)得以實現(xiàn)商業(yè)化,可提供更強大的電氣特性。1979年,MOSFET發(fā)明問世,其開關(guān)速度更快、工作頻率更高,非常適合中低電壓應用。1985年,IGBT推出,其結(jié)合了MOSFET和雙極晶體管的優(yōu)點,具有更高電壓能力、更快開關(guān)速度和更高效率,催生了電力電子系統(tǒng)的巨大進步,推動了先進電路拓撲和控制方法的發(fā)展。

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圖1:功率半導體技術(shù)的演變[1]

這些技術(shù)進步確立了明確的性能表征,可推動在能效、功率密度和可靠性等方面的未來發(fā)展,助力不斷突破硅性能極限。如此一來,人們在寬禁帶半導體材料研究方面的力度也在不斷增強。與硅相比,碳化硅的帶隙為三倍、擊穿電場達到十倍,因此出現(xiàn)成為適合下一代功率器件的理想材料,如圖2中的雷達圖所示。

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圖2:硅、碳化硅和氮化鎵關(guān)鍵性能參數(shù)比較。

Wolfspeed于2011年推出了業(yè)界首款碳化硅MOSFET,自此后一直引領(lǐng)從硅到碳化硅的轉(zhuǎn)型,為功率轉(zhuǎn)換器技術(shù)開辟了新天地,這在本文所述的多種應用中均有體現(xiàn)。

III.可持續(xù)發(fā)展未來

電力電子技術(shù)是實現(xiàn)高效電能轉(zhuǎn)換、調(diào)節(jié)和控制的基礎(chǔ)技術(shù)。對于在可再生能源發(fā)電、電動汽車和工業(yè)自動化等多個行業(yè)中部署可持續(xù)能源解決方案,該領(lǐng)域中的創(chuàng)新至關(guān)重要。

A.電動汽車(EV)

在向可持續(xù)發(fā)展未來轉(zhuǎn)型的過程中,電動汽車扮演著至關(guān)重要的角色,因為它們有潛力大幅減少溫室氣體排放、改善城市空氣質(zhì)量并降低對不可再生化石燃料資源的依賴。在電動汽車中,電力電子設(shè)備通過逆變器、轉(zhuǎn)換器和電機控制器等關(guān)鍵組件,來管理和控制電池、電機及輔助系統(tǒng)之間的電力流。這些系統(tǒng)能夠?qū)崿F(xiàn)多種功能,例如:將電池中的直流電(DC)轉(zhuǎn)換為電機所需的交流電(AC),調(diào)節(jié)各種車輛系統(tǒng)的電壓水平,管理電池的充電和放電,以及實現(xiàn)再生制動以重新捕獲能量。隨著碳化硅材料和器件技術(shù)日趨成熟,現(xiàn)在可以在碳化硅中開發(fā)出既可靠又堅固的電力系統(tǒng),同時不影響效率或可持續(xù)性。根據(jù)麥肯錫最近發(fā)布的一份報告,到2027年,50%以上的純電電動汽車可能會采用碳化硅動力總成,而目前這一比例約為30%[2]。

A.1.動力總成系統(tǒng)

負責將EV從A點行駛至B點的最核心、最關(guān)鍵的系統(tǒng)是電動汽車動力總成系統(tǒng)。電動汽車的動力系統(tǒng)負責處理儲存在車輛電池系統(tǒng)中的能量,并將其輸送到車輪。驅(qū)動一輛滿載的車輛所需的能量十分巨大,因此需要瞬時和可預測的能量傳輸。此外,車輛的續(xù)航能力主要取決于以最高效率和最小阻力提供動力的能力。碳化硅MOSFET的持續(xù)演變使得工程師能夠設(shè)計出足夠堅固耐用的動力總成逆變器,以應對高溫和極端濕度,同時提供相比硅MOSFET更高的電壓范圍和更快的開關(guān)速度。通過在電動汽車的動力總成系統(tǒng)中采用碳化硅MOSFET,可減少高達80%的功率損耗,從而將行駛距離延長多達10%。除了為日常駕駛者帶來效率提升這一好處外,碳化硅MOSFET的高效率還讓汽車系統(tǒng)設(shè)計人員有機會采用比傳統(tǒng)設(shè)計更小、更輕、更高效的電機,同時提供強勁的性能。Wolfspeed 80 kHZ三相參考設(shè)計(圖3)就是一個基于碳化硅的逆變器示例。與同類硅基逆變器相比,該設(shè)計可以將功率密度提高至兩倍,并且可以嵌入在超低電感封裝結(jié)構(gòu)中。

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圖3:CRD300DA12E-XM3300 kW 800 V直流母線標稱三相逆變器。

A.2.快速充電系統(tǒng)

全球范圍都在向電動汽車轉(zhuǎn)型,因此要求充電基礎(chǔ)設(shè)施實現(xiàn)重大進展,以滿足廣泛部署的需求。雖然低功率車載充電器(小于15千瓦)足以在閑置期間進行住宅充電,而且碳化硅開關(guān)比硅開關(guān)具有更高的反向極性操作性能,因此成為了雙向充電的理想選擇,但長途旅行和商業(yè)應用卻需要大幅縮短充電時間,接近傳統(tǒng)加油站的加油速度。要實現(xiàn)這樣的更高充電速度,要求電池技術(shù)取得同步發(fā)展,并且開發(fā)出能夠支持快速能量傳輸且穩(wěn)固可靠的高功率充電基礎(chǔ)設(shè)施。碳化硅可實現(xiàn)更高開關(guān)速度和更大功率輸出,從而提供效率高得多的快速充電。這些因素促進了碳化硅MOSFET和模塊在電動汽車充電應用中的激增;同時,為了滿足長途電動化卡車和送貨車輛所需兆瓦級快速充電系統(tǒng)的需求,正在引入中壓等級技術(shù)。

A.3.車載充電系統(tǒng)

車載電池充電機是電動汽車保持動力的關(guān)鍵:充電機將車主家中的交流電轉(zhuǎn)換為直流電,為電池充電。充電機通常還能進行再生制動,在制動時從車輛本身獲取動能以增加電量。得益于碳化硅器件技術(shù),這些系統(tǒng)在輸出、尺寸和速度方面都表現(xiàn)出了高效性。對于基于碳化硅的車載充電系統(tǒng),如果設(shè)計中具備雙向能量傳輸功能,則既能從電網(wǎng)接收能量,又能將能量回饋給電網(wǎng),從而有助于穩(wěn)定將來的電網(wǎng),甚至能在停電期間為車主的重要家用系統(tǒng)供電。

A.4.車載DC/DC轉(zhuǎn)換器

在現(xiàn)代汽車中,特別是電動汽車中,車載DC/DC轉(zhuǎn)換器發(fā)揮著極為重要的作用;由于集成了信息娛樂、導航、照明和自動控制等先進系統(tǒng),對電力的需求不斷升高。這類轉(zhuǎn)換器負責轉(zhuǎn)換和調(diào)節(jié)來自電池的直流電,為相互依賴的各個系統(tǒng)提供正確的電壓,從而確保實時性能,防止因故障而影響車輛運行。碳化硅技術(shù)的進步正在革新這些DC/DC轉(zhuǎn)換器的效率和性能。與傳統(tǒng)硅元件相比,碳化硅器件的電氣和熱性能更優(yōu)。它們能夠減少開關(guān)和傳導損耗以實現(xiàn)更高運行效率,這不僅改善了能量轉(zhuǎn)換,而且還最大限度地減少了發(fā)熱。碳化硅器件能夠在更高溫度和更快開關(guān)速度下工作,從而增強復雜車輛系統(tǒng)實時調(diào)節(jié)電壓的能力。此外,這些先進技術(shù)還使功率轉(zhuǎn)換器體積更小、重量更輕,從而減輕了整車重量,并為其他組件騰出了空間。

B.可再生能源

可再生能源是全球增長最快的能源,占全球發(fā)電能力的三分之一,而碳化硅技術(shù)在提高下一代儲能、太陽能和風能系統(tǒng)的效率和功率密度方面扮演著舉足輕重的作用。根據(jù)國際能源署(IEA)的數(shù)據(jù),2023年全球可再生能源裝機容量增加了近50%,是二十年來增長最快的一年;預測顯示,2023年至2028年間將新增近3,700千兆瓦的裝機容量[3]。該增長主要由太陽能光伏發(fā)電(PV)和風能推動,因為這兩種能源相對于化石和非化石燃料替代品具有成本優(yōu)勢,預計這些能源將占增長量中的95%。預計到2028年,可再生能源將占全球發(fā)電量的42%以上,其中風能和太陽能光伏發(fā)電將占25%。要在可再生能源方面實現(xiàn)更高的投資回報率,特別是太陽能和風能,需要持續(xù)提高效率、容量、功率密度和成本效益。Wolfspeed最近與領(lǐng)先的地面電站可再生能源逆變器制造商EPC合作,實現(xiàn)了模塊化兩級系統(tǒng)架構(gòu),如圖4所示。這種獨特的功率設(shè)計最終可實現(xiàn)低維護、易維修且可大規(guī)模生產(chǎn)的逆變器方法,從而支持快速部署可再生能源。有關(guān)如何利用SiC簡化以前的三級系統(tǒng)的更多信息,請參閱Wolfspeed案例分析[4]。

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圖4:采用1200 V IGBT的復雜3級NPC系統(tǒng)架構(gòu)(左)

與采用2300 V WolfPACK功率模塊大幅簡化2級系統(tǒng)(右)的比較。

簡化后的2級系統(tǒng)減少了驅(qū)動器數(shù)量,降低了控制復雜性,并提高了可擴展性。

C.人工智能革命及其對數(shù)據(jù)中心的影響

人工智能(AI)正推動市場對數(shù)據(jù)中心前所未有的需求,這大幅增加了全球的能源消耗。如圖5所示,2021年,Amazon、Google、Meta和Microsoft等大型科技公司的用電量達到72太瓦時,是2017年用電量的兩倍多;而隨著ChatGPT等生成式人工智能技術(shù)的興起,這種需求只會進一步加劇。人工智能模型的能耗遠高于傳統(tǒng)應用:每次人工智能查詢請求大約需要消耗2.9瓦時電量,是一次典型Google搜索所需能量的近十倍。

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圖5:美國數(shù)據(jù)中心潛在耗電量預測:2023-2030年(EPRI,2024年)。

2024年的EPRI報告預測,到2030年,數(shù)據(jù)中心的耗電量將高達美國電力的9.1%,因此,必須找到適用于人工智能工作負載的可持續(xù)解決方案[5]。雖然一些公司在嘗試將服務器浸入海洋或使用積雪等冷卻方法,但碳化硅技術(shù)提供的解決方案更具實用性和成本效益。碳化硅器件發(fā)熱量較少,并且在高溫環(huán)境下仍能保持可靠性能,從而提高了能源效率,并減少了對外部冷卻的需求。

碳化硅具有更佳的性能表征和導熱能力,因此功率密度更加卓越,可將功率提高40%,或?qū)⑾到y(tǒng)尺寸縮小40%。如果全球所有數(shù)據(jù)中心都用碳化硅取代硅基元件,那么節(jié)省的能源可供曼哈頓地區(qū)使用一整年。在過去十年間,全球法規(guī)對提高外部電源效率的要求越來越高,而碳化硅和氮化鎵是能夠以最低系統(tǒng)成本滿足最嚴格標準(如80+ Titanium、ORV3和Energy Star能效標準)的唯有材料。通過采用碳化硅,不僅能提高能效,而且還能確保數(shù)據(jù)中心符合不斷變化的監(jiān)管要求,同時最大限度減輕環(huán)境影響、降低運營成本,并最大幅度提高計算能力。

IV.碳化硅技術(shù)成熟度

隨著碳化硅器件在先進應用中的普及,對低缺陷率、高質(zhì)量碳化硅材料的需求日益增長。這些高質(zhì)量襯底和晶圓對于實現(xiàn)最佳器件性能與可靠性至關(guān)重要,因為諸如微管和位錯之類的缺陷會大幅降低效率并縮短使用壽命,尤其是在高壓系統(tǒng)中。Wolfspeed不斷改進生產(chǎn)工藝,生產(chǎn)出質(zhì)量更高、直徑更大且性能更穩(wěn)定的碳化硅晶體,從而提高可靠性和效率,如圖6所示。在過去幾十年中,碳化硅技術(shù)已經(jīng)從實驗階段發(fā)展到廣泛商用階段,克服了早期在制造穩(wěn)定性和成本方面存在的挑戰(zhàn)。

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圖6:Wolfspeed晶圓演變里程碑。

Tairov和Tsvetkov在1978年的工作為碳化硅研究活動奠定了基礎(chǔ)[6],也為未來的發(fā)展構(gòu)筑了基石。1987年,碳化硅技術(shù)先行者Cree Inc.(現(xiàn)為Wolfspeed)成立;到1992年,該公司生產(chǎn)出第一片商用碳化硅襯底,標志著技術(shù)上的重大飛躍。隨著零微管(ZMP)襯底的推出,實現(xiàn)了巨大突破,從而解決了微管問題,這是碳化硅材料中一種致命的器件故障缺陷。從1992年的25毫米晶圓開始,到2015年的200毫米晶圓,晶圓從小尺寸到更大尺寸的過渡在提高制造效率和降低成本方面發(fā)揮了重要作用。

在這些尺寸增加的同時,Wolfspeed通過降低位錯密度和改善晶圓形狀,顯著提高了碳化硅襯底的質(zhì)量,從而帶來良率更高、更為可靠的碳化硅器件。Wolfspeed的200毫米碳化硅技術(shù)不斷完善,凸顯了實現(xiàn)碳化硅材料和器件在實現(xiàn)穩(wěn)定性、大批量生產(chǎn)和質(zhì)量一致性的重要性,如圖7所示。這些進步使得碳化硅技術(shù)在全球范圍內(nèi)趨于成熟,能夠應用于上述復雜系統(tǒng)中。

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圖7:Wolfspeed的浴缸曲線計算器,以功率器件的任務曲線作為輸入。

V.碳化硅技術(shù)的未來趨勢

碳化硅技術(shù)的持續(xù)創(chuàng)新正在塑造電力電子技術(shù)的未來,發(fā)展趨勢已不僅僅是傳統(tǒng)的可靠性問題,而是更加注重耐用性、效率和高級集成。隨著越來越多的工業(yè)和可再生能源應用需要在更高母線電壓下運行,寬禁帶(WBG)技術(shù)必須應對這些眾多應用實例所在的挑戰(zhàn)性環(huán)境。功率組件供應商在評估用于在高壓、高頻應用中實現(xiàn)最佳性能的關(guān)鍵措施時,必須超越數(shù)據(jù)表來考慮關(guān)鍵的可靠性標準,并考量哪些改進甚至規(guī)范對于確保更高耐用性至關(guān)重要。例如,對于高海拔應用,必須考慮宇宙射線粒子所導致的性能下降,因為這會對失效率(FIT)產(chǎn)生重大影響。對于可再生能源設(shè)施,可能需關(guān)注設(shè)施在潮濕環(huán)境中的性能,因此可能需要滿足溫度-濕度偏差(THB)規(guī)范。隨著建筑及農(nóng)用車輛(CAV)日益實現(xiàn)電氣化(圖8),其中的器件必須承受因使用條件而產(chǎn)生的高溫,因此需要了解柵極氧化物所承受的應力。最后這項要求也凸顯了碳化硅器件技術(shù)的持續(xù)發(fā)展以釋放未來潛力[7]。

寬禁帶組件供應商需要了解耐久性設(shè)計所帶來的日益嚴峻的挑戰(zhàn),并認真權(quán)衡設(shè)計上的取舍,以實現(xiàn)適當?shù)男阅埽瑫r確保碳化硅在商業(yè)上仍能被長期使用的基于IGBT的可靠系統(tǒng)所接受。除了器件設(shè)計和加工創(chuàng)新之外,先進封裝技術(shù)也將至關(guān)重要,其通過解決惡劣環(huán)境中常見的熱、電和機械問題,來充分發(fā)揮碳化硅的優(yōu)勢。

建筑和農(nóng)業(yè)設(shè)備OEM正在考慮如何使主逆變器與推進系統(tǒng)之外的子系統(tǒng)實現(xiàn)電動化。

電力電子技術(shù)領(lǐng)域的另一個明顯趨勢是,從單獨功率轉(zhuǎn)換器轉(zhuǎn)變?yōu)榧啥雀叩南到y(tǒng),同時更加強調(diào)整體能源管理,而非孤立電源功能。這種轉(zhuǎn)變涉及分析各系統(tǒng)組件之間的相互作用,不僅要提高功率,而且還要改善整體能效。此轉(zhuǎn)變也反映了功率轉(zhuǎn)換器技術(shù)的不斷發(fā)展,其推動因素包括碳化硅等半導體器件取得的突破、新電路拓撲結(jié)構(gòu)、創(chuàng)新型控制策略以及無縫式系統(tǒng)集成。效率更高、功率密度更大、集成度更高的解決方案很可能會在未來幾年主導電力電子領(lǐng)域的發(fā)展趨勢。

小結(jié)

從硅到碳化硅的轉(zhuǎn)型是電力電子領(lǐng)域中難得一遇的技術(shù)變革。與傳統(tǒng)硅相比,碳化硅具有更優(yōu)越的材料特性,如更高熱導率、更高擊穿電壓和更快開關(guān)速度,因此非常適合大功率、高溫和高效率應用場景。隨著Wolfspeed不斷推動碳化硅技術(shù)的進步并持續(xù)大批量提供高質(zhì)量碳化硅產(chǎn)品,這種轉(zhuǎn)變已不僅僅是一種漸進式改進,而是一種基礎(chǔ)性變革,使各行各業(yè)均實現(xiàn)了前所未有的性能水平。通過利用碳化硅技術(shù),各行業(yè)能夠在降低運營成本和碳排放的同時,顯著提升績效。碳化硅的廣泛應用標志著電力電子和半導體領(lǐng)域的重大轉(zhuǎn)折點,因為它開啟了以往無法通過硅實現(xiàn)的各種可能性,為未來數(shù)十年的能源管理和功率轉(zhuǎn)換技術(shù)塑造了光明前景。

關(guān)于 Wolfspeed, Inc.

Wolfspeed(美國紐約證券交易所上市代碼:WOLF)在全球范圍內(nèi)推動碳化硅技術(shù)采用方面處于市場領(lǐng)先地位,這些碳化硅技術(shù)為全球最具顛覆性的創(chuàng)新成果提供了動力支持。作為碳化硅領(lǐng)域的引領(lǐng)者和全球最先進半導體技術(shù)的創(chuàng)新者,我們致力于為人人享有的美好世界賦能。Wolfspeed 通過面向各種應用的碳化硅材料、功率模塊、分立功率器件和功率裸芯片產(chǎn)品,助您實現(xiàn)夢想,成就非凡(The Power to Make It Real)。

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    碳化硅器件的特點是什么

    今天我們來聊聊碳化硅器件的特點
    發(fā)表于 03-16 08:00

    什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?

    什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?碳化硅(SiC)的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的?
    發(fā)表于 06-18 08:32

    碳化硅的應用

    碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料,為什么應用的領(lǐng)域會受到部分限制呢?
    發(fā)表于 08-19 17:39

    傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)

    應用領(lǐng)域,SiC和GaN形成競爭。隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續(xù)應用在二極管、場效晶體管(MOSFET)等組件上,電力電子產(chǎn)業(yè)的技術(shù)大革命已揭開序幕。這些新組件雖然成本上仍比傳統(tǒng)硅
    發(fā)表于 09-23 15:02

    請教碳化硅刻蝕工藝

    最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅,采用的是ICP系列設(shè)備,刻蝕氣體使用的是SF6+O2,碳化硅上面沒有做任何掩膜,就是為了去除SiC表面損傷層達到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程總是會在
    發(fā)表于 08-31 16:29

    功率模塊的完整碳化硅性能怎么樣?

      本文重點介紹賽米控碳化硅功率模塊的性能,特別是SEMITRANS 3模塊和SEMITOP E2無基板模塊?! 》至⑵骷ㄈ?TO-247)是將碳化硅集成到各種應用
    發(fā)表于 02-20 16:29

    淺談硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動的區(qū)別

    風險,配置合適的短路保護電路,可以有效減少開關(guān)器件使用過程因短路而造成的損壞。與硅IGBT相比,碳化硅MOSFET短路耐受時間更短?! ?)硅IGBT:  硅IGBT的承受退保和短路的時間一般小于
    發(fā)表于 02-27 16:03

    圖騰柱無橋PFC混合碳化硅分立器件的應用

    的硅基IGBT和碳化硅肖特基二極管合封,部分應用可以替代傳統(tǒng)的IGBT (硅基IGBT與硅基快恢復二極管合封),使得IGBT的開關(guān)損耗大幅降低。這款混合碳化硅分立器件的性能介于超結(jié)
    發(fā)表于 02-28 16:48

    開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器充分利用碳化硅器件的性能優(yōu)勢

    MOSFET之所以有如此的大吸引力,在于與它們具有比硅器件更出眾的可靠性,持續(xù)使用內(nèi)部體二極管的連續(xù)導通模式(CCM)功率因數(shù)校正(PFC)設(shè)計,例如圖騰功率因數(shù)校正器的硬開關(guān)拓撲碳化硅
    發(fā)表于 03-14 14:05

    碳化硅的性能和應用場景

    碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性,突破硅基半導體材料物理限制,是第三代半導體核心材料。碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化鎵射頻器件和碳化硅功率器件。受益于5G通信、
    的頭像 發(fā)表于 08-19 11:45 ?4141次閱讀