由PMOS來(lái)進(jìn)行電壓的選擇：當(dāng)V8V存在時(shí)，此時(shí)電壓全部由V8V提供，將PMOS關(guān)閉，VBAT不提供電壓給VSIN，而當(dāng)V8V為低時(shí)，VSIN由VBAT供電。

注意R120的接地，該電阻能將柵極電壓穩(wěn)定地拉低，確保PMOS的正常開(kāi)啟;

D9和D10的作用在于防止電壓的倒灌;D9可以省略。這里要注意到實(shí)際上該電路的DS接反，這樣由附生二極管導(dǎo)通導(dǎo)致了開(kāi)關(guān)管的功能不能達(dá)到，實(shí)際應(yīng)用要注意。

這個(gè)電路，控制信號(hào)PG_C控制V4.2是否給P_GPRS供電。此電路中，源漏兩端沒(méi)有接反，R110與R113存在的意義在于R110控制柵極電流不至于過(guò)大，R113控制柵極的常態(tài)，將R113上拉為高，截止PMOS，同時(shí)也可以看作是對(duì)控制信號(hào)的上拉;

當(dāng)MCU內(nèi)部管腳并沒(méi)有上拉時(shí)，即輸出為開(kāi)漏時(shí)，并不能驅(qū)動(dòng)PMOS關(guān)閉，此時(shí)，就需要外部電壓給予的上拉;

所以電阻R113起到了兩個(gè)作用;

R110可以更小，到100歐姆也可。

審核編輯：湯梓紅