概述

上文和大家討論了PMOS的負(fù)載開關(guān)電路，使用PMOS來(lái)控制后繼電路的開關(guān)。然而在日常應(yīng)用中PMOS可供選擇的類型較少，價(jià)格也相對(duì)昂貴。因此選用NMOS作為開關(guān)電路選型范圍較多，成本也更加劃算，尤其針對(duì)一些低壓1V、1.8V、3.3V大電流應(yīng)用中更有優(yōu)勢(shì)。
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電路分析

如下圖搭建NMOS開關(guān)電路
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其中Q1、Q2為控制電路R3端口加入3.3V脈沖激勵(lì)源作為使能EN信號(hào)，使能信號(hào)高有效，當(dāng)脈沖為高電平時(shí)NPN三極管Q1導(dǎo)通，PNP三極管Q2導(dǎo)通，NMOSQ3的基極電壓為R5和R6分壓所得，R7為假負(fù)載用于下電輸出電容放電，R8為模擬的后級(jí)負(fù)載，當(dāng)控制導(dǎo)通時(shí)V_out為3.3V。

R5、C1組成緩啟動(dòng)電路可以控制NMOS開關(guān)Q3的啟動(dòng)時(shí)間，C1和C3分別為被控制電源輸入和輸出濾波電容。

當(dāng)配置R5、C1為10K和100nF啟動(dòng)時(shí)間為1.3ms左右啟動(dòng)波形如下；

下電波形：
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當(dāng)配置R5、C1為100K和100nF啟動(dòng)時(shí)間為30ms左右，啟動(dòng)波形如下；

下電波形

設(shè)置后級(jí)1000uF電容負(fù)載測(cè)量Q3啟動(dòng)沖擊電流，R5、C1為10K和100nF組合沖擊電流最大尖峰約為5.5A波形如下：

設(shè)置后級(jí)1000uF電容負(fù)載測(cè)量Q3啟動(dòng)沖擊電流，R5、C1為10K和1uF組合沖擊電流最大尖峰約為0.6A波形如下：

結(jié)論

NMOS也可作為電源開關(guān)電路使用，緩啟動(dòng)電路參數(shù)需要根據(jù)實(shí)際電路容性負(fù)載大小和MOS的SOA曲線配置。